基准就绪信号产生电路及电子电路系统的制作方法

本发明涉及集成电路设计，特别是涉及一种基准就绪信号产生电路及电子电路系统。

背景技术：

1、电子电路系统中，带隙基准电路作为核心电路，为大部分模块提供基准电压以便于这些模块的后续驱动。带隙基准电路在正常工作时会产生特定值的基准电压，但在启动过程中，基准电压的值是逐渐增大并达到特定值，因此，及时并准确地判断基准电压是否已经建立完成，对系统工作至关重要。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基准就绪信号产生电路及电子电路系统，以提高基准就绪信号的精度和可靠性。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基准就绪信号产生电路，所述基准就绪信号产生电路包括：

3、电源分压模块、电压比较模块及电源上升检测模块；

4、所述电源分压模块用于对电源电压进行分压生成中间电压；

5、所述电压比较模块与所述电源分压模块相连，用于将所述中间电压与基准电压进行比较，并在所述中间电压大于所述基准电压与失调量之和时生成基准就绪信号；

6、所述电源上升检测模块与所述电压比较模块相连，用于在所述电源电压上升过程中向所述电压比较模块提供所述失调量。

7、可选地，所述电源分压模块包括第一电阻及第二电阻，所述第一电阻的第一端连接所述电源电压，所述第一电阻的第二端经由所述第二电阻连接参考地并作为所述电源分压模块的输出端；或者，所述电源分压模块包括第一nmos管及第二nmos管，所述第一nmos管的栅极与其漏极短接，所述第一nmos管的漏极连接所述电源电压，所述第一nmos管的源极连接所述第二nmos管的漏极并作为所述电源分压模块的输出端，所述第二nmos管的栅极与其漏极短接，所述第二nmos管的源极连接参考地。

8、可选地，所述电压比较模块包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管及第一电流源，所述第一pmos管的栅极连接所述电源分压模块的输出端，所述第二pmos管的栅极连接所述基准电压，所述第一pmos管及所述第二pmos管的源极经由所述第一电流源连接所述电源电压，所述第一pmos管的漏极连接所述第三nmos管的漏极，所述第二pmos管的漏极连接所述第四nmos管的漏极，所述第三nmos管的栅极与其漏极短接并连接所述第五nmos管的栅极及所述电源上升检测模块的第一输出端，所述第三nmos管的源极连接参考地，所述第四nmos管的栅极与其漏极短接并连接所述第六nmos管的栅极，所述第四nmos管的源极连接参考地，所述第五nmos管的漏极连接所述第三pmos管的漏极，所述第五nmos管的源极连接参考地，所述第六nmos管的漏极连接所述第四pmos管的漏极及所述电源上升检测模块的第二输出端并作为所述电压比较模块的输出端，所述第六nmos管的源极连接参考地，所述第三pmos管的栅极与其漏极短接并连接所述第四pmos管的栅极，所述第三pmos管及所述第四pmos管的源极连接所述电源电压。

9、可选地，所述电压比较模块还包括第一反相器及第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第六nmos管的漏极，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端生成所述基准就绪信号。

10、可选地，所述电源上升检测模块包括第七nmos管、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管及第一电容，所述第七nmos管的栅极与其漏极短接，所述第七nmos管的漏极经由所述第一电容连接所述电源电压并连接所述第八nmos管的栅极、所述第九nmos管的漏极及所述第十nmos管的栅极，所述第七nmos管的源极连接参考地，所述第八nmos管的漏极作为所述电源上升检测模块的第一输出端，所述第八nmos管的源极连接参考地，所述第九nmos管的栅极连接控制信号，所述第九nmos管的源极连接参考地，所述第十nmos管的漏极作为所述电源上升检测模块的第二输出端，所述第十nmos管的源极连接参考地。

11、可选地，所述电源上升检测模块包括第三电阻、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管及第一电容，所述第三电阻的第一端经由所述第一电容连接所述电源电压并连接所述第八nmos管的栅极、所述第九nmos管的漏极及所述第十nmos管的栅极，所述第三电阻的第二端连接参考地，所述第八nmos管的漏极作为所述电源上升检测模块的第一输出端，所述第八nmos管的源极连接参考地，所述第九nmos管的栅极连接控制信号，所述第九nmos管的源极连接参考地，所述第十nmos管的漏极作为所述电源上升检测模块的第二输出端，所述第十nmos管的源极连接参考地。

12、可选地，所述基准就绪信号产生电路还包括迟滞提供模块，所述迟滞提供模块用于向所述电压比较模块提供迟滞量，使所述电压比较模块在所述中间电压小于所述基准电压与所述迟滞量之差时无效所述基准就绪信号。

13、可选地，所述迟滞提供模块包括第五pmos管及第十一nmos管，所述第五pmos管的栅极连接所述电压比较模块中用于接收所述基准电压的输入管的栅极，所述第五pmos管的源极连接所述输入管的源极，所述第五pmos管的漏极连接所述第十一nmos管的漏极，所述第十一nmos管的栅极连接所述基准就绪信号的反相信号，所述第十一nmos管的源极连接所述输入管的漏极。

14、本发明还提供一种电子电路系统，所述电子电路系统包括：

15、带隙基准电路及如上任意一项所述的基准就绪信号产生电路，所述带隙基准电路用于生成所述基准电压并提供给所述基准就绪信号产生电路。

16、如上所述，本发明的基准就绪信号产生电路及电子电路系统，通过比较电源电压的分压(即，中间电压)与带隙基准电路输出的基准电压来进行基准就绪判断，比较过程中，通过电源上升检测模块向电压比较模块引入失调量，能够完全消除电源电压上升期间基准就绪信号可能的误翻转，使得基准就绪信号具有高精度和高可靠性。本发明通过电源电压和基准电压进行基准就绪判断，这是所有带隙基准电路都具备的，不受具体电路结构的限制，且对带隙基准电路的失调不敏感，不引入或仅引入很小的额外功耗；另外，基准就绪信号的翻转点仅取决于电源分压模块的分压比和带隙基准电路输出的基准电压，与工艺、温度等无关。

技术特征：

1.一种基准就绪信号产生电路，其特征在于，所述基准就绪信号产生电路包括：

2.根据权利要求1所述的基准就绪信号产生电路，其特征在于，所述电源分压模块包括第一电阻及第二电阻，所述第一电阻的第一端连接所述电源电压，所述第一电阻的第二端经由所述第二电阻连接参考地并作为所述电源分压模块的输出端；或者，所述电源分压模块包括第一nmos管及第二nmos管，所述第一nmos管的栅极与其漏极短接，所述第一nmos管的漏极连接所述电源电压，所述第一nmos管的源极连接所述第二nmos管的漏极并作为所述电源分压模块的输出端，所述第二nmos管的栅极与其漏极短接，所述第二nmos管的源极连接参考地。

3.根据权利要求1所述的基准就绪信号产生电路，其特征在于，所述电压比较模块包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管及第一电流源，所述第一pmos管的栅极连接所述电源分压模块的输出端，所述第二pmos管的栅极连接所述基准电压，所述第一pmos管及所述第二pmos管的源极经由所述第一电流源连接所述电源电压，所述第一pmos管的漏极连接所述第三nmos管的漏极，所述第二pmos管的漏极连接所述第四nmos管的漏极，所述第三nmos管的栅极与其漏极短接并连接所述第五nmos管的栅极及所述电源上升检测模块的第一输出端，所述第三nmos管的源极连接参考地，所述第四nmos管的栅极与其漏极短接并连接所述第六nmos管的栅极，所述第四nmos管的源极连接参考地，所述第五nmos管的漏极连接所述第三pmos管的漏极，所述第五nmos管的源极连接参考地，所述第六nmos管的漏极连接所述第四pmos管的漏极及所述电源上升检测模块的第二输出端并作为所述电压比较模块的输出端，所述第六nmos管的源极连接参考地，所述第三pmos管的栅极与其漏极短接并连接所述第四pmos管的栅极，所述第三pmos管及所述第四pmos管的源极连接所述电源电压。

4.根据权利要求3所述的基准就绪信号产生电路，其特征在于，所述电压比较模块还包括第一反相器及第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第六nmos管的漏极，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端生成所述基准就绪信号。

5.根据权利要求1所述的基准就绪信号产生电路，其特征在于，所述电源上升检测模块包括第七nmos管、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管及第一电容，所述第七nmos管的栅极与其漏极短接，所述第七nmos管的漏极经由所述第一电容连接所述电源电压并连接所述第八nmos管的栅极、所述第九nmos管的漏极及所述第十nmos管的栅极，所述第七nmos管的源极连接参考地，所述第八nmos管的漏极作为所述电源上升检测模块的第一输出端，所述第八nmos管的源极连接参考地，所述第九nmos管的栅极连接控制信号，所述第九nmos管的源极连接参考地，所述第十nmos管的漏极作为所述电源上升检测模块的第二输出端，所述第十nmos管的源极连接参考地。

6.根据权利要求1所述的基准就绪信号产生电路，其特征在于，所述电源上升检测模块包括第三电阻、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管及第一电容，所述第三电阻的第一端经由所述第一电容连接所述电源电压并连接所述第八nmos管的栅极、所述第九nmos管的漏极及所述第十nmos管的栅极，所述第三电阻的第二端连接参考地，所述第八nmos管的漏极作为所述电源上升检测模块的第一输出端，所述第八nmos管的源极连接参考地，所述第九nmos管的栅极连接控制信号，所述第九nmos管的源极连接参考地，所述第十nmos管的漏极作为所述电源上升检测模块的第二输出端，所述第十nmos管的源极连接参考地。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的基准就绪信号产生电路，其特征在于，所述基准就绪信号产生电路还包括迟滞提供模块，所述迟滞提供模块用于向所述电压比较模块提供迟滞量，使所述电压比较模块在所述中间电压小于所述基准电压与所述迟滞量之差时无效所述基准就绪信号。

8.根据权利要求7所述的基准就绪信号产生电路，其特征在于，所述迟滞提供模块包括第五pmos管及第十一nmos管，所述第五pmos管的栅极连接所述电压比较模块中用于接收所述基准电压的输入管的栅极，所述第五pmos管的源极连接所述输入管的源极，所述第五pmos管的漏极连接所述第十一nmos管的漏极，所述第十一nmos管的栅极连接所述基准就绪信号的反相信号，所述第十一nmos管的源极连接所述输入管的漏极。

9.一种电子电路系统，其特征在于，所述电子电路系统包括：

技术总结
本发明提供一种基准就绪信号产生电路及电子电路系统，其中基准就绪信号产生电路包括：电源分压模块，用于对电源电压进行分压生成中间电压；电压比较模块，与电源分压模块相连，用于将中间电压与基准电压进行比较，并在中间电压大于基准电压与失调量之和时生成基准就绪信号；电源上升检测模块，与电压比较模块相连，用于在电源电压上升过程中向电压比较模块提供失调量。本发明提供的基准就绪信号产生电路及电子电路系统，能够提高基准就绪信号的精度和可靠性。

技术研发人员：郑心易,王颖,何沁,胡敏,王子怡
受保护的技术使用者：芯原微电子（上海）股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5