半导体工艺设备及其气体分配装置的制作方法

1.本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及其气体分配装置。


背景技术：

2.随着半导体技术的发展，绝缘的介质薄膜的应用越来越广。相关技术中，用于沉积绝缘的介质薄膜的设备通过增加射频电源，使得半导体设备内的工艺气体电离，并用于沉积绝缘的介质薄膜。相关技术中，为了避免金属材质的基座电极造成设备内金属污染，在基座电极与晶圆之间设置有一层陶瓷，以隔离金属材质的基座电极。由于用于隔离基座电极的陶瓷层表面的电荷不能够及时被导走，使得基座表面存在电势，造成基座接地不均匀，进而在半导体加工工艺过程中，造成介质薄膜致密度的均匀性差。


技术实现要素：

3.本发明公开一种半导体工艺设备及其气体分配装置，以解决绝缘介质薄膜致密度的均匀性差的问题。
4.为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：
5.本发明实施例公开的用于半导体工艺设备的气体分配装置，半导体工艺设备包括腔体和设置在腔体中的基座。气体分配装置包括气体分配板，气体分配板设置于腔体中，且与基座相对设置，气体分配板开设有多个气体分配孔，多个气体分配孔用于向腔体内输入工艺气体；
6.气体分配板朝向基座的一侧具有凹陷区域和凸出区域，凹陷区域与基座之间的间距为第一间距，凸出区域与基座之间的间距位于第二间距，第一间距大于第二间距。
7.基于本发明所述的气体分配装置，本发明还提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括腔体、基座和本发明所述的气体分配装置，其中，基座用于放置晶圆；气体分配装置固定于腔体，且与基座相对设置。
8.本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：
9.本发明实施例公开的气体分配装置通过在气体分配板靠近基座的一侧设置凹陷区域和凸出区域，且凹陷区域与基座之间的间距大于凸出区域与基座之间的间距，以使的气体分配装置与基座之间的电场强度更为均匀，进而提高介质薄膜致密度的均匀性，使得介质薄膜各部分对应的刻蚀速率更均匀，提高半导体工艺产品的良品率。
附图说明
10.此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
11.图1为本发明一种实施例公开的半导体工艺设备的剖面图；
12.图2为本发明一种实施例公开的气体分配装置的示意图；
13.图3为本发明第一种实施例公开的气体分配装置的局部放大图；
14.图4为本发明第二种实施例公开的气体分配装置的局部放大图；
15.图5为本发明一种实施例公开的气体分配装置的俯视图；
16.图6为气体分配装置与基座之间的间距为14mm的情况下，晶圆各测试点的刻蚀速率的示意图；
17.图7为气体分配装置与基座之间的间距为17mm的情况下，晶圆各测试点的刻蚀速率的示意图；
18.图8为气体分配装置与基座之间的间距分别为14mm和17mm的情况下，晶圆各测试点的刻蚀速率比较示意图；
19.图9为本发明实施例公开的半导体工艺设备的供气管路图；
20.图10为本发明实施例公开的半导体工艺流程图。
21.图中：101-凹陷区域；102-凸出区域；103-过渡区域；104-外圈；105-内圈；100-气体分配板；110-气体分配孔；120-凹槽；130-安装部；200-基座；300-背板；400-气体分配腔；500-腔体；600-反应腔；700-匀流栅。
具体实施方式
22.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
23.以下结合图1至图10，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。
24.参加图1至图5，半导体工艺设备包括腔体500和设置在腔体500中的基座200。本发明实施公开的用于半导体工艺设备的气体分配装置，包括气体分配板100。气体分配板100设置于腔体500中，且与基座200相对设置。气体分配板100开设有多个气体分配孔110，多个气体分配孔110用于向腔体500内输入工艺气体。示例性地，气体分配板100与基座200之间形成有反应腔600。反应腔600可以为半导体工艺产品放置和工艺气体反应提供空间。工艺气体沿气体分配孔110进入反应腔600。示例性地，半导体工艺产品可以为晶片(wafer)。具体的，在半导体加工工艺过程中，需要将绝缘介质薄膜沉基于晶圆上。示例性地，工艺气体可以为参与化学反应的气体和用于清扫气体管路或反应腔600的气体。可选的，工艺气体可以为：氧气(o2)、氩气(ar)、前驱体反应源等。
25.参照图1、图2和图5，气体分配板100朝向基座200的一侧具有凹陷区域101和凸出区域102，凹陷区域101与基座200之间的间距为第一间距，凸出区域102与基座200之间的间距位于第二间距，第一间距大于第二间距。
26.上述事例中通过在气体分配板100朝向基座200的一侧设置凹陷区域101和凸出区域102，使得气体分配板100各部分与基座200之间的间距存在差异，进而可以通过设置凹陷区域101和凸出区域102的位置，以及设置凹陷区域101凹陷深度或者是凸出区域102凸出的高度，调节气体分配板100与基座200之间各处电场强度的大小，以使气体分配板100与基座200之间的电场强度更为均匀，避免介质薄膜各处致密度的差异大，提高介质薄膜致密度的均匀性。需要说明的是，介质薄膜的致密度越高，对应的介质薄膜在半导体工艺过程中刻蚀
速率越小。因此，介质薄膜致密度的均匀性越好，对应的晶圆的良品率越高。
27.一种可选的实施例中，第一间距与第二间距的差值大于1mm小于等于6mm。示例性地，第一间距与第二间距的差值可以为3mm。图6为气体分配装置与基座200之间的间距为14mm的情况下，晶圆各检测点对应的刻蚀速率分布图。图7为气体分配装置与基座200之间的间距为17mm的情况下，晶圆各检测点对应的刻蚀速率分布图。图8为气体分配装置与基座200之间的间距为14mm和气体分配装置与基座200之间的间距为17mm的情况下晶圆各检测点对应的刻蚀速率的对比图。需要说明的是，图8中，纵轴表示刻蚀速率，横轴表示各测试点。各测试点的的绘制顺序为：由晶圆的中心向晶圆的外圈104逐步绘制。具体的，晶圆的中心为第一个测试点，并按照距离晶圆的中心越小越优先的顺序，绘制绘制各测试点。在多个测试点距离晶圆的中心相等的情况下，可以按照顺时针或逆时针方向绘制各测试点。因此，图8中第1个测试点至第81个测试点均为位于内圈105内的测试点对应的刻蚀速率。第82个测试点至第121个测试点为位于外圈104之内的各测试点对应的刻蚀速率。从图8可以直接得到，在气体分配装置与基座200之间的间距为17mm的情况下，半导体工艺对应的刻蚀速率大于气体分配装置与基座200之间的间距为17mm的情况，进而可以通过改变气体分配装置与基座200之间的间距调节半导体工艺对应的刻蚀速率。
28.示例性地，可以通过测试得到各区域对应的半导体工艺对应的刻蚀速率。进而可以根据刻蚀速率的大小将半导体工艺刻蚀区域划分为至少两个子刻蚀区域，以通过在各子刻蚀区域对应的气体分配装置朝向基座200的一侧设置凹陷区域101或凸出区域102，以调节各区域对应的刻蚀速率。
29.一种可选的实施例中，气体分配板100朝向基座200的一侧的凹陷区域101或凸出区域102的数量可为多个。进一步地，各凹陷区域101和/或各凸出区域102与基座200之间的间距可以不完全相等，具体的，可以根据各区域对应的半导体工艺对应的刻蚀速率设置对应的凹陷区域101或凸出区域102与基座200之间的间距，进而使得各区域对应的半导体工艺的刻蚀速率更为均匀。
30.一种可选的实施例中，凹陷区域101为环形区域，凸出区域102为圆形区域，凹陷区域101和凸出区域102沿所述气体分配板100的径向向内依次分布。进一步地，在凸出区域102和凹陷区域101的数量均为多个的情况下，多个凸出区域102中，包括圆形的凸出区域102和环形的凸出区域102，且圆形的凸出区域102和环形的凸出区域102沿所述气体分配板100的径向向外依次分布。进一步地，凹陷区域101和凸出区域102可以沿气体分配板100的径向向外相互交替分布。另一种实施例中，凸出区域102为环形区域，凹陷区域101为圆形区域，凹陷区域101和凸出区域102沿气体分配板100的径向向外依次分布。凹陷区域101和凸出区域102的数量均为多个的情况下，多个凹陷区域101中包括圆形的凹陷区域101和环形的凹陷区域101，且圆形的凹陷区域101和环形的凹陷区域101沿所述气体分配板100的径向向外依次分布。进一步地，凹陷区域101和凸出区域102可以沿气体分配板100的径向向外相互交替分布。
31.需要说明的是，凹陷区域101和凸出区域102的数量和排布方式与半导体设备中半导体工艺对应的刻蚀速率的分布有关。为此，本实施例不限定凹陷区域101和凸出区域102的具体数量和排布方式。
32.参照图6和图7，在半导体工艺刻蚀区域内，内圈105的刻蚀速率大于外圈104的刻
蚀速率，进而可以将半导体工艺刻蚀区域划分为内圈105和外圈104两个区域。进一步的，可以从图8看出，在气体分配装置与基座200之间的间距为17mm的情况下，外圈104的各测试点对应的刻蚀速率与气体分配装置与基座200之间的间距为14mm的情况下，内圈105之内的各测试点对应的刻蚀速率相当。因此，可以通过改变气体分配装置与基座200之间的间距使内圈105之内部分的刻蚀速率与外圈104之内的刻蚀速率相等。一种可选的实施例中，可以将外圈104对应部分的气体分配装置与基座200之间的间距设置为17mm，将内圈105对应部分的气体分配装置与基座200之间的间距设置为14mm，即第一距离与第二距离之间的差值为3mm，以实现半导体工艺刻蚀区域刻蚀速率的均匀性。
33.参照图2和图5，内圈105对应的刻蚀速率大于外圈104对应的刻蚀速率。示例性地，凹陷区域101为环形区域，凸出区域102为圆形区域，凸出区域102位于凹陷区域101内。示例性地，凹陷区域101可以与外圈104相对应，凸出区域102可以与内圈105相对应。
34.当然，在内圈105对应的刻蚀速率与外圈104对应的刻蚀速率相比较慢的情况下，可以将凸出区域102为环形区域，凹陷区域101为圆形区域，凹陷区域101位于凸出区域102内，以使凹陷区域101与内圈105相对应，凸出区域102与外圈104相对应。
35.参照图2，可以通过改变气体分配板100的厚度以形成凹陷区域101和凸出区域102。示例性地，凹陷区域101对应的气体分配板100的厚度与凸出区域102对应的气体分配板100的厚度的差值可以为3mm。可选的实施例中，可以通过气体分配板100靠近基座200的一侧开槽以形成凹陷区域101。当然，还可以通过在气体分配板100靠近基座200的一侧增加气体分配板100的厚度，以形成凸出区域102。示例性地，可以在气体分配板100靠近基座200的一侧开设3mm的槽，以使气体分配板100中的部分区域的厚度降低3mm，形成凹陷区域101。需要说明的是，凹陷区域101和凸出区域102为相对概念。示例性地，在气体分配板100靠近基座200的一侧开槽的区域形成凹陷区域101，非开槽区域变为凸出区域102。为此，本技术实施例不限定凹陷区域101和凸出区域102形成的具体方式。
36.一种可选的实施例中，气体分配板100中与凸出区域102和凹陷区域101相对的部分背离基座200的一侧为平面，即气体分配板100中与凸出区域102相对的部分和气体分配板100中与凹陷区域101相对的部分在背离基座200的一侧齐平。进一步地，凸出区域102对应的气体分配板100的厚度可以为9mm，凹陷区域101对应的气体分配板100的厚度为3mm～8mm。具体的，可以根据实际需要调节凸出区域102或凹陷区域101对应部分的气体分配板100的厚度，以使气体分配板100与基座200之间形成电场强度均匀的电场，提高绝缘薄膜致密度的均匀性。
37.一种可选的实施例中，气体分配装置中，凸出区域102为圆形区域，且凸出区域102对应的半径可以为120mm，凹陷区域101为环形区域，且凹陷区域101的内环半径可以为120mm，凹陷区域101的外环半径可以为165mm。
38.参照图4，气体分配板100还包括过渡区域103，过渡区域103位于凹陷区域101与凸出区域102之间，且过渡区域103与基座200之间的间距由靠近凹陷区域101的一侧向靠近凸出区域102的一侧逐渐减小。示例性的，过渡区域103可以为气体分配板100中连接凹陷区域101与凸出区域102的倾斜面或弧形面，以避免气体分配板100在凸出区域102与凹陷区域101拼接处的厚度突变，使得气体分配板100在凸出区域102与凹陷区域101拼接处的厚度变换更为平缓。进而在半导体工艺过程中，可以使凸出区域102的电场强度和凹陷区域101的
电场强度可以通过过渡区域103实现平缓过渡，以提高介质薄致密度的均匀性。
39.一种可选的实施例中，凹陷区域101的内环半径比凸出区域102的半径大大于等于1mm小于等于3mm，以使凹陷区域101与凸出区域102之间形成1mm至6mm宽的环形过渡区域103。过渡区域103的环宽越大，即过渡区域103的外环半径与内环半径的差值越大，过渡区域103形成的坡面与凹陷区域101或凸出区域102衔接更为平缓，进而有利于凸出区域102的电场强度和凹陷区域101的电场强度平缓过渡。但是过渡区域103的环宽越大，内圈105和/或外圈104中与过渡区域103相对的部分的面积越大，进而会影响半导体工艺刻蚀区域刻蚀速率的均匀性。进一步可选的实施例中，可以根据凹陷区域101与基座200之间的距离和凸出区域102与基座200之间的距离的差值确定过渡区域103的环宽大小，以更好地保证半导体工艺刻蚀区域刻蚀速率的均匀性。为此，本技术实施例不限定过渡区域103的环宽大小。
40.一种可选的实施例中，气体分配板100与过渡区域103相对应的部分朝向基座200一侧设置有圆倒角。示例性地，过渡区域103为位于凹陷区域101和凸出区域102的倒角区域。可选的，圆倒角的半径大于等于1mm小于等于3mm。
41.参照图3，凸出区域102与凹陷区域101形成台阶结构，进而造成气体分配板100在凸出区域102与凹陷区域101拼接处的厚度突变，在结构上形成尖端，容易引起气体分配板100与基座200之间的电场强度在凸出区域102与凹陷区域101拼接处出现突变。参照图4，通过在凸出区域102与凹陷区域101拼接处对凸出区域102的边缘倒角处理，使得气体分配板100在凸出区域102与凹陷区域101拼接处的厚度变换更为平缓，进而在半导体工艺过程中，使得凸出区域102与凹陷区域101的电场强度可以通过过渡区域103实现平缓过渡，以提高介质薄致密度的均匀性。
42.参照图5，凹陷区域101内的气体分配孔110的分布密度为第一孔密度，凸出区域102内的气体分配孔110的分布密度为第二孔密度，第一孔密度大于第二孔密度。需要说明的是，本发明实施例中所述的气体分配孔110的分布密度是指：单位面积内气体分配孔110分布的数量。第一孔密度大于第二孔密度，即凹陷区域101内单位面积内气体分配孔110分布的数量大于凸出区域102内单位面积内气体分配孔110分布的数量。由于凹陷区域101与基座200之间的间距大于凸出区域102与基座200之间的间距，进而使得单位面积的凹陷区域101覆盖的反应腔600的体积大于单位面积的凸出区域102覆盖的反应腔600的体积。示例性地，凹陷区域101内的气体分配孔110均匀分布于凹陷区域101内，凸出区域102内的气体分配孔110均匀分布于凸出区域102内。
43.上述实施例中，通过增加凹陷区域101内的气体分配孔110的分布密度，使得凹陷区域101输入的工艺气体增加，进而增加反应腔600中被凹陷区域101覆盖的部分内的工艺气体，以确保反应腔600内各处工艺气体的浓度的均匀性，同时还可以避免反应腔600内的工艺气体的浓度降低导致沉积速率减小，以保证半导体工艺设备的产能。
44.参照图1，气体分配装置还包括背板300，背板300设置于气体分配板100远离基座200的一侧，且背板300与气体分配板100之间形成气体分配腔400。该实施例中，通过设置气体分配腔400，使得工艺气体可以在气体分配腔400内分散，进而避免局部气流速度过大，以使各气体分配孔110进入反应腔600内的气流更加均匀。
45.示例性地，气体分配板100背离基座200的一侧设置有凹槽120，多个气体分配孔110由气体分配板100朝向基座200的一侧贯穿气体分配板100至凹槽120的槽底。可选的，背
板300盖合与凹槽120的槽口，以使背板300与气体分配板100远离基座200的一侧形成气体分配腔400。示例性地，背板300与气体分配板100密封配合，以避免工艺气体从背板300与气体分配板100装配处泄露。可选的，背板300与气体分配板100可以通过密封圈密封。
46.基于本发明实施例公开的气体分配装置，本发明实施例还提供一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括上述任意一项实施例所述的气体分配装置。参照图1，该半导体工艺设备还包括腔体500和基座200。其中腔体500为基础结构件，可以为基座200和气体分配装置提供安装基础。
47.示例性地，基座200设置于腔体500内，且基座200用于放置半导体工艺产品。气体分配装置固定于腔体500，且与基座200相对设置。示例性地，半导体工艺产品可以为晶圆(wafer)。
48.参照图1，气体分配装置固定于腔体500，且气体分配装置、腔体500和基座200围合形成反应腔600。示例性地，气体分配装置还包括安装部130，安装部130绕气体分配板100的外周设置，以使气体分配板100可以通过安装部130与腔体500相连。示例性地，安装部130上设置有通孔，以使安装部130可以通过螺钉固定于腔体500。示例性地，安装部130可以与气体分配板100为一体结构。
49.一种可选的实施例中，基座200包括电极和隔离层，隔离层设置于电极靠近气体分配装置的一侧，以避免电极造成反应腔600内金属污染，提高晶圆的良品率。
50.参照图1，半导体工艺设备还包括匀流栅700和抽气泵，匀流栅700位于反应腔600的两侧，且匀流栅700与反应腔600连通，且匀流栅700与抽气泵相连。示例性地，抽气泵为干泵。匀流栅700可以使反应腔600内的气体均匀地从反应腔600到抽气泵，提高抽气的均匀性。
51.参照图9，一种可选的实施例中，半导体工艺设备还包括气体管路、前驱体源瓶、射频电源rf。其中，气体管路包括多个流量计、多个气动阀门、多个手动阀门。示例性地，图9中mfc1-mfc3为流量计、pv1-pv7为ald气动阀门，mv1-mv5为手动阀门。可选的，mv4和mv5经过管路与干泵相连。示例性地，气体管路与气体分配装置相连，以使气体管路可以通过气体分配装置向反应腔600注入工艺气体。射频电源用于将反应腔600内的气体电离，以形成等离子体。
52.参照图9和图10，示例性地，沉积二氧化硅薄膜的工艺包括以下步骤：
53.步骤s101，将晶圆传入反应腔600内，以使晶圆放置于基座200上；
54.步骤s102，通过气体管路向反应腔600内输入前驱体。示例性地，可以前驱体可以为双二乙基胺基硅烷(sam.24)。具体的，氩气经过mfc3、pv4、mv2、sam.24源瓶、mv3、pv5和pv6，并通过气体分配装置进入反应腔600内。同时，mfc2控制的氩气(ar)以及mfc1控制的氧气(o2)也同时进入反应腔600。进入反应腔600的双二乙基胺基硅烷经过化学反应，吸附在晶圆的表面。
55.步骤s103，向气体管路和反应腔600内通入氩气，以清扫气体管路和反应腔600内未发生反应的前驱体和副产物。示例性地，在通过氩气清扫气体管路和反应腔600的过程中，pv4和pv5关闭，pv3打开，pv6关闭，pv7打开。
56.步骤s104，启动射频电源rf，以使o2转化为氧等离子体，且氧等离子体与吸附在晶圆表面的前驱体前驱体反应生成二氧化硅，进而形成二氧化硅薄膜；
57.步骤s105，关闭射频电源rf，并向气体管路和反应腔600内通入氩气(ar)，以清扫气体管路和反应腔600内未发生反应的前驱体和副产物；
58.步骤s106，检测生成的二氧化硅薄膜的厚度；
59.步骤s107，在生成的二氧化硅薄膜的厚度小于预设值的情况下，重复步骤s102至步骤s106。
60.步骤s108，在生成的二氧化硅薄膜的厚度达到预设值的情况下，停止工艺。
61.本技术实施例中所述的气体分配装置通过在气体分配板100靠近基座200的一侧设置凹陷区域101，可以增加反应腔600的容积，进而使得反应腔600内前驱体反应源双二乙基胺基硅烷(sam.24)的浓度减小。进而在不增加气体分配孔110的情况下，输入的前驱体反应源双二乙基胺基硅烷(sam.24)的量不足以保证晶圆表面的饱和吸附，从而会造成沉积的二氧化硅膜的厚度较薄，增加工艺循环次数。并且前驱体反应源双二乙基胺基硅烷(sam.24)的浓度减小会使得沉积速率降低，进而影响产能。本技术实施例中，通过在凹陷区域101内气体分配孔110的密度，进而可以增加凹陷区域101向反应腔600中与凹陷区域101相对的区域的前驱体的量，不仅可以保证反应腔600内各处沉积速率均匀，还有利于各处二氧化硅膜厚度的均匀性。
62.本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
63.以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

技术特征：
1.一种用于半导体工艺设备的气体分配装置，所述半导体工艺设备包括腔体(500)和设置在所述腔体(500)中的基座(200)，其特征在于，气体分配装置包括气体分配板(100)，所述气体分配板(100)设置于所述腔体(500)中，且与所述基座(200)相对设置，所述气体分配板(100)开设有多个气体分配孔(110)，所述多个气体分配孔(110)用于向所述腔体(500)内输入工艺气体；所述气体分配板(100)朝向所述基座(200)的一侧具有凹陷区域(101)和凸出区域(102)，所述凹陷区域(101)与所述基座(200)之间的间距为第一间距，所述凸出区域(102)与所述基座(200)之间的间距位于第二间距，所述第一间距大于所述第二间距。2.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体分配板(100)还包括过渡区域(103)，所述过渡区域(103)位于所述凹陷区域(101)与所述凸出区域(102)之间，且所述过渡区域(103)距离所述基座(200)的距离由靠近所述凹陷区域(101)的一侧向靠近所述凸出区域(102)的一侧逐渐减小。3.根据权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体分配板(100)与所述过渡区域(103)相对应的部分朝向所述基座(200)的一侧设置有圆倒角，所述圆倒角的半径大于等于1mm小于等于3mm。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的气体分配装置，其特征在于，所述凹陷区域(101)内的所述气体分配孔(110)的分布密度为第一孔密度，所述凸出区域(102)内的所述气体分配孔(110)的分布密度为第二孔密度，所述第一孔密度大于所述第二孔密度。5.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述凹陷区域(101)为环形区域，所述凸出区域(102)为圆形区域，所述凹陷区域(101)和凸出区域(102)沿所述气体分配板(100)的径向向内依次分布；或者，所述凸出区域(102)为环形区域，所述凹陷区域(101)为圆形区域，所述凹陷区域(101)和所述凸出区域(102)沿所述气体分配板(100)的径向向外依次分布。6.根据权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体分配装置还包括背板(300)，所述背板(300)设置于所述气体分配板(100)远离所述基座(200)的一侧，且所述背板(300)与所述气体分配板(100)之间形成气体分配腔(400)。7.根据权利要求6所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体分配板(100)背离所述基座(200)的一侧设置有凹槽(120)，所述多个气体分配孔(110)由所述气体分配板(100)朝向所述基座(200)的一侧贯穿所述气体分配板(100)至所述凹槽(120)的槽底。8.根据权利要求1至3中任意一项所述的气体分配装置，其特征在于，所述第一间距与所述第二间距的差值大于1mm小于等于6mm。9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括腔体(500)、基座(200)和权利要求1至7中任意一项所述的气体分配装置，其中，所述基座(200)用于放置晶圆；所述气体分配装置固定于所述腔体(500)，且与所述基座(200)相对设置。10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括匀流栅(700)和抽气泵，所述气体分配装置、所述腔体(500)和所述基座(200)围合形成反应腔(600)，所述匀流栅(700)位于所述反应腔(600)的两侧，且所述匀流栅(700)与所述反应腔(600)连通，且所述匀流栅(700)与所述抽气泵相连。

技术总结
本发明公开一种半导体工艺设备及其气体分配装置，涉及半导体加工设备技术领域。半导体工艺设备包括腔体和设置在腔体中的基座。该气体分配装置包括气体分配板，气体分配板设置于腔体中，且与基座相对设置。气体分配板开设有多个气体分配孔，多个气体分配孔用于向腔体内输入工艺气体；气体分配板朝向基座的一侧具有凹陷区域和凸出区域，凹陷区域与基座之间的间距为第一间距，凸出区域与基座之间的间距位于第二间距，第一间距大于第二间距。上述方案中，凹陷区域和凸出区域使气体分配板中的各部分与基座之间的间距不相同，以调节气体分配板与基座之间的电场，使得气体分配板与基座之间电场强度更均匀，进而使绝缘介质薄膜致密度更均匀。均匀。均匀。


技术研发人员：张文强 郑波 兰云峰 秦海丰 任晓艳 王昊
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2021.11.08
技术公布日：2022/3/7