一种显示基板及其制作方法、显示装置与流程
本发明涉及显示，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术：
1、自发光显示面板是一种显示技术，能够在没有背光源的情况下自行发光。常见的自发光显示面板包括oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)、qled(quantum dot light emitting diodes，量子点发光二极管)等显示面板。自发光显示面板由于其自发光的特点，已经被越来越广泛的应用在手机、平板、电脑、电视，ar(增强现实)和vr(虚拟现实)等各种显示装置中。
2、自发光显示面板中设有发光元件，发光元件包括层叠设置的阳极、发光层和阴极。在相关技术中，为了实现更好显示效果，通过增设辅助阴极，与阴极进行搭接，但是存在着辅助阴极与阴极搭接不良的问题，影响显示产品品质。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，可以提升显示产品品质。
2、本公开实施例所提供的技术方案如下：
3、第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：
4、衬底，包括多个像素；
5、像素定义层，设于所述衬底之上并限定出与多个所述像素对应的多个像素开口；
6、隔离柱，位于所述像素定义层的远离所述衬底的一侧，且位于相邻所述像素开口之间，所述隔离柱包括沿背离所述衬底的方向依次堆叠的辅助阴极和绝缘图形，其中所述绝缘图形相对所述辅助阴极朝向所述像素开口突出，形成底切结构；
7、多个发光元件和封装层，所述发光元件设置在对应的所述像素开口中，所述发光元件包括沿背离所述衬底的方向依次堆叠的阳极、发光层和阴极，所述封装层覆盖在所述阴极的远离所述衬底的一侧，相邻所述像素的所述发光层、所述阴极和所述封装层被所述隔离柱隔开；其中，
8、至少部分所述像素中，所述像素定义层在背离所述衬底的一侧面上设有凹槽，所述凹槽与所述绝缘图形中相对所述辅助阴极突出的部分在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述凹槽远离所述衬底的一侧堆叠有膜层残留图形，所述发光层、所述阴极和所述封装层从所述像素开口向所述凹槽连续延伸，并堆叠在所述膜层残留图形与所述绝缘图形之间的空间中，所述阴极经过所述空间连接至所述辅助阴极。
9、示例性的，所述膜层残留图形包括至少一层子残留图形，所述子残留图形沿背离所述衬底的方向依次堆叠的残留发光层、残留阴极和残留封装层，至少部分所述像素中的所述残留发光层同层且同材质设置，至少部分所述像素中的所述残留阴极同层且同材质设置，至少部分所述像素中的所述残留阳极同层且同材质设置。
10、示例性的，多个像素包括第一像素和第二像素，所述膜层残留图形包括第一子残留图形；
11、所述第一子残留图形中的所述残留发光层、所述残留阴极和所述残留封装层分别与所述第一像素中的第一发光层、第一阴极和第一封装层同层且同材质设置；
12、在所述第二像素中，所述像素定义层在背离所述衬底的一侧面上设有所述凹槽，所述第二像素中的第二发光层、第二阴极和第二封装层从所述像素开口向所述凹槽连续延伸，并随形覆盖在所述第一子残留图形与所述像素定义层的远离所述衬底的一侧面上，所述第二阴极经由所述空间与所述辅助阴极接触连接。
13、示例性的，多个像素还包括第三像素，所述膜层残留图形还包括堆叠在所述第一子残留图形的远离所述衬底的一侧的第二子残留图形，所述第二子残留图形中的所述残留发光层、所述残留阴极和所述残留封装层分别与所述第二像素中的所述第二发光层、所述第二阴极和所述第二封装层同层且同材质设置；
14、在所述第三像素中，所述像素定义层在背离所述衬底的一侧面上设有所述凹槽，所述第三像素中的第三发光层、第三阴极和第三封装层从所述像素开口向所述凹槽连续延伸，并随形覆盖在所述第二子残留图形与所述像素定义层的远离所述衬底的一侧面上，所述第三阴极经由所述空间与所述辅助阴极接触连接。
15、示例性的，在所述第一像素中，所述像素定义层在背离所述衬底的一侧面上设有所述凹槽、或未设置有所述凹槽，且所述第一像素中的第一发光层、第一阴极和第一封装层从所述像素开口向所述辅助阴极延伸，并随形覆盖在所述像素定义层的背离所述衬底的一侧面上，所述第一阴极与所述辅助阴极接触连接。
16、示例性的，在从所述像素开口指向与所述辅助阴极的方向上，所述绝缘图形的靠近所述像素开口的一侧边缘为第一边缘，所述凹槽在靠近所述像素开口的一侧边缘为第二边缘，所述第二边缘与所述第一边缘齐平、或者所述第二边缘相对所述第一边缘向靠近所述辅助阴极的方向偏移预定距离。
17、示例性的，在所述像素定义层的远离所述衬底的一侧表面还包括中间隔离区，所述中间隔离区位于相邻两个所述像素中的凹槽之间，以将相邻两个所述像素中的所述凹槽隔开，所述辅助阴极与所述中间隔离区在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
18、示例性的，所述隔离柱具有与所述中间隔离区接触的底端，其中，所述底端与所述中间隔离区在所述衬底上的正投影完全重合；或者，所述底端与所述凹槽在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
19、示例性的，在从所述像素开口指向所述辅助阴极的方向上，所述凹槽的宽度为0.4～0.8微米。
20、示例性的，在从一个所述像素指向另一个所述像素的方向上，相邻两个所述像素中的所述凹槽彼此贯通，所述辅助阴极位于相邻两个所述像素中的所述凹槽贯通所形成的槽体中。
21、示例性的，在从一个所述像素指向另一个所述像素的方向上，相邻两个所述像素中的所述凹槽贯通所形成的槽体的宽度为12±0.5微米。
22、示例性的，在垂直所述衬底的方向上，所述凹槽的深度为0.1～0.9微米。
23、第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，其包括如上所述的显示基板。
24、第三方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括如下步骤：
25、提供衬底，所述衬底包括多个像素；
26、在所述衬底上形成像素定义层、隔离柱、多个发光元件和封装层，其中，
27、所述像素定义层上限定有多个像素开口，所述隔离柱位于所述像素定义层远离所述衬底的一侧、且位于相邻所述像素开口之间，所述隔离柱包括沿背离所述显示基板的方向依次堆叠的辅助阴极和绝缘图形，且所述绝缘图形相对所述辅助阴极朝向所述像素开口突出，形成底切结构；所述发光元件设置在对应的所述像素开口中，所述发光元件包括沿背离所述衬底的方向依次堆叠的阳极、发光层和阴极，所述封装层覆盖在所述阴极的远离所述衬底的一侧，相邻所述像素的所述发光层、所述阴极和所述封装层被所述隔离柱隔开；至少部分所述像素中，所述像素定义层在背离所述衬底的一侧面上设有凹槽，所述凹槽与所述绝缘图形中相对所述辅助阴极突出的部分在所述衬底上的正投影至少部分交叠，所述凹槽在远离衬底的一侧堆叠有膜层残留图形，所述发光层、所述阴极和所述封装层从所述像素开口向所述凹槽连续延伸，并堆叠在所述膜层残留图形与所述绝缘图形之间的空间中，所述阴极经过所述空间连接至所述辅助阴极。
28、示例性的，多个像素包括第一像素和第二像素时，所述方法中，所述在所述衬底上形成像素定义层、隔离柱、多个发光元件和封装层，具体包括：
29、在所述衬底上形成各所述发光元件的阳极的图案；
30、在所述衬底上形成整层的像素定义层，并对所述像素定义层进行图案化处理，形成所述像素开口和所述凹槽的图案，其中，至少在所述第二像素中设有所述凹槽；
31、在所述衬底上依次形成整面覆盖所述衬底的第一发光层、第一阴极层和第一封装层；
32、进行第一次构图工艺，以保留所述第一像素中的第一发光层、第一阴极和第一封装层，形成所述第一像素的发光元件，并去除包括第二像素在内的其他像素中的第一发光层、第一阴极层和第一封装层，其中所述第一发光层、所述第一阴极层和所述第一封装层残留于所述凹槽对应区域的部分形成第一子残留图形；
33、在所述衬底上依次形成整面覆盖所述衬底的第二发光层、第二阴极层和第二封装层；
34、进行第二次构图工艺，以保留所述第二像素中的第二发光层、第二阴极层和第二封装层，形成所述第二像素的发光元件，并去除包括第一像素在内的其他像素中的第二发光层、第二阴极层和第二封装层，其中所述第二像素中的第二发光层、第二阴极和第二封装层从所述像素开口向所述凹槽连续延伸，并随形覆盖在所述第一子残留图形与所述像素定义层的远离所述衬底的一侧面上，所述第二阴极经由所述空间与所述辅助阴极接触连接；
35、其中，多个像素还包括第三像素时，在进行第二次构图工艺时，除所述第一像素和所述第二像素之外的其他像素中，所述第二发光层、所述第二阴极层和所述第二封装层残留于所述凹槽对应区域的部分形成第二子残留图形；
36、在所述进行第二次构图工艺之后，所述方法还包括：
37、在所述衬底上依次形成整面覆盖所述衬底的第三发光层、第三阴极层和第三封装层；
38、进行第三次构图工艺，以保留所述第三像素中的第三发光层、第三阴极层和第三封装层，形成所述第三像素的发光元件，并去除包括第三像素在内的其他像素中的第三发光层、第三阴极层和第三封装层，其中所述第三像素中的第三发光层、第三阴极和第三封装层从所述像素开口向所述凹槽连续延伸，并随形覆盖在所述第二子残留图形与所述像素定义层的远离所述衬底的一侧面上，所述第三阴极经由所述空间与所述辅助阴极接触连接。
39、本公开实施例所带来的有益效果如下：
40、上述方案中，通过在像素定义层远离衬底的一侧设置隔离柱，且将隔离柱布置在相邻像素开口之间，通过隔离柱的设置，可以将相邻像素中的发光元件的发光层、阴极和封装层隔开，相邻像素中的阴极可通过隔离柱中的辅助阴极连接一起；在至少部分像素中，像素定义层背离衬底的一侧面上设置凹槽，且所述凹槽被构造为与所述绝缘图形中相对所述辅助阴极突出的部分在所述衬底上的正投影至少部分交叠，换言之，所述凹槽位于所述绝缘图形的下方，如此，在通过多次构图工艺形成不同像素中的发光元件和封装层时，由于所述绝缘图形遮挡而产生的膜层残留图形会堆叠在所述凹槽中，相较于相关技术中像素定义层未设置凹槽的方案来说，可以减少这些膜层残留图形相对于像素定义层的凸出高度，使得膜层残留图形与绝缘图形之间的空间增大，在像素中形成阴极图案时，阴极则可经过膜层残留图形与绝缘图形之间的空间延伸至辅助阴极，以顺利与辅助阴极接触连接，进而增加阴极和辅助阴极之间的搭接概率，改善阴极与辅助阴极搭接不良的问题，提升产品品质。
技术特征：
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述膜层残留图形包括至少一层子残留图形，所述子残留图形沿背离所述衬底的方向依次堆叠的残留发光层、残留阴极和残留封装层，至少部分所述像素中的所述残留发光层同层且同材质设置，至少部分所述像素中的所述残留阴极同层且同材质设置，至少部分所述像素中的所述残留阳极同层且同材质设置。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，多个像素包括第一像素和第二像素，所述膜层残留图形包括第一子残留图形；
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，多个像素还包括第三像素，所述膜层残留图形还包括堆叠在所述第一子残留图形的远离所述衬底的一侧的第二子残留图形，所述第二子残留图形中的所述残留发光层、所述残留阴极和所述残留封装层分别与所述第二像素中的所述第二发光层、所述第二阴极和所述第二封装层同层且同材质设置；
5.根据权利要求3或4任一项所述的显示基板，其特征在于，在所述第一像素中，所述像素定义层在背离所述衬底的一侧面上设有所述凹槽、或未设置有所述凹槽，且所述第一像素中的第一发光层、第一阴极和第一封装层从所述像素开口向所述辅助阴极延伸，并随形覆盖在所述像素定义层的背离所述衬底的一侧面上，所述第一阴极与所述辅助阴极接触连接。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在从所述像素开口指向与所述辅助阴极的方向上，所述绝缘图形的靠近所述像素开口的一侧边缘为第一边缘，所述凹槽在靠近所述像素开口的一侧边缘为第二边缘，所述第二边缘与所述第一边缘齐平、或者所述第二边缘相对所述第一边缘向靠近所述辅助阴极的方向偏移预定距离。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述像素定义层的远离所述衬底的一侧表面还包括中间隔离区，所述中间隔离区位于相邻两个所述像素中的凹槽之间，以将相邻两个所述像素中的所述凹槽隔开，所述辅助阴极与所述中间隔离区在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述隔离柱具有与所述中间隔离区接触的底端，其中，所述底端与所述中间隔离区在所述衬底上的正投影完全重合；或者，所述底端与所述凹槽在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，在从所述像素开口指向所述辅助阴极的方向上，所述凹槽的宽度为0.4～0.8微米。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在从一个所述像素指向另一个所述像素的方向上，相邻两个所述像素中的所述凹槽彼此贯通，所述辅助阴极位于相邻两个所述像素中的所述凹槽贯通所形成的槽体中。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，在从一个所述像素指向另一个所述像素的方向上，相邻两个所述像素中的所述凹槽贯通所形成的槽体的宽度为12±0.5微米。
12.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直所述衬底的方向上，所述凹槽的深度为0.1～0.9微米。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至12任一项所述的显示基板。
14.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
15.根据权利要求14所述的显示基板的制作方法，其特征在于，多个像素包括第一像素和第二像素时，所述方法中，所述在所述衬底上形成像素定义层、隔离柱、多个发光元件和封装层，具体包括：
技术总结
本公开提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，该基板包括：衬底；像素定义层，限定出多个像素开口；隔离柱，包括辅助阴极和绝缘图形，绝缘图形相对辅助阴极突出，形成底切结构；发光元件和封装层，封装层覆盖在发光元件的远离衬底的一侧，相邻像素的发光元件中的发光层、阴极和封装层被隔离柱隔开；至少部分像素中，像素定义层背离衬底的一侧面设有凹槽，凹槽与绝缘图形中相对辅助阴极突出的部分在衬底上的正投影至少部分交叠，凹槽远离衬底的一侧堆叠膜层残留图形，发光层、阴极和封装层从像素开口向凹槽连续延伸，堆叠在膜层残留图形与绝缘图形之间，阴极连接辅助阴极。本公开提供的显示基板及其制作方法、显示装置可提升产品品质。
技术研发人员：胡春静,张永峰,李国腾,孙孟娜
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5