一种大电流并管IGBT驱动装置的制作方法

一种大电流并管igbt驱动装置
技术领域
1.本发明涉及igbt应用领域，具体涉及一种大电流并管igbt驱动装置。


背景技术：

2.igbt作为一种功率半导体，由于具有较低的功耗，较高的开关频率和较大的电流容量，特别是在大功率变换器中正在得到越来越广泛的应用。
3.但是对于其驱动电路的要求也将会越来越高，主要的技术发展方向体现在以下几方面：（1）更高的集成度：未来的驱动器会采用体积更小、更容易集成化的隔离器件，igbt和其驱动电路集成在同一个模块内部是一种趋势，用户只需要将控制信号直接引入功率模块就可以实现对igbt的控制；（2）更低的成本：当前驱动器一般都是采用光耦或变压器来实现隔离，光耦的优点是体积小，价格便宜，但存在隔离电压比较低、容易老化和延迟较大；变压器隔离的隔离电压较高，延迟较小，但体积较大；大电压，低成本，小体积是将来igbt驱动发展方向；（3）更大的驱动功率：单个igbt模块的容量有限，为增加容量，通常采用并联的方式工作，对驱动器的驱动功率也提出了更高的要求，驱动器的最大输出电流必须相应地增加，特别是在多个模块并联应用时，驱动器平均输出功率要求达到5w以上；（4）更高的开关频率：为了适应igbt的开关频率不断增加，对于驱动器来讲，意味着必须提供更大的驱动功率，而且还要驱动器具有更短的驱动脉冲延迟时间和上升、下降时间，提供更大的瞬时最大驱动电流等；（5）更完备的功能：有源门极驱动技术可以有效地控制igbt开关造成的较高的di/dt，dv/dt，相应地可以使igbt工作在更加安全的工作区，减小其开关过程中产生的emi，相应地减小igbt的缓冲吸收电路。另外，为了满足串、并联igbt应用的需要，驱动器还必须具备动态均压和均流功能。因此，以上问题亟需解决。


技术实现要素：

4.本发明要解决的技术问题是提供一种大电流并管igbt驱动装置，相比其他并管驱动，环境适应性更强，且通过采用多重安全设计，使得本驱动装置更可靠。
5.为解决上述技术问题，本发明采取如下技术方案：本发明的一种大电流并管igbt驱动装置，其创新点在于：包括pwm互锁电路、故障反馈电路、延时复位电路和pwm控制模块；mcu分别与所述pwm互锁电路、故障反馈电路以及延时复位电路电性连接，且所述pwm控制模块分别与所述pwm互锁电路以及igbt模块电性连接，并通过pwm控制模块和pwm互锁电路来确保并管igbt正常稳定工作；所述延时复位电路与所述pwm控制模块电性连接，且igbt模块与所述故障反馈电路电性连接，通过延时复位电路和故障反馈电路来确保并管igbt工作异常状态下及时停止igbt工作，并将故障正常上报。
6.优选的，所述pwm控制模块包含hcj316芯片u1；所述hcj316芯片u1的引脚2、引脚8分别接地；所述hcj316芯片u1的引脚3连接+5vdc；所述hcj316芯片u1的引脚9、引脚10分别连接vcc以及电容c3、电容c4、电容c6的一端；所述hcj316芯片u1的引脚11连接电阻r7的一端，且电阻r7的另一端分别连接电容c4的另一端、三极管q11的基极以及三极管q12的基极；
所述hcj316芯片u1的引脚12、引脚13分别连接电容c5的一端、电容c6的另一端以及vcc；电容c3的另一端连接稳压二极管d1的正极，且所述hcj316芯片u1的引脚14分别连接稳压二极管d1的负极、电容c7的一端以及电阻r8的一端，电阻r8的另一端连接desat1；所述hcj316芯片u1的引脚16分别连接ve1、gnd1、稳压二极管d1的正极以及电容c5、电容c7的另一端；三极管q11的集电极以及三极管q12的集电极分别连接vcc；三极管q11的发射极以及三极管q12的发射极分别连接电阻r28、电阻r30、电阻r32、电阻r34的一端，电阻r28的另一端连接电阻r29的一端，电阻r30的另一端连接电阻r31的一端，电阻r29、电阻r31的另一端分别连接二极管d16的正极、二极管d17的负极、稳压二极管d6的负极、电阻r9、电阻r10的一端、电容c8的一端以及mos管q3的栅极；二极管d16的负极连接vcc；稳压二极管d6的正极连接稳压二极管d7的正极，电阻r9的另一端连接发光二极管led1的正极，稳压二极管d7的负极、发光二极管led1的负极、电容c8的另一端、电阻r10的另一端以及mos管q3的源极分别连接gnd1；二极管d17的正极连接稳压二极管d5的正极，稳压二极管d5的负极连接稳压二极管d4的正极，稳压二极管d4的负极连接稳压二极管d3的正极，稳压二极管d3的负极连接稳压二极管d2的正极；稳压二极管d2的负极、二极管d15的负极以及mos管q3的漏极分别连接350v-400v；二极管d15的正极连接二极管d14的负极，二极管d14的正极连接desat1_1；电阻r32的另一端连接电阻r33的一端，电阻r34的另一端连接电阻r35的一端，电阻r33、电阻r35的另一端分别连接二极管d20的正极、二极管d21的负极、稳压二极管d9的负极、电阻r11、电阻r12的一端、电容c9的一端以及mos管q4的栅极；二极管d20的负极连接vcc；稳压二极管d9的正极连接稳压二极管d8的正极，电阻r11的另一端连接发光二极管led2的正极，稳压二极管d8的负极、发光二极管led2的负极、电容c9的另一端、电阻r12的另一端以及mos管q4的源极分别连接gnd1；二极管d21的正极连接稳压二极管d13的正极，稳压二极管d13的负极连接稳压二极管d12的正极，稳压二极管d12的负极连接稳压二极管d11的正极，稳压二极管d11的负极连接稳压二极管d10的正极；稳压二极管d10的负极、二极管d19的负极以及mos管q4的漏极分别连接350v-400v；二极管d19的正极连接二极管d18的负极，二极管d18的正极连接desat1_2。
7.优选的，所述pwm互锁电路包含mos管q1和mos管q2；epwm_a连接电阻r1的一端，电阻r1的另一端分别连接电阻r2、r3的一端、电容c1的一端以及mos管q2的栅极，电阻r2的另一端、电容c1的另一端分别接地；epwm_b连接电阻r4的一端，电阻r4的另一端分别连接电阻r5、r6的一端、电容c2的一端以及mos管q1的栅极，电阻r5的另一端、电容c2的另一端分别接地；mos管q2的源极以及mos管q1的源极分别接地；电阻r3的另一端、mos管q1的漏极、电阻r6的另一端以及mos管q2的漏极分别连接至所述hcj316芯片u1的引脚1。
8.优选的，所述延时复位电路包含mos管q5、mos管q6和发光二极管led3；发光二极管led3的正极分别连接mos管q5的栅极以及电阻r19的一端，电阻r19的另一端、mos管q5的漏极以及电阻r20的一端分别连接+5vdc；电阻r20的另一端以及mos管q6的漏极分别连接至所述hcj316芯片u1的引脚5；mos管q5的源极连接电阻r22的一端，电阻r22的另一端分别连接电容c10的一端、电阻r21的一端以及mos管q6的栅极；电容c10的另一端、电阻r21的另一端以及mos管q6的源极分别接地；电容c11的一端连接至所述hcj316芯片u1的引脚6，电容c11的另一端接地。
9.优选的，所述故障反馈电路包含故障反馈电路前端和故障反馈电路后端，且所述故障反馈电路前端包含mos管q9和mos管q10；fault信号分别连接电阻r23的一端以及mos管
q9的漏极，电阻r23的另一端以及电阻r24的一端分别连接dp15v；mos管q9的栅极分别连接电阻r27的一端、电阻r24的另一端以及mos管q10的漏极；mos管q10的栅极分别连接电阻r25、电阻r26的一端以及电容c13的一端，电阻r25的另一端以及电容c12的一端分别连接+5vdc，电容c12的另一端接地；mos管q9的源极、mos管q10的源极、电容c13的另一端以及电阻r27、电阻r26的另一端分别接地；mos管q9的源极、mos管q10的源极分别连接发光二极管led3的负极以及电容c11的一端。
10.优选的，所述故障反馈电路后端包含mos管q7和mos管q8；mos管q7的漏极、mos管q8的漏极分别连接desat1；desat1_1分别连接二极管d22的负极以及二极管d24的负极；desat1_2分别连接二极管d23的负极以及二极管d25的负极；二极管d22的正极连接mos管q7的源极，mos管q7的栅极分别连接二极管d23的正极以及电阻r13、电阻r14的一端；二极管d25的正极连接mos管q8的源极，mos管q8的栅极分别连接二极管d24的正极以及电阻r17、电阻r18的一端；电阻r13、电阻r18的另一端分别连接+16.7v_1；电阻r14的另一端连接电阻r15的一端，电阻r17的另一端连接电阻r16的一端，电阻r15、电阻r16的另一端连接ve1。
11.本发明的有益效果：（1）本发明相比其他并管驱动，环境适应性更强，且通过采用多重安全设计，使得本驱动装置更可靠；（2）本发明采用低成本设计，在保证安全可靠的基础上，通过电路反复优化，减少了冗余器件，优化了电路板设计，从而增加了集成度；（3）本发明通过优化设计使得驱动功耗更低。
附图说明
12.为了更清晰地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1为本发明一种大电流并管igbt驱动装置的驱动框图。
14.图2为图1中pwm控制模块的电路图。
15.图3为图1中pwm互锁电路的电路图。
16.图4为图1中故障反馈电路的前端电路图。
17.图5为图1中延时复位电路的电路图。
18.图6为图1中故障反馈电路的后端电路图。
19.图7为本发明igbt驱动信号上升沿波形图。
20.图8为本发明 igbt驱动信号下降沿波形图。
21.图9为本发明igbt驱动信号板的示意图。
22.图10为本发明igbt驱动隔离电源的示意图。
23.图11为本发明igbt驱动现场使用状态图。
具体实施方式
24.下面将通过具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。
25.本发明的一种大电流并管igbt驱动装置，包括pwm互锁电路、故障反馈电路、延时复位电路和pwm控制模块；如图1所示，mcu分别与pwm互锁电路、故障反馈电路以及延时复位电路电性连接，且pwm控制模块分别与所述pwm互锁电路以及igbt模块电性连接，并通过pwm控制模块和pwm互锁电路来确保并管igbt能正常稳定工作；延时复位电路与pwm控制模块电性连接，且igbt模块与故障反馈电路电性连接，通过延时复位电路和故障反馈电路来确保并管igbt工作异常状态下能及时停止igbt工作，并将故障正常上报，从而确保电路安全工作。
26.本发明中pwm控制模块包含hcj316芯片u1；如图2所示，hcj316芯片u1的引脚2、引脚8分别接地；hcj316芯片u1的引脚3连接+5vdc；hcj316芯片u1的引脚9、引脚10分别连接vcc以及电容c3、电容c4、电容c6的一端；hcj316芯片u1的引脚11连接电阻r7的一端，且电阻r7的另一端分别连接电容c4的另一端、三极管q11的基极以及三极管q12的基极；hcj316芯片u1的引脚12、引脚13分别连接电容c5的一端、电容c6的另一端以及vcc；电容c3的另一端连接稳压二极管d1的正极，且hcj316芯片u1的引脚14分别连接稳压二极管d1的负极、电容c7的一端以及电阻r8的一端，电阻r8的另一端连接desat1；hcj316芯片u1的引脚16分别连接ve1、gnd1、稳压二极管d1的正极以及电容c5、电容c7的另一端；三极管q11的集电极以及三极管q12的集电极分别连接vcc；三极管q11的发射极以及三极管q12的发射极分别连接电阻r28、电阻r30、电阻r32、电阻r34的一端；如图2所示，电阻r28的另一端连接电阻r29的一端，电阻r30的另一端连接电阻r31的一端，电阻r29、电阻r31的另一端分别连接二极管d16的正极、二极管d17的负极、稳压二极管d6的负极、电阻r9、电阻r10的一端、电容c8的一端以及mos管q3的栅极；二极管d16的负极连接vcc；稳压二极管d6的正极连接稳压二极管d7的正极，电阻r9的另一端连接发光二极管led1的正极，稳压二极管d7的负极、发光二极管led1的负极、电容c8的另一端、电阻r10的另一端以及mos管q3的源极分别连接gnd1；二极管d17的正极连接稳压二极管d5的正极，稳压二极管d5的负极连接稳压二极管d4的正极，稳压二极管d4的负极连接稳压二极管d3的正极，稳压二极管d3的负极连接稳压二极管d2的正极；稳压二极管d2的负极、二极管d15的负极以及mos管q3的漏极分别连接350v-400v；二极管d15的正极连接二极管d14的负极，二极管d14的正极连接desat1_1；如图2所示，电阻r32的另一端连接电阻r33的一端，电阻r34的另一端连接电阻r35的一端，电阻r33、电阻r35的另一端分别连接二极管d20的正极、二极管d21的负极、稳压二极管d9的负极、电阻r11、电阻r12的一端、电容c9的一端以及mos管q4的栅极；二极管d20的负极连接vcc；稳压二极管d9的正极连接稳压二极管d8的正极，电阻r11的另一端连接发光二极管led2的正极，稳压二极管d8的负极、发光二极管led2的负极、电容c9的另一端、电阻r12的另一端以及mos管q4的源极分别连接gnd1；二极管d21的正极连接稳压二极管d13的正极，稳压二极管d13的负极连接稳压二极管d12的正极，稳压二极管d12的负极连接稳压二极管d11的正极，稳压二极管d11的负极连接稳压二极管d10的正极；稳压二极管d10的负极、二极管d19的负极以及mos管q4的漏极分别连接350v-400v；二极管d19的正极连接二极管d18的负极，二极管d18的正极连接desat1_2。其中，mos管q3和mos管q4均为n型mosfet。本发明采用hcj316芯片u1作为并管igbt驱动核心，利用一对三极管构成推挽电路来放大igbt的驱动信号，增大了电路的驱动能力，保证了电路的稳定工作。
27.本发明中pwm互锁电路包含mos管q1和mos管q2；如图3所示，epwm_a连接电阻r1的一端，电阻r1的另一端分别连接电阻r2、r3的一端、电容c1的一端以及mos管q2的栅极，电阻r2的另一端、电容c1的另一端分别接地；epwm_b连接电阻r4的一端，电阻r4的另一端分别连接电阻r5、r6的一端、电容c2的一端以及mos管q1的栅极，电阻r5的另一端、电容c2的另一端分别接地；mos管q2的源极以及mos管q1的源极分别接地；电阻r3的另一端、mos管q1的漏极、电阻r6的另一端以及mos管q2的漏极分别连接至hcj316芯片u1的引脚1。其中，mos管q1和mos管q2均为n型mosfet。本发明中pwm互锁电路能避免igbt上下管同时导通情况发生，尽管mcu发波时有死区控制，但为安全起见，仍需在电路设计pwm互锁电路。
28.本发明中延时复位电路包含mos管q5、mos管q6和发光二极管led3；如图5所示，发光二极管led3的正极分别连接mos管q5的栅极以及电阻r19的一端，电阻r19的另一端、mos管q5的漏极以及电阻r20的一端分别连接+5vdc；电阻r20的另一端以及mos管q6的漏极分别连接至hcj316芯片u1的引脚5；mos管q5的源极连接电阻r22的一端，电阻r22的另一端分别连接电容c10的一端、电阻r21的一端以及mos管q6的栅极；电容c10的另一端、电阻r21的另一端以及mos管q6的源极分别接地；电容c11的一端连接至hcj316芯片u1的引脚6，电容c11的另一端接地。其中，mos管q5和mos管q6均为n型mosfet。本发明中故障反馈延时复位就是当发生故障时，hcj316芯片u1会停止发波，关闭igbt，当resetat引脚接收到0时hcj316芯片u1才能正常发波，延时复位电路的设计就是为了在发生故障后使hcj316芯片u1延时一定时间后再恢复其正常发波功能，且此电路设计延时为1秒。
29.本发明中故障反馈电路包含故障反馈电路前端和故障反馈电路后端，且故障反馈电路前端包含mos管q9和mos管q10；如图4所示，fault信号分别连接电阻r23的一端以及mos管q9的漏极，电阻r23的另一端以及电阻r24的一端分别连接dp15v；mos管q9的栅极分别连接电阻r27的一端、电阻r24的另一端以及mos管q10的漏极；mos管q10的栅极分别连接电阻r25、电阻r26的一端以及电容c13的一端，电阻r25的另一端以及电容c12的一端分别连接+5vdc，电容c12的另一端接地；mos管q9的源极、mos管q10的源极、电容c13的另一端以及电阻r27、电阻r26的另一端分别接地；mos管q9的源极、mos管q10的源极分别连接发光二极管led3的负极以及电容c11的一端。其中，mos管q9和mos管q10均为n型mosfet。本发明故障反馈电路前端综合了多路故障情况，任一路发生故障都将上报给mcu，同时hcj316芯片u1停止发波；此电路综合考虑控制板和功率板的不同电平情况，以及确保故障信号准确上报，避免发生误报。
30.如图6所示，故障反馈电路后端包含mos管q7和mos管q8；mos管q7的漏极、mos管q8的漏极分别连接desat1；desat1_1分别连接二极管d22的负极以及二极管d24的负极；desat1_2分别连接二极管d23的负极以及二极管d25的负极；二极管d22的正极连接mos管q7的源极，mos管q7的栅极分别连接二极管d23的正极以及电阻r13、电阻r14的一端；二极管d25的正极连接mos管q8的源极，mos管q8的栅极分别连接二极管d24的正极以及电阻r17、电阻r18的一端；电阻r13、电阻r18的另一端分别连接+16.7v_1；电阻r14的另一端连接电阻r15的一端，电阻r17的另一端连接电阻r16的一端，电阻r15、电阻r16的另一端连接ve1。其中，mos管q7和mos管q8均为n型mosfet。本发明由于是并管驱动，因此任意一个管子过压都要及时上报给hcj316芯片u1，这就需要此电路保证稳定的故障反馈。
31.如图7~11所示，本发明已经达到设计要求的各项指标，并投产应用200kvar有源滤
波产品中。
32.本发明的有益效果：（1）本发明相比其他并管驱动，环境适应性更强，且通过采用多重安全设计，使得本驱动装置更可靠；（2）本发明采用低成本设计，在保证安全可靠的基础上，通过电路反复优化，减少了冗余器件，优化了电路板设计，从而增加了集成度；（3）本发明通过优化设计使得驱动功耗更低。
33.上面所述的实施例仅仅是本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的构思和范围进行限定，在不脱离本发明设计构思的前提下，本领域中普通工程技术人员对本发明的技术方案作出的各种变型和改进均应落入本发明的保护范围，本发明的请求保护的技术内容，已经全部记载在技术要求书中。

技术特征：
1.一种大电流并管igbt驱动装置，其特征在于：包括pwm互锁电路、故障反馈电路、延时复位电路和pwm控制模块；mcu分别与所述pwm互锁电路、故障反馈电路以及延时复位电路电性连接，且所述pwm控制模块分别与所述pwm互锁电路以及igbt模块电性连接，并通过pwm控制模块和pwm互锁电路来确保并管igbt正常稳定工作；所述延时复位电路与所述pwm控制模块电性连接，且igbt模块与所述故障反馈电路电性连接，通过延时复位电路和故障反馈电路来确保并管igbt工作异常状态下及时停止igbt工作，并将故障正常上报。2.根据权利要求1所述的一种大电流并管igbt驱动装置，其特征在于：所述pwm控制模块包含hcj316芯片u1；所述hcj316芯片u1的引脚2、引脚8分别接地；所述hcj316芯片u1的引脚3连接+5vdc；所述hcj316芯片u1的引脚9、引脚10分别连接vcc以及电容c3、电容c4、电容c6的一端；所述hcj316芯片u1的引脚11连接电阻r7的一端，且电阻r7的另一端分别连接电容c4的另一端、三极管q11的基极以及三极管q12的基极；所述hcj316芯片u1的引脚12、引脚13分别连接电容c5的一端、电容c6的另一端以及vcc；电容c3的另一端连接稳压二极管d1的正极，且所述hcj316芯片u1的引脚14分别连接稳压二极管d1的负极、电容c7的一端以及电阻r8的一端，电阻r8的另一端连接desat1；所述hcj316芯片u1的引脚16分别连接ve1、gnd1、稳压二极管d1的正极以及电容c5、电容c7的另一端；三极管q11的集电极以及三极管q12的集电极分别连接vcc；三极管q11的发射极以及三极管q12的发射极分别连接电阻r28、电阻r30、电阻r32、电阻r34的一端，电阻r28的另一端连接电阻r29的一端，电阻r30的另一端连接电阻r31的一端，电阻r29、电阻r31的另一端分别连接二极管d16的正极、二极管d17的负极、稳压二极管d6的负极、电阻r9、电阻r10的一端、电容c8的一端以及mos管q3的栅极；二极管d16的负极连接vcc；稳压二极管d6的正极连接稳压二极管d7的正极，电阻r9的另一端连接发光二极管led1的正极，稳压二极管d7的负极、发光二极管led1的负极、电容c8的另一端、电阻r10的另一端以及mos管q3的源极分别连接gnd1；二极管d17的正极连接稳压二极管d5的正极，稳压二极管d5的负极连接稳压二极管d4的正极，稳压二极管d4的负极连接稳压二极管d3的正极，稳压二极管d3的负极连接稳压二极管d2的正极；稳压二极管d2的负极、二极管d15的负极以及mos管q3的漏极分别连接350v-400v；二极管d15的正极连接二极管d14的负极，二极管d14的正极连接desat1_1；电阻r32的另一端连接电阻r33的一端，电阻r34的另一端连接电阻r35的一端，电阻r33、电阻r35的另一端分别连接二极管d20的正极、二极管d21的负极、稳压二极管d9的负极、电阻r11、电阻r12的一端、电容c9的一端以及mos管q4的栅极；二极管d20的负极连接vcc；稳压二极管d9的正极连接稳压二极管d8的正极，电阻r11的另一端连接发光二极管led2的正极，稳压二极管d8的负极、发光二极管led2的负极、电容c9的另一端、电阻r12的另一端以及mos管q4的源极分别连接gnd1；二极管d21的正极连接稳压二极管d13的正极，稳压二极管d13的负极连接稳压二极管d12的正极，稳压二极管d12的负极连接稳压二极管d11的正极，稳压二极管d11的负极连接稳压二极管d10的正极；稳压二极管d10的负极、二极管d19的负极以及mos管q4的漏极分别连接350v-400v；二极管d19的正极连接二极管d18的负极，二极管d18的正极连接desat1_2。3.根据权利要求2所述的一种大电流并管igbt驱动装置，其特征在于：所述pwm互锁电路包含mos管q1和mos管q2；epwm_a连接电阻r1的一端，电阻r1的另一端分别连接电阻r2、r3的一端、电容c1的一端以及mos管q2的栅极，电阻r2的另一端、电容c1的另一端分别接地；epwm_b连接电阻r4的一端，电阻r4的另一端分别连接电阻r5、r6的一端、电容c2的一端以及
mos管q1的栅极，电阻r5的另一端、电容c2的另一端分别接地；mos管q2的源极以及mos管q1的源极分别接地；电阻r3的另一端、mos管q1的漏极、电阻r6的另一端以及mos管q2的漏极分别连接至所述hcj316芯片u1的引脚1。4.根据权利要求2所述的一种大电流并管igbt驱动装置，其特征在于：所述延时复位电路包含mos管q5、mos管q6和发光二极管led3；发光二极管led3的正极分别连接mos管q5的栅极以及电阻r19的一端，电阻r19的另一端、mos管q5的漏极以及电阻r20的一端分别连接+5vdc；电阻r20的另一端以及mos管q6的漏极分别连接至所述hcj316芯片u1的引脚5；mos管q5的源极连接电阻r22的一端，电阻r22的另一端分别连接电容c10的一端、电阻r21的一端以及mos管q6的栅极；电容c10的另一端、电阻r21的另一端以及mos管q6的源极分别接地；电容c11的一端连接至所述hcj316芯片u1的引脚6，电容c11的另一端接地。5.根据权利要求4所述的一种大电流并管igbt驱动装置，其特征在于：所述故障反馈电路包含故障反馈电路前端和故障反馈电路后端，且所述故障反馈电路前端包含mos管q9和mos管q10；fault信号分别连接电阻r23的一端以及mos管q9的漏极，电阻r23的另一端以及电阻r24的一端分别连接dp15v；mos管q9的栅极分别连接电阻r27的一端、电阻r24的另一端以及mos管q10的漏极；mos管q10的栅极分别连接电阻r25、电阻r26的一端以及电容c13的一端，电阻r25的另一端以及电容c12的一端分别连接+5vdc，电容c12的另一端接地；mos管q9的源极、mos管q10的源极、电容c13的另一端以及电阻r27、电阻r26的另一端分别接地；mos管q9的源极、mos管q10的源极分别连接发光二极管led3的负极以及电容c11的一端。6.根据权利要求5所述的一种大电流并管igbt驱动装置，其特征在于：所述故障反馈电路后端包含mos管q7和mos管q8；mos管q7的漏极、mos管q8的漏极分别连接desat1；desat1_1分别连接二极管d22的负极以及二极管d24的负极；desat1_2分别连接二极管d23的负极以及二极管d25的负极；二极管d22的正极连接mos管q7的源极，mos管q7的栅极分别连接二极管d23的正极以及电阻r13、电阻r14的一端；二极管d25的正极连接mos管q8的源极，mos管q8的栅极分别连接二极管d24的正极以及电阻r17、电阻r18的一端；电阻r13、电阻r18的另一端分别连接+16.7v_1；电阻r14的另一端连接电阻r15的一端，电阻r17的另一端连接电阻r16的一端，电阻r15、电阻r16的另一端连接ve1。

技术总结
本发明公开了一种大电流并管IGBT驱动装置，包括PWM互锁电路、故障反馈电路、延时复位电路和PWM控制模块；MCU分别与PWM互锁电路、故障反馈电路以及延时复位电路电性连接，且PWM控制模块分别与PWM互锁电路以及IGBT模块电性连接，并通过PWM控制模块和PWM互锁电路来确保并管IGBT正常稳定工作；延时复位电路与PWM控制模块电性连接，且IGBT模块与故障反馈电路电性连接，通过延时复位电路和故障反馈电路来确保并管IGBT工作异常状态下及时停止IGBT工作，并将故障正常上报。本发明相比其他并管驱动，环境适应性更强。环境适应性更强。环境适应性更强。


技术研发人员：李天鹰 王宗臣 夏武 薛玲丽 沈卫峰 邱素素 冯国伟 张锐
受保护的技术使用者：江苏现代电力科技股份有限公司
技术研发日：2021.11.22
技术公布日：2022/3/7