一种基于数据分析的液温校准判定方法、装置及电子设备与流程

本申请涉及光伏和半导体单晶拉制，特别是涉及一种基于数据分析的液温校准判定方法、装置及电子设备。

背景技术：

1、在光伏和半导体领域中，直拉单晶硅是一种制备半导体材料的方法，通过将硅料熔化成液态，然后从液态硅中直拉出单一晶体棒的过程。对于直拉单晶硅的过程中，液态硅料的温度是其中的一个重要指标。将原始的多晶硅料从固态熔化为液态的温度较高，即温度需要达到多晶硅料的熔点，而在单晶硅生长是需要经温度降低到单晶硅的结晶点，液态料才能结晶为固态的单晶硅，但是由于单晶炉的炉体多次使用，各个炉体的保温性或炉体内部产生长时间的缓慢化学反应，温度分布会产生参次不齐的变化，对液态硅料温度（简称液温）的测量会产生影响，进而影响到对单晶硅结晶点的液态硅料温度的判定。

2、目前，主要是根据具有一定经验的工作人员基于引晶过程中的状态来确定是否需要进行液态硅料温度的校准，但是由于每个人经验不同，容易造成液态硅料温度校准不及时、不准确，对生产成本、效率等造成一定影响。

技术实现思路

1、针对于上述问题，本申请提供一种基于数据分析的液温校准判定方法、装置及电子设备，解决了人工对液温校准不准确、不确定性的问题。

2、为了实现上述目的，本申请提供了如下技术方案：

3、一种基于数据分析的液温校准判定方法，包括：

4、当制备单晶硅工艺进入放肩工序时，检测获得引晶开始液温的第一温度参数、引晶结束液温的第二温度参数、引晶平均拉速以及引晶后期平均拉速，所述液温表征液态硅料温度；

5、根据所述第一温度参数和所述第二温度参数，确定与液温对应的目标温度组；

6、若所述引晶平均拉速和所述引晶后期平均拉速均不在所述目标温度组对应的引晶拉速有效区间，执行对所述液温的温度校准流程。

7、可选地，所述根据所述第一温度参数和所述第二温度参数，确定与液温对应的目标温度组，包括：

8、根据所述第一温度参数以及引晶开始液温的第一温度范围，确定第一温度集合，所述第一温度集合中包括若干个温度组，每一温度组对应的引晶结束液温的温度范围不同；

9、根据所述第二温度参数，在所述第一温度集合中确定目标温度组。

10、可选地，所述执行对所述液温的温度校准流程，包括：

11、计算当前液温与标准液温的温度差；

12、基于所述温度差，校准引晶结束液温。

13、可选地，所述方法还包括：

14、获得制备单晶硅工艺中的目标数据集合，所述目标数据集合中包括若干条历史数据，每一条历史数据表征从引晶开始到引晶结束的引晶过程数据；

15、基于每一条历史数据中对应的引晶开始液温和引晶结束液温，确定至少一个目标温度组；

16、基于每一条历史数据中的引晶平均拉速和引晶后期平均拉速，确定与每一目标温度组对应的引晶拉速有效区间。

17、可选地，所述获得制备单晶硅工艺中的目标数据集合，包括:

18、获得制备单晶硅工艺中至少一条历史引晶过程数据；

19、基于目标筛选条件对各个所述历史引晶过程数据进行筛选，得到筛选后的引晶过程数据；

20、根据筛选后的引晶过程数据，确定目标数据集合；

21、其中，所述目标筛选条件至少包括下列之一：

22、删除等径阶段失败对应的引晶过程数据；

23、删除引晶过程中单晶炉炉体主功率发生改变的引晶过程数据；

24、删除引晶过程中出现反温状态的引晶过程数据。

25、可选地，所述基于每一条历史数据中的引晶平均拉速和引晶后期平均拉速，确定与每一目标温度组对应的引晶拉速有效区间，包括：

26、基于每一目标温度组对应的历史数据的引晶平均拉速和引晶后期平均拉速的平均拉速范围，将所述目标温度组对应的历史数据划分为若干个区间，其中，每一区间的平均拉速范围不同；

27、根据每一区间中包括的历史数据条数的第一数量在所述目标温度组对应的历史数据条数总数量的占比，确定每一区间的数据占比量；

28、基于所述每一区间的数据占比量，确定与所述目标温度组对应的引晶拉速有效区间。

29、可选地，所述基于所述每一区间的数据占比量，确定与所述目标温度组对应的引晶拉速有效区间，包括：

30、基于所述目标温度组对应的每一区间的数据占比量，确定第一区间，所述第一区间表征在各个区间中数据占比量最大的区间；

31、若第二区间的数据占比量大于第三区间的数据占比量，将所述第一区间和所述第二区间合并为有效区间；其中，所述第二区间和所述第三区间为所述第一区间的相邻区间。

32、可选地，所述方法还包括：

33、在引晶结束时基于引晶结束时刻向前检索，记录引晶长度为目标长度时对应的目标时间点；

34、将所述目标时间点至引晶结束时刻的时长，确定为引晶后期；

35、基于所述引晶后期的时长以及与所述引晶后期对应的引晶长度，确定引晶后期平均拉速。

36、一种基于数据分析的液温校准判定装置，包括：

37、检测单元，用于当制备单晶硅工艺进入放肩工序时，检测获得引晶开始液温的第一温度参数、引晶结束液温的第二温度参数、引晶平均拉速以及引晶后期平均拉速，所述液温表征液态硅料温度；

38、确定单元，用于根据所述第一温度参数和所述第二温度参数，确定与液温对应的目标温度组；

39、执行单元，用于若所述引晶平均拉速和所述引晶后期平均拉速均不在所述目标温度组对应的引晶拉速有效区间，执行对所述液温的温度校准流程。

40、一种电子设备，包括：

41、存储器，用于存储程序；

42、处理器，用于执行所述程序，所述程序具体用于实现如上述中任一项所述的基于数据分析的液温校准判定方法。

43、相较于现有技术，本申请提供了一种基于数据分析的液温校准判定方法、装置及电子设备，该方法包括：当制备单晶硅工艺进入放肩工序时，检测获得引晶开始液温的第一温度参数、引晶结束液温的第二温度参数、引晶平均拉速以及引晶后期平均拉速；根据第一温度参数和第二温度参数，确定与液温对应的目标温度组；若引晶平均拉速和引晶后期平均拉速均不在目标温度组对应的引晶拉速有效区间，执行对液温的温度校准流程。其中，液温表征液态硅料温度，本申请基于能够反映引晶过程的有效特征进行分类和统计，确定出用于判断是否需要进行液温校准的有效区间，将当前检测获得的数据与该有效区间的特征进行比对，能够自动确定出是否需要进行液温校准，解决了人工对液温校准不准确、不确定性、效率低的问题。

技术特征：

1.一种基于数据分析的液温校准判定方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一温度参数和所述第二温度参数，确定与液温对应的目标温度组，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行对所述液温的温度校准流程，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获得制备单晶硅工艺中的目标数据集合，包括:

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于每一条历史数据中的引晶平均拉速和引晶后期平均拉速，确定与每一目标温度组对应的引晶拉速有效区间，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于所述每一区间的数据占比量，确定与所述目标温度组对应的引晶拉速有效区间，包括：

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

9.一种基于数据分析的液温校准判定装置，其特征在于，包括：

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

技术总结
本申请公开了一种基于数据分析的液温校准判定方法、装置及电子设备，涉及光伏和半导体单晶拉制技术领域，该方法包括：当制备单晶硅工艺进入放肩工序时，检测获得引晶开始液温的第一温度参数、引晶结束液温的第二温度参数、引晶平均拉速以及引晶后期平均拉速；根据第一温度参数和第二温度参数，确定与液温对应的目标温度组；若引晶平均拉速和引晶后期平均拉速均不在目标温度组对应的引晶拉速有效区间，执行对液温的温度校准流程。本申请基于预先确定出的用于判断是否需要进行液温的有效区间，将当前检测获得的数据与该有效区间的特征进行比对，能够自动确定出是否需要进行液温校准，解决了人工对液温校准不准确、效率低的问题。

技术研发人员：段继超,张学森,赵杰,郑庆红
受保护的技术使用者：保定景欣电气有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5