.本实用新型涉及储运领域，适用于一种需安装步道的的罐箱领域，特别是一种步道切角工装。背景技术.目前，步道安装有一块需要切个斜角，车间都是通过锯子人工操作锯割，生产效率比较慢，同时，劳动强度大，人工成本高，另外，还影响产品产量。发明内容.本实

.本实用新型属于家居安防技术领域，具体地说，涉及一种智能家居安防控制设备。背景技术.随着生活节奏的不断加快和经济水平的不断提高，家庭用户对安全感的需求正在逐渐增加，人们对家居安防的意识不断提高，家庭安防系统应运而生。.智能家居安防系统，不但

本公开涉及一种二次电池。背景技术作为电极体收纳于外装体的二次电池的集电构造，已知有将从电极体向外装体的靠近封口板的那一侧伸出的集电片经由集电体与外部端子连接的构造。在这样的集电构造中，专利文献1公开了一种电极体的结构，该结构是正极板和负极板

本发明涉及非水电解液及能量设备。背景技术在智能手机等便携电话、笔记本电脑等所谓的民生用的小型设备用电源、电动汽车用等的驱动用车载电源等的广泛用途中，锂一次电池、锂二次电池、双电层电容器、锂离子电容器等能量设备已得到了实用化。然而，近年来对于

本发明涉及一种锂离子电池的制造方法。背景技术近年来，为了保护环境，迫切期望减少二氧化碳排出量。在汽车行业中，越来越期望通过电动汽车(EV)或混合动力电动汽车(HEV)的导入来减少二氧化碳排出量，并且深入进行掌握这些实用化的关键的马达驱动用二

本申请要求于2019年8月20日提交的韩国专利申请第10-2019-0102027号的优先权的权益，通过引用将上述专利申请整体结合在此。本发明涉及一种二次电池、制造二次电池的方法及包括二次电池的电池组，更具体地，涉及一种在制造时的弯曲形状被

本申请以2019年7月16日在日本提出申请的专利申请第2019-131253号为基础，将基础申请的全部内容作为参照援用于此。技术领域本说明书中的发明涉及一种燃料电池系统。背景技术专利文献1公开了一种计算燃料电池的含水量并控制燃料电池内的含水

本发明涉及一种燃料电池组。背景技术在层叠多个燃料电池单元而构成的燃料电池组中，在电池组的中央部，由于相邻的燃料电池单元彼此被保温，因此成为高温。另一方面，越接近电池组的上端和下端，热量越容易向外部传递(被外部夺走)，因此温度降低。这样，在燃

本发明涉及一种电池。背景技术在电动汽车(EV)、混合电动汽车(HEV、PHEV)的驱动用电源中，以及具有用于对太阳光发电、风力发电等的输出变动进行抑制的用途、用于在夜间储蓄电力而在白天利用上述电力的系统电力的峰值漂移用途等的固定用蓄电池系统

本发明涉及一种粘结剂、固态电池用浆料、固态电池用电极和固态二次电池。背景技术对于固态电池，进行了作为安全性优异的电池的研究。作为固态电池所使用的固体导电体，已知有硫化物系和氧化物系，对利用了它们的固态电池进行了研究。这些之中，在硫化物系固态

本发明涉及电池的领域。具体地，本发明涉及锂离子电池的阴极浆料。背景技术在过去的数十年中，锂离子电池(LIB)由于其优异的能量密度、长的循环寿命和高放电能力，在各种应用尤其是消费类电子产品中被广泛应用。由于电动车辆(EV)和电网储能的市场快速

本发明涉及一种正极活性物质、正极及二次电池。背景技术一直以来，使用二次电池作为各种电子设备的电源。二次电池通常具有在外装体(壳体)内收容有电极组件(电极体)及电解质的结构，并且具备用于实现二次电池的电连接的外部端子(或电极引线)。电极组件具

本申请要求基于2020年6月25日提交的韩国专利申请第10-2020-0077557号的优先权，将所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。本发明涉及一种包括粘合剂层的电极及其制造方法，更具体地，涉及一种在电极活性材料层的两个端部的底部形

本发明涉及二次电池、电池包、电子设备、电动工具、电动航空器以及电动车辆。背景技术锂离子电池面向电动工具、汽车之类的需要高输出的用途而被开发。作为进行高输出的一种方法，可举出从电池流过比较大的电流的高倍率放电。在高倍率放电中，由于流过大电流，

本发明涉及晶片太阳能电池、太阳能模块以及用于制造晶片太阳能电池的方法。背景技术晶片太阳能电池具有经过处理的通常以硅晶片的形式的半导体基板，其具有正面和背面，除了存在于半导体基板内部的p-n层之外，在其上分别设置有另外的功能层。晶片太阳能电池

本技术涉及一种具有半导体层和栅电极的半导体装置以及设置有该半导体装置的半导体模块和电子设备。背景技术诸如场效应晶体管(FET：场效应晶体管)等半导体装置具有例如：半导体层，该半导体层包括沟道层；以及一对电极(源电极和漏电极)，电耦接到沟道层

本发明一般涉及氮基半导体器件。更具体地说，本发明涉及具有多层结构的氮基半导体器件，此多层结构包括分别具有不同氧浓度和厚度的至少两个介电保护层，从而改善其电特性。背景技术近年来，对高电子迁移率晶体管(high-electron-mobilit

本申请案主张2020年5月7日提交的美国临时申请案第63\/021,167号的优先权的权益，所述美国临时申请案主张2019年11月5日提交的美国临时申请案第62\/930,861号及2019年5月17日提交的美国临时申请案第62\/849,

本申请描述了总体上涉及半导体存储器设备的实施例、以及用于形成半导体存储器设备的方法。背景技术半导体制造商已经开发了诸如三维(3D)NAND闪存技术等的垂直设备技术，以在不需要更小的存储单元的情况下实现更高的数据存储密度。在一些例子中，3DN

本申请要求享有于2021年2月22日提交的中国专利申请No.2021101961129的优先权，其全部内容通过引用的方式并入本文。技术领域本公开内容总体上涉及半导体技术领域，更具体而言，涉及一种用于形成三维(3D)存储器装置的方法。背景技术