用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制备方法与流程

本发明属于近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材，具体涉及一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制备方法。

背景技术：

1、近红外光屏蔽薄膜是一种能透过可见光同时屏蔽近红外光的薄膜,其在节能环保方面得到了广泛地应用,例如作为建筑物和汽车的玻璃涂层.近红外光屏蔽薄膜的发展关键是制备性能优异的近红外光屏蔽材料。

2、而在用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材方面，正如专利公开号为“cn117819967a”的现有技术方案所提及的，制备了一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材，然而从实际应用来看，用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材远不如氟掺杂纳米二氧化钛靶材的成膜后可见光透过率和近红外阻隔率高，而另一方面，氟掺杂纳米二氧化钛靶材的成膜后可见光透过率普遍低于90％和近红外阻隔率普遍低于43％，无法满足越来越高标准的近红外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求。

3、另一方面，现有的制作氟掺杂纳米二氧化钛靶材的工艺普遍还是如专利公开号为“cn104557021a”的工艺制作而成(仅仅把其内的原料二氧化钛粉体换成了氟掺杂二氧化钛纳米粉末)，这样取得的氟掺杂纳米二氧化钛靶材的热导率普遍低于5.00w/(m·k)且拉伸强度普遍低于342.00mpa，由此制得的氟掺杂纳米二氧化钛靶材性能不佳。

技术实现思路

1、为解决现有技术中具有的不足，本发明提出一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制备方法，在氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进二硫化钼添加剂，把氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂搅拌匀和，让氟掺杂二氧化钛纳米粉体上均衡覆盖着二硫化钼添加剂，接着在均衡覆盖着二硫化钼添加剂的氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进聚乙烯添加剂且搅拌匀和，以此取得初级产品；把初级产品填满模具，接着把该模具送入压力机内压制为胚体，随后结合其他步骤让本发明取得的陶瓷靶材成膜后可见光透过率高于92％和近红外阻隔率高于51％，可满足越来越高标准的近红外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求，本发明取得的陶瓷靶材热导率高于6.20w/(m·k)且拉伸强度高于358.00mpa，由此制得的氟掺杂纳米二氧化钛靶材性能佳。

2、本发明运用如下的技术方案。

3、一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，包括如下步骤：

4、s1：在氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进二硫化钼添加剂，把氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂搅拌匀和，让氟掺杂二氧化钛纳米粉体上均衡覆盖着二硫化钼添加剂，接着在均衡覆盖着二硫化钼添加剂的氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进聚乙烯添加剂且搅拌匀和，以此取得初级产品；

5、s2：把初级产品填满模具，接着把该模具送入压力机内压制为胚体，随后在惰性气体保护气氛下对胚体升温至350℃～420℃来去除聚乙烯添加剂；

6、s3：把去除聚乙烯添加剂后的胚体送进煅烧炉内执行煅烧；

7、s4：把煅烧后的胚体执行抛光，抛光后的胚体就是用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材。

8、优选地，氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂的重量比为1：

9、(0.005～0.03)。

10、优选地，氟掺杂二氧化钛纳米粉体和聚乙烯添加剂的重量比为1：

11、(0.06～0.08)。

12、优选地，把该模具送入压力机内压制为胚体期间：压力机的工作压力为24mp～32mp，压力机的压制用时为0.5min～1.5min。

13、优选地，把去除聚乙烯添加剂后的胚体送进煅烧炉内执行煅烧的方法包括：

14、煅烧炉首先在正压为26mp～30mp且煅烧温度为420℃～480℃状态下，对去除聚乙烯添加剂后的胚体执行煅烧1.5h～1.7h；

15、煅烧炉接着在负压为-12mp～-16mp且煅烧温度为1320℃～1460℃状态下，对去除聚乙烯添加剂后的胚体执行煅烧2.4h～2.8h后冷却至常温。

16、一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材，包括：

17、根据所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法制备而得的陶瓷靶材。

18、一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法所用的装置，包括：

19、矩形承载体、稳定部、置物板与压力机的压头部；

20、稳定部装配在承载体一头上，置物板设于稳定部顶部当中处；压头部装配在承载体的另一头，压头部的顶部一边处在稳定部之上且正对着稳定部，用于压制搁置在置物板上的模具。

21、优选地，压力机的压头部包含设于压力机的机架上的压头。

22、优选地，稳定部包含底部装配片、套筒、顶部装配片、运动部、限位部与稳定条；

23、底部装配片装配在承载体之上，套筒装配在底部装配片之上；顶部装配片设于套筒之上；多个运动部装配在底部装配片之上，且处在套筒中；各个运动部都有另一个运动部同其相对于套筒的中线彼此镜像而设；各个运动部的顶部都透设出顶部装配片，且各个运动部的顶部都处在置物板之上的更高点；多个限位部设于各个运动部的顶部；稳定条固连在底部装配片上，稳定条与置物板间经由涨紧丝杠相连。

24、优选地，顶部装配片上等距的开有多个条状口一，各个条状口一都处在一运动部之上且正对着该运动部，各个运动部的顶部都透设出其正对的一条状口一。

25、本发明的有益效果在于，与现有技术相比，本发明目的在于在氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进二硫化钼添加剂，把氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂搅拌匀和，让氟掺杂二氧化钛纳米粉体上均衡覆盖着二硫化钼添加剂，接着在均衡覆盖着二硫化钼添加剂的氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进聚乙烯添加剂且搅拌匀和，以此取得初级产品；把初级产品填满模具，接着把该模具送入压力机内压制为胚体，随后在惰性气体保护气氛下对胚体升温至350℃～420℃来去除聚乙烯添加剂；把去除聚乙烯添加剂后的胚体送进煅烧炉内执行煅烧；把煅烧后的胚体执行抛光，抛光后的胚体就是用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材；本发明取得的陶瓷靶材成膜后可见光透过率高于92％和近红外阻隔率高于51％，无法满足越来越高标准的近红外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求，本发明取得的陶瓷靶材热导率高于6.20w/(m·k)且拉伸强度高于358.00mpa，由此制得的氟掺杂纳米二氧化钛靶材性能佳。

技术特征：

1.一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂的重量比为1：

3.根据权利要求2所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，氟掺杂二氧化钛纳米粉体和聚乙烯添加剂的重量比为1：

4.根据权利要求3所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，把该模具送入压力机内压制为胚体期间：压力机的工作压力为24mp～32mp，压力机的压制用时为0.5min～1.5min。

5.根据权利要求4所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法，其特征在于，把去除聚乙烯添加剂后的胚体送进煅烧炉内执行煅烧的方法包括：

6.一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材，其特征在于，包括：

7.一种如权利要求1到权利要求5中任意一项中所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法所用的装置，包括：

8.根据权利要求7所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法所用的装置，其特征在于，压力机的压头部包含设于压力机的机架上的压头。

9.根据权利要求8所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法所用的装置，其特征在于，稳定部包含底部装配片、套筒、顶部装配片、运动部、限位部与稳定条；

10.根据权利要求9所述的用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材的制备方法所用的装置，其特征在于，顶部装配片上等距的开有多个条状口一，各个条状口一都处在一运动部之上且正对着该运动部，各个运动部的顶部都透设出其正对的一条状口一。

技术总结
一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的陶瓷靶材及其制备方法，在氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进二硫化钼添加剂，把氟掺杂二氧化钛纳米粉体和二硫化钼添加剂搅拌匀和，让氟掺杂二氧化钛纳米粉体上均衡覆盖着二硫化钼添加剂，接着在均衡覆盖着二硫化钼添加剂的氟掺杂二氧化钛纳米粉体内添进聚乙烯添加剂且搅拌匀和，以此取得初级产品；把初级产品填满模具，接着把该模具送入压力机内压制为胚体，随后结合其他步骤让本发明取得的陶瓷靶材成膜后可见光透过率高于92％和近红外阻隔率高于51％，可满足越来越高标准的近红外光屏蔽薄膜所需的陶瓷靶材的要求，本发明取得的陶瓷靶材热导率高于6.20W/(m·K)且拉伸强度高于358.00MPa，由此制得的氟掺杂纳米二氧化钛靶材性能佳。

技术研发人员：刘洪强,孔伟华,刘秉宁
受保护的技术使用者：江苏东玖光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5