半导体装置的制作方法

本申请说明书所公开的技术涉及电力用的半导体技术。

背景技术：

1、以往的功率器件模块具有p电极、n电极和ac电极。各个电极设置于功率器件模块的框体的外侧的第1侧面或与第1侧面相反侧的侧面即第2侧面。

2、在并联连接地使用多个功率器件模块时，通过将并联连接的功率器件模块之间的ac电极彼此间以及n电极彼此间接线，从而能够抑制振荡现象。

3、通常，在并联连接地使用多个功率器件模块的情况下，与第3侧面以及第4侧面相对地排列其它功率器件模块，该第3侧面是与上述的第1侧面、第2侧面分别垂直的侧面，该第4侧面是与第3侧面相反侧的侧面。

4、因此，通过在相对的第3侧面以及第4侧面设置ac电极或n电极，从而并联连接的功率器件模块之间的ac电极彼此间或n电极彼此间的接线变得容易。

5、例如，如专利文献1所例示的那样，将在与设置有p电极、n电极的侧面垂直的侧面设置有ac电极、n电极的功率器件模块以使设置有ac电极、n电极的侧面相对的方式排列。于是，能够使相邻的功率器件模块的ac电极之间、n电极之间容易接线，能够抑制振荡现象。

6、专利文献1：日本特开2019-169609号公报

技术实现思路

1、在专利文献1所示的构造中，在功率器件模块的密封树脂内，电极彼此在俯视观察时重叠地进行配线。在俯视观察时重叠地进行了配线的电极彼此为了确保绝缘性而需要彼此远离。于是，存在装置的尺寸增大的问题。

2、本申请说明书所公开的技术就是鉴于以上记载的问题而提出的，是用于使并联连接地使用时的接线变得容易、并且抑制装置的尺寸增大的技术。

3、作为本申请说明书所公开的技术的第1方式的半导体装置具有：基板；至少1个半导体元件，其设置于所述基板的上表面；p电极，其与所述半导体元件电连接，并且设置为在俯视观察时从所述基板的第1侧面延伸至外侧；ac电极，其与所述半导体元件电连接，并且设置为在俯视观察时从与所述第1侧面相反侧的第2侧面延伸至外侧；第1连接电极，其与所述半导体元件以及所述ac电极电连接，并且设置为在俯视观察时从与所述第1侧面交叉的第3侧面以及与所述第3侧面相反侧的第4侧面之中的至少一者延伸至外侧；以及第2连接电极，其与所述半导体元件电连接，并且设置为在俯视观察时从所述第3侧面以及所述第4侧面之中的至少一者延伸至外侧，在所述基板的上方，所述第1连接电极在俯视观察时与所述p电极以及所述ac电极均不重叠，在所述基板的上方，所述第2连接电极在俯视观察时与所述p电极以及所述ac电极均不重叠。

4、发明的效果

5、根据本申请说明书所公开的技术的至少第1方式，通过在与设置p电极以及ac电极的侧面交叉的侧面设置连接电极，从而能够在并联连接地使用该结构时抑制振荡，并且使所要进行的接线变得容易。另外，设置为在基板的上方连接电极在俯视观察时与p电极以及ac电极均不重叠，因此能够实现装置的小型化。

6、另外，与本申请说明书所公开的技术相关的目的、特征、方案以及优点将通过以下所示的详细说明和附图而变得更加清楚。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求3至7中任1项所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求3至7中任1项所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1至9中任1项所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

12.根据权利要求1至11中任1项所述的半导体装置，其中，

13.根据权利要求1至12中任1项所述的半导体装置，其中，

技术总结
抑制装置的尺寸的增大。半导体装置具有：P电极，其设置为从基板的第1侧面延伸至外侧；AC电极，其设置为从与第1侧面相反侧的第2侧面延伸至外侧；以及第1、第2连接电极，它们设置为从与第1侧面交叉的第3侧面以及与第3侧面相反侧的第4侧面之中的至少一者延伸至外侧，在基板的上方，第1连接电极与P电极以及AC电极均不重叠，在基板的上方，第2连接电极与P电极以及AC电极均不重叠。

技术研发人员：村井亮司,河面英夫,吉松直树
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/12/5