半导体工艺炉的制作方法

1.本技术属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺炉。


背景技术：

2.在半导体加工的过程中，为形成质量较高的产品，在退火等工艺过程中，通常需要通入氢气等修复晶圆的内部缺陷。目前，通常利用工艺炉容纳晶圆，且通过自工艺炉的顶部通入工艺气体对晶圆进行修复。但是，在工作过程中，位于工艺炉顶部的晶圆会优先与工艺气体反应，这导致流动至工艺炉中部，尤其是底部的工艺气体的量大大减少，造成位于工艺炉底部的晶圆的工艺效果较差。


技术实现要素：

3.本技术公开一种半导体工艺炉，能够解决因目前工艺炉中工艺气体分布不均匀导致部分晶圆的工艺效果较差的问题。
4.为了解决上述问题，本技术实施例是这样实现地：
5.本技术实施例提供了一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，其中，所述送气组件包括：
6.进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。
7.本技术实施例公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件。送气组件安装在炉管上，且送气组件包括进气管、多个送气管和多个环状匀流件，进气管设有进气口，多个送气管的一端均与进气管的另一端连通，多个送气管的另一端均设置有送气口，且多个环状匀流件均安装在炉管的容纳腔内，多个环状匀流件均设有匀流腔，且多个送气口与多个环状匀流件的匀流腔一一对应连通。
8.基于上述半导体工艺炉，工艺气体可以经进气口被送入多个送气管中，且经多个送气口进入多个环状匀流件的匀流腔内，继而自各匀流腔的多个匀流孔分别流动至炉管中容纳腔的不同区域处。由于多个送气口沿炉管的轴向间隔设置，从而使得工艺气体可以被分别送入至炉管的容纳腔轴向上多个不同的位置处，且在环状匀流件的作用下，可以使工艺气体沿炉管的径向分别自同一轴向位置流向不同的径向方向。在这种情况下，可以提升工艺气体在容纳腔内的轴向分布均匀程度和周向分布均匀程度，以尽量保证容纳腔内的各晶圆的工艺效果均相对较好。
附图说明
9.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本申
请的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
10.图1是本技术实施例公开的半导体工艺炉的结构示意图；
11.图2是本技术实施例公开的半导体工艺炉中的送气过程的原理示意图；
12.图3是本技术实施例公开的半导体工艺炉中包括环状匀流件的部分结构的示意图；
13.图4是本技术实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件与晶圆的装配示意图；
14.图5是本技术实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件中部分结构的示意图；
15.图6是本技术实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件中部分结构的示意图；
16.图7是本技术实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件在另一方向上的结构示意图。
17.附图标记说明：
18.100-炉管、110-容纳腔、120-排气口、
19.200-晶舟组件、210-顶板、220-底板、230-承载柱、231-承载槽、232-贯穿长槽、240-支撑柱、250-加强件、
20.310-进气管、311-进气口、320-送气管、321-送气口、
21.400-环状匀流件、410-匀流孔、420-匀流槽、
22.500-加固件、
23.600-晶圆。
具体实施方式
24.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
25.以下结合附图，详细说明本技术各个实施例公开的技术方案。
26.如图1-图7所示，本技术实施例公开一种半导体工艺炉，其包括炉管100和送气组件，当然，半导体工艺炉中还可以包括晶舟组件200等器件，晶舟组件200能够承载晶圆600。
27.其中，炉管100为半导体工艺炉的主体结构，送气组件安装在炉管100上。炉管100可以采用石英等硬质材料形成，以保证炉管100具有较强的耐高温和耐腐蚀性能。炉管100的形状和尺寸均可以根据实际需求灵活确定。由于晶圆600通常为圆形片状结构件，基于此，炉管100可以为圆柱状结构件，以提升炉管100的空间利用率。其中，炉管100设有容纳腔110和排气口120，且容纳腔110和排气口120连通。在半导体工艺炉的工作过程中，容纳腔110内晶圆600与工艺气体相互反应产生的废气等可以经排气口120排出至容纳腔110之外，保证容纳腔110内工艺过程可靠的进行。排气口120的形状和尺寸可以根据容纳腔110的容积等实际参数确定，此处不作限定。
28.容纳腔110为容纳上述晶舟组件200的空间，在半导体工艺炉的工作过程中，晶舟组件200能够承载晶圆600，以使晶圆600可以被容纳在半导体工艺炉的容纳腔110内被加工。晶舟组件200可以设置有槽位等结构，以使晶圆600能够被容纳在槽位处，进而稳定地支撑在晶舟组件200上。当然，通过使晶舟组件200设置有多个槽位，可以使晶舟组件200能够
承载多个晶圆600，提升晶圆600的加工效率。
29.送气组件为半导体工艺炉中用以向容纳腔110输送工艺气体的部件，送气组件可以采用石英等材料制成，以需保证送气组件自身不会与工艺气体相互反应。送气组件固定在炉管100上，保证送气组件可以与炉管100连为一体。可选地，在送气组件和炉管100均采用石英材料制成的情况下，可以采用石英焊接等方式将送气组件固定在炉管100上。
30.送气组件设有进气口311和多个送气口321，进气口311和容纳腔110均与多个送气口321连通，进而使工艺气体可以自进气口311被送入送气组件中，且在送气组件的作用下，将工艺气体自多个送气口321送入容纳腔110内。
31.同时，多个送气口321沿炉管100的轴向间隔设置，使得不同的送气口321可以自炉管100的不同轴向位置处分别向容纳腔110内输送工艺气体。可选地，送气组件为单根管道，且进气口311和多个送气口321可以一并设置在该管道上，该管道的一端可以为进气口311，通过在管道上设置多个开口，利用多个开口作为多个送气口321，多个送气口321均与炉管100的容纳腔110连通。当然，送气口321的数量，以及相邻的两个送气口321在炉管100的轴向上的间距均可以根据实际情况确定，此处不作限定。
32.如上所述，多个送气口321可以同时设置在同一管道上，可选地，如图1和图2所示，在本技术的另一实施例中，送气组件包括进气管310和多个送气管320，进气管310的一端设有进气口311，多个送气管320的一端均与进气管310的另一端连通，且各送气管320的另一端均设有送气口321。也即，多个送气口321分别设置在多个送气管320上，且通过使多个送气管320单独地连接在进气管310上，使得各送气管320的送气过程基本不会相互干扰，进而防止多个送气口321中远离进气口311的一者的流量远小于靠近进气口311的一者的流量。
33.具体地，多个送气管320的截面积和截面形状等参数均可以根据实际情况确定，此处不作限定。多个送气管320的一端均可以通过石英焊等方式与进气管310的一端相互连接且连通，且多个送气管320中送气口321所在的一端可以通过伸入至炉管100内的方式使送气口321与炉管100的容纳腔110相互连通。另外，送气管320的数量可以根据炉管100在其轴向上的尺寸等实际参数确定，此处不作限定。
34.如上所述，通过使送气管320的一端伸入至炉管100的容纳腔110内的方式，可以使送气口321与容纳腔110形成相互连通的关系。可选地，如图2和图3所示，在本技术的另一实施例中，半导体工艺炉还可以包括多个环状匀流件400，各环状匀流件400的均设置在炉管100的内部，也即容纳腔110中。并且，多个环状匀流件400沿炉管100的轴向间隔设置，从而使各送气口321均可以配设有环状匀流件400，多个环状匀流件400与多个送气口321一一对应配合，环状匀流件400可以为送气过程提供匀流作用，以进一步提升工艺气体在容纳腔110内的分布均匀程度。
35.环状匀流件400内设置有匀流腔，匀流腔上设置有多个匀流孔410，其中，在送气口321配设有环状匀流件400的情况下，多个送气口321与多个环状匀流件400的匀流腔一一对应地连通，从而使工艺气体能够自送气口321流入至匀流腔内，且通过匀流腔的多个匀流孔410流入至炉管100的容纳腔中。
36.并且，可以使环状匀流件400环绕晶舟组件200设置，从而防止环状匀流件400对晶舟组件200承载晶圆600产生妨碍。通过使环状匀流件400的多个匀流孔410沿环状匀流件400的周向间隔分布，当工艺气体自送气口321进入匀流腔内之后，在多个匀流孔410的作用
下，可以使工艺气体分别被输送至晶舟组件200的周围。在这种情况下，可以进一步提升环状匀流件400所在区域中炉管100的径向上的不同位置处的工艺气体的均匀程度，进而再次提升容纳腔110内整体的气体均匀性。
37.具体地，匀流孔410的尺寸和数量可以根据实际情况确定，此处不作限定。并且，在环状匀流件400上布设匀流孔410的过程中，可以使多个匀流孔410中任意相邻的两个匀流孔410之间的间距相等。
38.本技术实施例公开一种半导体工艺炉，其包括炉管100和送气组件。送气组件安装在炉管100上，且送气组件包括进气管310、多个送气管320和多个环状匀流件400，进气管310设有进气口311，多个送气管320的一端均与进气管310的另一端连通，多个送气管320的另一端均设置有送气口321，且多个环状匀流件400均安装在炉管100的容纳腔110内，多个环状匀流件400均设有匀流腔，且多个送气口321与多个环状匀流件400的匀流腔一一对应连通。
39.基于上述半导体工艺炉，工艺气体可以经进气口311被送入多个送气管320中，且经多个送气口321进入多个环状匀流件400的匀流腔内，继而自各匀流腔的多个匀流孔分别流动至炉管100中容纳腔110的不同区域处。由于多个送气口321沿炉管100的轴向间隔设置，从而使得工艺气体可以被分别送入至炉管100的容纳腔110轴向上多个不同的位置处，且在环状匀流件400的作用下，可以使工艺气体沿炉管100的径向分别自同一轴向位置流向不同的径向方向。在这种情况下，可以提升工艺气体在容纳腔110内的轴向分布均匀程度和周向分布均匀程度，以尽量保证容纳腔110内的各晶圆600的工艺效果均相对较好。
40.于本技术的另一实施例中，如图3所示，在自多个匀流孔410中与送气口321的间距最大的一者指向送气口321的方向上，可以使匀流孔410的密集程度逐渐减小。如上所述，环状匀流件400为环状结构件，且环状匀流件400与送气口321连通，进而，环状匀流件400与送气组件之间的相对位置固定，相较于其余的匀流孔410而言，环状匀流件400上多个匀流孔410中必然存在一个或两个匀流孔410与送气口321之间的间距最大，则前述一个或两个匀流孔410(中的一者)即为匀流孔410中与送气口321之间间距最大的一者，在该匀流孔410指向送气口321的方向上，匀流孔410的密集程度逐渐减小，也即，单位面积中所设置的匀流孔410的密度越来越小，或者说相邻的两个匀流孔410之间的间距越来越大。
41.在采用上述技术方案的情况下，由于工艺气体自送气口321中流入至匀流腔内之后先到达多个匀流孔410中靠近送气口321中的部分匀流孔410处，从而使得这些匀流孔410处的工艺气体的流速相对较大，对应地，与送气口321之间的间距相对较大的部分匀流孔410处的工艺气体的流速相对较小，进而通过改变环状匀流件400上多个匀流孔410的分布密度，可以进一步提升环状匀流件400周围空间内不同位置处的工艺气体的均匀程度。
42.如上所述，环状匀流件400设有匀流腔，可选地，环状匀流件400被过炉管100的轴向的平面所截得的截面可以为圆形结构，也即，匀流腔可以为截面为圆形的环形腔体。在本技术的另一实施例中，如图3所示，可选地，环状匀流件400贴设于炉管100的内壁，具体地，环状匀流件400可以通过连接件固定安装在炉管100的内壁上，或者，可以通过使环状匀流件400焊接固定在炉管100的内壁上等方式围成匀流腔，这还可以降低半导体工艺炉的加工难度。更具体地，环状匀流件的外侧沿其轴向设有匀流槽420，匀流槽420的开口贴设于炉体的内壁，以形成匀流腔。也即，匀流腔为环状匀流件400和炉管100共同围成的结构，这使得
环状匀流件400的径向尺寸相对较小，且可以扩大环状匀流件400与炉管100之间的连接面积，提升二者之间的连接可靠性。
43.如上所述，可以使环状匀流件400环绕晶舟组件200设置，且环状匀流件400上设置有多个匀流孔410，可选地，匀流孔410可以设置在环状匀流件400朝向炉管100的内壁的一侧，或者，沿炉管100的轴向，匀流孔410可以设置在环状匀流件400的上方或下方。基于上述实施例，可选地，各匀流孔410均设置于环状匀流件400的内侧。在这种情况下，使得各匀流孔410均能够朝向晶舟组件200设置，进而在半导体工艺炉的工作过程中，自匀流孔410流出的工艺气体的流动方向为向晶舟组件200靠近的方向，这可以促进工艺气体向晶舟组件200的内部流动，从而提升工艺气体的利用率。其中，在图1至图7中，弯曲的箭头可以表征工艺气体的流动路径。
44.如上所述，多个送气管320均可以通过焊接或连接件连接等方式安装在炉管100上，可选地，送气管320可以安装在炉管100的内部。在本技术的另一实施例中，各送气管320均设置在炉管100的外壁上，一方面防止送气管320占用晶圆600的加工空间，另一方面可以防止送气管320污染晶圆600，保证晶圆600具有较高的良品率。并且，可以使各送气管320沿炉管100的轴向延伸，使送气管320在满足需求的情况下，尺寸相对较小，节省成本，且可以提升工艺气体的输送性能。
45.可选地，本技术实施例公开的半导体工艺炉还可以包括加固件500，多个加固件500设置在炉管100的外壁上，以利用多个加固件500加固安装于炉管100外壁的多个送气管320，从而利用加固件500进一步提升送气组件的安装稳定性，保证送气管320与炉管100之间形成更好的连接可靠性。加固件500具体可以基于送气管320的具体结构，且利用石英等材料形成，加固件500可以通过石英焊的方式固定在炉管100上。当然，在送气管320的长度相对较长的情况下，加固件500的数量可以为多个，多个加固件500沿送气管320的延伸方向间隔设置，且使送气管320一并连接在多个加固件500上，保证送气管320的安装稳定性相对更高。
46.如上所述，半导体工艺炉可以包括晶舟组件200，晶舟组件200用于承载晶圆600，且晶舟组件200容纳在炉管100的容纳腔110内，多个环状匀流件400可以环绕晶舟组件200设置。并且，晶舟组件200可以通过设置槽位等方式，使得晶舟组件200能够提供承载晶圆600的作用。
47.在本实施例中，晶舟组件200可以包括顶板210、底板220、支撑柱240和至少三个承载柱230，顶板210和底板220相对设置，承载柱230均连接在顶板210和底板220之间，从而使晶舟组件200形成一整体结构件。具体地，顶板210与底板220之间的间距，也即各承载柱230在炉管100的轴向上的尺寸可以根据实际需求确定，此处不作限定；顶板210、底板220和承载柱230均可以采用石英等硬质且耐高温的材料制成，且保证三者均不会与晶圆600，以及工艺气体相互反应。
48.并且，至少三个承载柱230围绕晶舟组件200的轴线所在的直线间隔分布，一方面保证顶板210和底板220可以通过承载柱230形成可靠的连接关系，另一方面还可以保证三个承载柱230可以为晶圆600提供稳定的承载能力。当然，在布设至少三个承载柱230的过程中，尽量防止任意三个承载柱230的轴线的垂线所形成的三角形均为钝角三角形。通过使承载柱230在炉管100的周向上尽量分散，可以提升晶舟组件200的结构稳定性，且可以提升晶
舟组件200为晶圆600提供的承载能力的可靠性。
49.其中，各承载柱230均设置有多个承载槽231，多个承载槽231沿炉管100的轴向分布，且各承载槽231均背离炉管100的内壁设置，进而使得承载柱230各自的多个承载槽231可以形成多个用于承载晶圆600的承载位置，一个晶圆600同时承载于多个承载柱230上各自的一个承载槽231内，保证晶圆600的承载稳定性。当然，在形成承载槽231的过程中，需保证各承载柱230上的多个承载槽231在炉管100的轴向上的位置对应相同，进而使得晶圆600在同时承载在多个承载柱230上对应的承载槽231处时的稳定性相对较高。
50.如上所述，在安放晶圆600的过程中，需要将晶圆600放置在多个晶舟组件200围成的区域内，在这种情况下，晶圆600中朝向晶舟组件200所在的位置处的部分会被晶舟组件200所遮挡，导致晶圆600中前述被遮挡的区域处于工艺气体的接触难度相对较大，基于此，如图5至图7所示，在本实施例中，承载柱230背离承载槽231的一侧设有贯穿长槽232，各承载槽231均通过贯穿长槽232与晶舟组件200朝向炉管100的内壁的一侧连通。在这种情况下，承载柱230基本不会对晶圆600产生遮挡作用，晶舟组件200与炉管100之间的空间中的工艺气体可以通过贯穿长槽232流动至多个承载槽231处，且与晶圆600相互反应，保证晶圆600上的各处均能够与工艺气体产生较好的反应效果。
51.具体地，贯穿长槽232可以通过钻加工等方式形成于承载柱230上，或者，亦可以使贯穿长槽232与承载槽231均随承载柱230的加工过程一并形成，这还可以提升承载柱230的加工效率。贯穿长槽232的宽度，或者说起沿垂直于炉管100的轴向的方向的尺寸可以根据实际情况确定，此处不作限定。
52.进一步地，在承载柱230上设置有贯穿长槽232的情况下，由于承载柱230的相背两侧相互连通，进而会对承载柱230的承载能力产生一定的不利影响，基于此，如图5所示，可选地，晶舟组件200还包括加强件250，承载柱230中朝向炉管100的内壁的一侧上固定设置有至少一个加强件250，以利用加强件250增强承载柱230的结构强度，进而保证承载柱230具有较高的结构强度。在安装加强件250的过程中，可以使加强件250的相背两端分别连接在承载柱230中位于贯穿长槽232相背两侧的部分上，进而使承载柱230中位于贯穿长槽232相背两侧的部分之间的连接可靠性更高。具体地，加强件250可以为加强筋，其可以采用石英材料制成，且在承载柱230采用石英材料形成的情况下，可以通过石英焊等方式将加强件250固定在晶舟组件200上；并且，为了进一步提升晶舟组件200的整体结构强度，可以使每一承载柱230上均设置多个加强件250，且使多个加强件250沿炉管100的轴向均匀且间隔分布。
53.如上所述，承载柱230上设置有承载槽231，这会对承载柱230的结构强度产生不利影响，进而对顶板210和底板220之间的连接可靠性产生影响，基于此，如图4至图7所述，可选地，本技术实施例公开的晶舟组件200还包括支撑柱240，支撑柱240固定连接在顶板210和底板220之间，从而利用支撑柱240进一步提升顶板210和底板220之间的连接可靠性。
54.在晶舟组件200包括支撑柱240的情况下，与承载柱230相似地，支撑柱240上亦可以设置有贯穿长槽232，贯穿长槽232沿炉管100的轴向延伸，且支撑柱240朝向炉管100的内壁的一侧通过贯穿长槽232与支撑柱240背离炉管100的内壁的一侧连通，也即，支撑柱240的内侧和外侧通过贯穿长槽232连通，这进而使得支撑柱240也不会阻碍工艺气体与晶圆600对应的位置处相互反应，防止支撑柱240遮挡晶圆600上的部分区域，对晶圆600的工艺
效果产生不利影响。
55.如图6所示，可选地，支撑柱240中朝向炉管100的内壁的一侧上也可以固定设置有至少一个加强件250，以利用加强件250增强支撑柱240的结构强度。在安装加强件250的过程中，可以使加强件250的相背两端分别连接在支撑柱240中位于贯穿长槽232相背两侧的部分上，进而使支撑柱240中位于贯穿长槽232相背两侧的部分之间的连接可靠性更高。具体地，加强件250可以为加强筋，其可以采用石英材料制成，且在支撑柱240采用石英材料形成的情况下，可以通过石英焊等方式将加强件250固定在晶舟组件200上；并且，为了进一步提升晶舟组件200的整体结构强度，可以使每一支撑柱240上均设置多个加强件250，且使多个加强件250沿炉管100的轴向均匀且间隔分布。
56.本技术上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
57.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的权利要求范围之内。

技术特征：
1.一种半导体工艺炉，其特征在于，包括炉管和送气组件，其中，所述送气组件包括：进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。2.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，在自多个所述匀流孔中与所述送气口的间距最大的一者指向所述送气口的方向上，所述匀流孔的密集程度逐渐减小。3.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述环状匀流件的外侧沿其周向设置有匀流槽，所述匀流槽的开口贴设于所述炉管的内壁，形成所述匀流腔，各所述匀流孔均设置于所述环状匀流件的内侧。4.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，各所述送气管均设置在所述炉管的外壁上，且沿所述炉管的轴向延伸。5.根据权利要求4所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述炉管的外壁上还设置有多个加固件，用于分别加固各所述送气管。6.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，还包括用于承载晶圆的晶舟组件，所述晶舟组件可容置于所述炉管内，多个所述环状匀流件均环绕所述晶舟组件设置，所述晶舟组件包括顶板、底板和至少三个承载柱，所述顶板和所述底板相对设置，且所述承载柱连接于所述顶板和所述底板之间，至少三个所述承载柱沿所述炉管的周向间隔分布，各所述承载柱均设置有多个沿所述炉管的轴向分布的承载槽，且各所述承载槽均朝向所述炉管的轴线设置。7.根据权利要求6所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述承载柱背离所述承载槽的一侧设有贯穿长槽，各所述承载槽均通过所述贯穿长槽与所述晶舟组件朝向所述炉管的内壁的一侧连通。8.根据权利要求7所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述晶舟组件还包括加强件，所述承载柱背离所述承载槽的一侧固定有至少一个所述加强件，所述加强件的相背两端分别连接于所述承载柱位于所述贯穿长槽相背两侧的部分上。9.根据权利要求6所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述晶舟组件还包括支撑柱，所述支撑柱连接于所述顶板和所述底板之间，且所述支撑柱设有贯穿长槽，所述贯穿长槽沿所述炉管的轴向延伸，所述支撑柱朝向所述炉管的内壁的一侧通过所述贯穿长槽与所述支撑柱背离所述炉管的内壁的一侧连通。10.根据权利要求9所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述晶舟组件还包括加强件，所述支撑柱朝向所述炉管的内壁的一侧固定有至少一个所述加强件，所述加强件的相背两端分别连接于所述支撑柱位于所述贯穿长槽相背两侧的部分上。

技术总结
本申请公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，所述送气组件包括：进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。上述半导体工艺炉能够解决因目前工艺炉中工艺气体分布不均匀导致部分晶圆的工艺效果较差的问题。致部分晶圆的工艺效果较差的问题。致部分晶圆的工艺效果较差的问题。


技术研发人员：闫晓腾 杨帅 杨慧萍
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2021.11.19
技术公布日：2022/3/7