发光装置及包括其的电子设备的制作方法

发光装置及包括其的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求在韩国知识产权局于2020年9月8日提交的韩国专利申请第10-2020-0114861号的优先权和权益，其内容以其整体通过引用并入本文。
技术领域
3.一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。


背景技术：

4.发光装置是自发射装置，其与本领域的其他装置比较，具有宽视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越特性。
5.在发光装置中，第一电极布置在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。


技术实现要素：

6.一个或多个实施方式包括其中发光区域被最大化的高荧光系统的装置。
7.另外的方面将在随后的描述中部分地陈述，并且部分地，将从详细的描述中显而易见，或者可通过实践本公开的所呈现的示例性实施方式来了解。
8.根据一个或多个实施方式的方面，发光装置包括：
9.第一电极，
10.面对第一电极的第二电极，以及
11.布置在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，
12.其中发射层包括第一发射层和第二发射层，
13.第一发射层包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，其中第二掺杂剂为电子捕获掺杂剂，并且
14.第二发射层包括第三掺杂剂和第四掺杂剂，其中第四掺杂剂为空穴捕获掺杂剂。
15.根据一个或多个实施方式的方面，电子设备包括发光装置。
附图说明
16.本公开的某些实施方式的上面和其他方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，其中：
17.图1为根据示例性实施方式的发光装置的示意图；
18.图2为根据另一示例性实施方式的发光设备的横截面图；并且
19.图3为根据另一示例性实施方式的发光设备的横截面图。
具体实施方式
20.现将详细地参考实施方式，在附图中示出其示例，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。在这点上，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文陈述的描述。因此，下面仅通过参照各图描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。此外，诸如“至少一个”的表述，在一列元素之前时，修饰整列元素，而不是修饰该列的单个元素。
21.应当理解，当一个元件被称为“在”另一个元件“上”时，它可直接在另一个元件上，或者其间可存在中间元件。相反，当一个元件被称为“直接在”另一个元件上时，不存在中间元件。
22.应当理解，当一个元件被称为“在”另一个元件“上”，“连接到”、“电连接到”或“耦合到”另一个元件时，它可直接在另一个元件上，直接连接到、电连接到或耦合到另一个元件，或者可存在中间元件。
23.应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、组件、区、层和/或部分，这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区、层或部分与另一个元件、组件、区、层或部分。因此，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区”、“第一层”或“第一部分”可在不背离本文教导的情况下命名为第二元件、第二组件、第二区、第二层或第二部分。
24.本文使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的而非旨在限制。如本文使用的，“一个(a)”、“一个(an)”、“该(the)”和“至少一个”不表示数量的限制，而旨在涵盖单数和复数，除非上下文另外清楚地指示。例如，“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义，除非上下文另外清楚地指示。
[0025]“或”意指“和/或”。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。应进一步理解，术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”或“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，指定存在规定的特征、区、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
[0026]
此外，相对术语，比如“下”或“底部”和“上”或“顶部”，在本文中可用于描述如图示出的一个元件与另一个元件的关系。应当理解，相对术语旨在涵盖除了图中描绘的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个图中的装置被翻转，则描述为在其它元件的“下”侧的元件将被定向在其它元件的“上”侧。示例性术语“下”因而可涵盖“下”和“上”两种方位，这取决于图的特定取向。类似地，如果一个图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件“下面”或“在”其他元件“之下”的元件将被定向为“在”其他元件“上面”。示例性术语“下面”或“之下”因而可涵盖上面和下面两种方位。
[0027]
如在本文使用的“约”或“大约”包括规定值并意指由本领域普通技术人员考虑讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意指在一个或多个标准偏差内，或者在规定值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0028]
除非另外限定，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语，比如在常用词典中定义的术语，应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非本文明确定义，否则不会以理想化或过度正式的意义来解释。
[0029]
本文参考作为理想化实施方式的示意性图示的横截面图示描述示例性实施方式。正因如此，应预期，例如，由制造技术和/或公差造成的图示的形状的改变。因此，本文描述的实施方式不应解释为限于如本文示出的区的特定形状，而是包括例如由制造造成的形状的偏差。例如，图示或描述为平坦的区通常可具有粗糙和/或非线性的特征。此外，图示的锐角可为圆的。因此，图中示出的区本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区的精确形状，也不旨在限制本权利要求的范围。
[0030]
本公开的方面提供发光装置，其包括：
[0031]
第一电极；
[0032]
面对第一电极的第二电极；以及
[0033]
布置在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，
[0034]
其中发射层包括第一发射层和第二发射层，
[0035]
第一发射层包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，其中第二掺杂剂为电子捕获掺杂剂，并且
[0036]
第二发射层包括第三掺杂剂和第四掺杂剂，其中第四掺杂剂为空穴捕获掺杂剂。
[0037]
应当理解，术语“第二掺杂剂”可与术语“电子捕获掺杂剂”互换使用。类似地，应当理解，术语“第四掺杂剂”可与术语“空穴捕获掺杂剂”互换使用。
[0038]
在一个或多个实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括空穴传输区，空穴传输区布置在第一电极和发射层之间且包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合。
[0039]
在一个或多个实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，并且夹层可进一步包括电子传输区，电子传输区布置在发射层和第二电极之间且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。
[0040]
在一个或多个实施方式中，发射层的第一发射层可与第二发射层接触。在一个或多个实施方式中，发射层的第一发射层可与第二发射层直接接触。
[0041]
在一个或多个实施方式中，第一发射层可布置在第一电极的方向上，并且第二发射层可布置在第二电极的方向上。应当理解，当第一发射层布置在第一电极的方向上且第二发射层布置在第二电极的方向上时，第一发射层布置在夹层面对第一电极的一侧上，而第二发射层布置在夹层面对第二电极的一侧上。
[0042]
例如，第一发射层可布置在阳极方向上，且第二发射层可布置在阴极方向上。
[0043]
在一个或多个实施方式中，第一掺杂剂和第三掺杂剂可各自独立地包括荧光掺杂剂。例如，第一掺杂剂、第三掺杂剂或者第一掺杂剂和第三掺杂剂两者可各自独立地包括热激活延迟荧光掺杂剂。
[0044]
在一个或多个实施方式中，第一掺杂剂和第三掺杂剂中的至少一种可为含硼有机化合物。
[0045]
在一个或多个实施方式中，第一掺杂剂和第三掺杂剂可为相同的化合物。例如，第
一掺杂剂和第三掺杂剂可为相同的荧光掺杂剂。例如，第一掺杂剂和第三掺杂剂可为相同的热激活延迟荧光掺杂剂。
[0046]
在一个或多个实施方式中，第一掺杂剂和第三掺杂剂可为相同的化合物，并且第一掺杂剂可掺杂，例如在第一发射层和第二发射层上均匀地掺杂。例如，第一掺杂剂和第三掺杂剂可为相同的热激活延迟荧光掺杂剂化合物，并且热激活延迟荧光掺杂剂可掺杂，例如在由第一发射层和第二发射层组成的整个发射层上均匀地掺杂。
[0047]
在一个或多个实施方式中，第一掺杂剂和第三掺杂剂可发射荧光，并且电子捕获掺杂剂和空穴捕获掺杂剂可基本上不发射光。
[0048]
在发光装置中，系间窜跃(isc)在电子捕获掺杂剂中积极地发生，而不发射光，从而允许主体中产生的单重态激子转移至第一掺杂剂。
[0049]
在发光装置中，isc在空穴捕获掺杂剂中积极地发生，而不发射光，从而允许主体中产生的单重态激子转移到第三掺杂剂。
[0050]
在一个或多个实施方式中，包括电子捕获掺杂剂的第一发射层可位于阳极的方向上，并且包括空穴捕获掺杂剂的第二发射层可位于阴极的方向上，从而通过最大化发光区域来提高发光装置的效率和寿命。
[0051]
在一个或多个实施方式中，电子捕获掺杂剂可包括：包括氰(cn)部分的掺杂剂；包括三唑部分的掺杂剂；包括噁二唑部分的掺杂剂；包括芳族咪唑部分的掺杂剂；包括萘二酰亚胺部分的掺杂剂；包括苝部分的掺杂剂；包括三嗪部分的掺杂剂；包括吡啶部分的掺杂剂；或包括咔唑部分的掺杂剂。
[0052]
如本文使用的，包括芳族咪唑部分的掺杂剂指由下述结构表示的基团(其中为了方便起见省略了任选的取代基)：
[0053][0054]
如本文使用的，包括萘二酰亚胺部分的掺杂剂指由下述结构表示的基团(其中为了方便起见省略了任选的取代基)：
[0055][0056]
在一个或多个实施方式中，电子捕获掺杂剂可由式1表示：
[0057]
式1
[0058][0059]
在式1中，
[0060]
a可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0061]
b可为-f、-cl、-br、-i或氰基，
[0062]
a可为0、1或2，
[0063]
b可为选自0至5的整数，
[0064]
当a为2或更大时，每个a可彼此不同或彼此相同，
[0065]
当b为2或更大时，每个b可彼此不同或彼此相同，
[0066]
z1和z2可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的咔唑基，
[0067]
r1、r2和r3可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0068]
每个r
10a
可独立地为：
[0069]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0070]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其组合；
[0071]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其组合；或者
[0072]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且
[0073]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其组合。
[0074]
在一个或多个实施方式中，式1中的a和b不均为0。
[0075]
电子捕获掺杂剂可为下述化合物(2-1)至(2-4)中的一个或多个：
[0076][0077]
在一个或多个实施方式中，空穴捕获掺杂剂可为含铱磷光掺杂剂或含铂磷光掺杂剂。
[0078]
在一个或多个实施方式中，空穴捕获掺杂剂可为下述化合物(4-1)至(4-12)中的一个或多个：
[0079][0080]
在一个或多个实施方式中，电子捕获掺杂剂或空穴捕获掺杂剂可掺杂，例如在第一发射层或第二发射层上均匀地掺杂，或者可掺杂成具有浓度梯度。
[0081]
例如，当第一发射层位于第一电极的方向上并且第二发射层位于第二电极的方向上时，电子捕获(第二)掺杂剂可以浓度从第一发射层向第一电极增加的方式掺杂，并且空穴捕获(第四)掺杂剂可以浓度从第二发射层向第一发射层增加的方式掺杂。
[0082]
例如，当第一发射层位于第一电极的方向上并且第二发射层位于第二电极的方向上时，电子捕获(第二)掺杂剂可以浓度从第一发射层向第一电极增加的方式掺杂，并且空穴捕获(第四)掺杂剂可以浓度从第二发射层向第二电极增加的方式掺杂。
[0083]
例如，当第一发射层位于第一电极的方向上并且第二发射层位于第二电极的方向上时，电子捕获(第二)掺杂剂可以浓度从第一发射层向第二发射层增加的方式掺杂，并且空穴捕获(第四)掺杂剂可以浓度从第二发射层向第一发射层增加的方式掺杂。
[0084]
例如，当第一发射层位于第一电极的方向上并且第二发射层位于第二电极的方向上时，电子捕获(第二)掺杂剂可以浓度从第一发射层向第二发射层增加的方式掺杂，并且空穴捕获(第四)掺杂剂可以浓度从第二发射层向第二电极增加的方式掺杂。
[0085]
与其中电子捕获掺杂剂或空穴捕获掺杂剂均匀掺杂的发光装置相比，其中电子捕获掺杂剂或空穴捕获掺杂剂掺杂成具有浓度梯度的发光装置可具有卓越的效率和长的寿命。
[0086]
在一个或多个实施方式中，包括在第一发射层中的第一主体和包括在第二发射层中的第二主体可为相同的化合物。
[0087]
在一个或多个实施方式中，当第一发射层包括第一主体时，电子捕获掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可比第一主体的最低未占分子轨道(lumo)能级低，并且电子捕获掺杂剂的最高占据分子轨道(homo)能级可比第一主体的最高占据分子轨道(homo)能级低。也就是，在能量方面描述了电子捕获(第二)掺杂剂具有电子捕获性质。
[0088]
在一个或多个实施方式中，当第二发射层包括第二主体时，空穴捕获掺杂剂的lumo能级可比第二主体的lumo能级高，并且空穴捕获掺杂剂的homo能级可比第二主体的homo能级高。也就是，在能量方面描述了空穴捕获掺杂剂具有空穴捕获性质。
[0089]
本公开的另一方面提供了包括发光装置的电子设备的一个或多个示例性实施方式。
[0090]
在一个或多个实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管(tft)，
[0091]
其中薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且
[0092]
发光装置的第一电极可电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。
[0093]
在一个或多个实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。
[0094]
如本文使用的术语“夹层”指布置在发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有的多个层。
[0095]
图1的描述
[0096]
图1为根据一个或多个实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0097]
下文，将参考图1描述根据一个或多个实施方式的发光装置10的结构和制造根据一个或多个实施方式的发光装置10的方法。
[0098]
第一电极110
[0099]
在图1中，基板可另外布置在第一电极110下方或第二电极150上方。基板可为玻璃基板或塑料基板。基板可为柔性基板。在一个或多个实施方式中，基板可包括一种或多种具有卓越的耐热性和耐久性的热塑性塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或其组合。
[0100]
第一电极110可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110为阳极时，可注入空穴的高功函材料可用作用于形成第一电极110的材料。
[0101]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ito)、氧化铟
锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或其组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或其组合。
[0102]
第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构。
[0103]
夹层130
[0104]
夹层130可布置在第一电极110上。夹层130包括发射层。
[0105]
夹层130可进一步包括布置在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及布置在发射层和第二电极150之间的电子传输区。
[0106]
除了各种有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属元素化合物比如有机金属化合物和无机材料比如量子点等。
[0107]
夹层130可包括，i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射层，和ii)布置在两个发射层之间的电荷产生层。当夹层130包括如上描述的发射层和电荷产生层时，发光装置10可为串联发光装置。
[0108]
夹层130中的空穴传输区
[0109]
空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，单个层由多种不同的材料组成，或者iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同的材料。
[0110]
空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合。
[0111]
例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，各层以叙述的顺序依次堆叠在第一电极110上。
[0112]
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合：
[0113]
式201
[0114][0115]
式202
[0116][0117]
其中，在式201和202中，
[0118]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0119]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0120]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0121]
xa5可为选自1至10的整数，
[0122]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0123]r201
和r
202
可任选地经单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
(例如，咔唑基等)取代的c
8-c
60
多环基团(例如，参见化合物ht16)，
[0124]r203
和r
204
可任选地经单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基、或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0125]
na1可为选自1至4的整数。
[0126]
在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自包括由式cy201至cy217表示的基团中的至少一个：
[0127][0128]
在式cy201至式cy217中，r
10b
和r
10c
可各自与结合r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基团或c
1-c
20
杂环基团，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被至少一个如本文描述的r
10a
取代。
[0129]
在一个或多个实施方式中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0130]
在一个或多个实施方式中，式201和式202可各自包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0131]
在一个或多个实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至
少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0132]
在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至cy207中的一个表示的基团。
[0133]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(排除)由式cy201至式cy203中的任一个表示的基团。
[0134]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203中的任一个表示的基团，并可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0135]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy217中的任一个表示的基团。
[0136]
例如，空穴传输区可包括化合物ht1至ht44中的一种、m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4,4’,4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)或其组合：
[0137]
[0138]
[0139]
[0140]
[0141][0142]
空穴传输区的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其组合时，空穴注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[0143]
发射辅助层可通过根据由发射层发射的光的波长补偿光的共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可包括如上描述的材料。
[0144]
p-掺杂剂
[0145]
除了本文描述的材料之外，空穴传输区可进一步包括用于提高导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散于空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
[0146]
电荷产生材料可为，例如，p-掺杂剂。
[0147]
例如，p-掺杂剂的lumo能级(或功函)可等于或小于约-3.5电子伏特(ev)。
[0148]
在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素el1和元素el2的化合物或其组合。
[0149]
醌衍生物的实例包括tcnq和f4-tcnq。
[0150]
含氰基化合物的实例包括hat-cn和由式221表示的化合物：
[0151][0152]
式221
[0153][0154]
其中，在式221中，
[0155]r221
至r
223
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，并且
[0156]r221
至r
223
中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团：氰基；-f；-cl；-br；-i；被氰基、-f、-cl、-br、-i或其组合取代的c
1-c
20
烷基；或其组合。
[0157]
在含有元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可为金属、准金属或其组合，并且元素el2可为非金属、准金属或其组合。
[0158]
金属的实例为：碱金属，例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)或铯(cs)等；碱土金属，例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)或钡(ba)等；过渡金属，例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)或金(au)等；后过渡金属，例如，锌(zn)、铟(in)或锡(sn)等；和镧系金属，例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)或镥(lu)等。
[0159]
准金属的实例为硅(si)、锑(sb)和碲(te)。
[0160]
非金属的实例为氧(o)和卤素(例如，f、cl、br或i等)。
[0161]
含有元素el1和元素el2的化合物的实例为金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其组合。
[0162]
金属氧化物的实例为钨氧化物，例如，wo、w2o3、wo2、wo3或w2o5；钒氧化物，例如，vo、v2o3、vo2或v2o5；钼氧化物，例如，moo、mo2o3、moo2、moo3或mo2o5；和铼氧化物，例如，reo3。
[0163]
金属卤化物的实例为碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
[0164]
碱金属卤化物的实例为lif、naf、kf、rbf、csf、licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、
nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。
[0165]
碱土金属卤化物的实例为bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0166]
过渡金属卤化物的实例为钛卤化物(例如，tif4、ticl4、tibr4或tii4)、锆卤化物(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4或zri4)、铪卤化物(例如，hff4、hfcl4、hfbr4或hfi4)、钒卤化物(例如，vf3、vcl3、vbr3或vi3)、铌卤化物(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3或nbi3)、钽卤化物(例如，taf3、tacl3、tabr3或tai3)、铬卤化物(例如，crf3、crcl3、crbr3或cri3)、钼卤化物(例如，mof3、mocl3、mobr3或moi3)、钨卤化物(例如，wf3、wcl3、wbr3或wi3)、锰卤化物(例如，mnf2、mncl2、mnbr2或mni2)、锝卤化物(例如，tcf2、tccl2、tcbr2或tci2)、铼卤化物(例如，ref2、recl2、rebr2或rei2)、铁卤化物(例如，fef2、fecl2、febr2或fei2)、钌卤化物(例如，ruf2、rucl2、rubr2或rui2)、锇卤化物(例如，osf2、oscl2、osbr2或osi2)、钴卤化物(例如，cof2、cocl2、cobr2或coi2)、铑卤化物(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2或rhi2)、铱卤化物(例如，irf2、ircl2、irbr2或iri2)、镍卤化物(例如，nif2、nicl2、nibr2或nii2)、钯卤化物(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2或pdi2)、铂卤化物(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2或pti2)、铜卤化物(例如，cuf、cucl、cubr或cui)、银卤化物(例如，agf、agcl、agbr或agi)和金卤化物(例如，auf、aucl、aubr或aui)。
[0167]
后过渡金属卤化物的实例为锌卤化物(例如，znf2、zncl2、znbr2或zni2)、铟卤化物(例如，ini3)和锡卤化物(例如，sni2)。
[0168]
镧系金属卤化物的实例为ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。
[0169]
准金属卤化物的实例为锑卤化物(例如，sbcl5)。
[0170]
金属碲化物的实例为碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te或cs2te)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte或bate)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte或au2te)、后过渡金属碲化物(例如，znte)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte或lute)。
[0171]
夹层130中的发射层
[0172]
在一个或多个实施方式中，当发光装置10为全色发光装置时，发射层可根据子像素被图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此组合或混合以发射白光。
[0173]
在一个或多个实施方式中，发射层可包括第一发射层和第二发射层。
[0174]
在一个或多个实施方式中，发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其组合。
[0175]
基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。例如，基于100重量份的主体，掺杂剂可以约0.01重量份至约10重量份的量包括在发射层中。
[0176]
在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点，比如彼此各自相同或不同的多个量子点。
[0177]
在一个或多个实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。
[0178]
发射层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下展示卓越的发光特性。
[0179]
主体
[0180]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301表示的化合物：
[0181]
式301
[0182]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
[0183]
其中，在式301中，
[0184]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0185]
xb11可为1、2或3，
[0186]
xb1可为选自0至5的整数，
[0187]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0188]
xb21可为选自1至5的整数，并且
[0189]q301
至q
303
可各自与结合q1描述的相同。
[0190]
在一个或多个实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经单键彼此连接。
[0191]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其组合：
[0192]
式301-1
[0193][0194]
式301-2
[0195][0196]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0197]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0198]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0199]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0200]
l
301
、xb1和r
301
可各自与如上描述的相同，
[0201]
l
302
至l
304
可各自独立地与结合l
301
描述的相同，
[0202]
xb2至xb4可各自独立地与结合xb1描述的相同，并且
[0203]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可各自与结合r
301
描述的相同。
[0204]
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物。在一个或多个实施方式中，主体可为be复合物(例如，化合物h55)、mg复合物、zn复合物或其组合。
[0205]
在一个或多个实施方式中，主体可包括化合物h1至h124中的一种或多种、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4
’‑
双(n-咔唑基)-1,1
’‑
联苯(cbp)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)、tcta或其组合：
[0206]
[0207]
[0208]
[0209]
[0210]
[0211]
[0212][0213]
磷光掺杂剂
[0214]
空穴捕获掺杂剂可包括磷光掺杂剂。
[0215]
磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0216]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其组合。
[0217]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0218]
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0219]
式401
[0220]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0221]
其中，在式401中，
[0222]
m可为过渡金属，例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm)，
[0223]
l
401
可为由式402表示的配体，且xc1可为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0224]
l
402
可为有机配体，xc2可为0、1、2、3或4，且当xc2为2或更大时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0225]
式402
[0226][0227]
在式402中，x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0228]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，
[0229]
t
401
可为单键、-o-、-s-、-c(＝o)-、-n(q
411
)-、-c(q
411
)(q
412
)-、-c(q
411
)＝c(q
412
)-或-c(q
411
)＝，
[0230]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0231]q411
至q
414
可各自与结合q1描述的相同，
[0232]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0233]q401
至q
403
可各自与结合q1描述的相同，
[0234]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
[0235]
式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0236]
在一个或多个实施方式中，在式402中，i)x
401
可为氮，且x
402
可为碳，或者ii)x
401
和x
402
中的每一个可为氮。
[0237]
在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
中的两个环a
401
可任选地经t
402
(其为连接基团)彼此连接，或者两个或更多个l
401
中的两个环a
402
可任选地经t
403
(其为连接基团)彼此连接(例如，参见化合物pd1至pd4和pd7)。t
402
和t
403
可各自与结合t
401
描述的相同。
[0238]
在式401中，l
402
可为有机配体。例如，l
402
可为卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸基)、-c(＝o)、异腈基、-cn基、磷基(例如，膦基或亚磷酸基)或其组合。
[0239]
磷光掺杂剂可包括，例如，化合物pd1至pd26中的一种，或其组合：
[0240][0241]
荧光掺杂剂
[0242]
电子捕获掺杂剂可与如上描述的相同。
[0243]
第一掺杂剂和/或第三掺杂剂可为荧光掺杂剂。
[0244]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其组合。
[0245]
例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[0246]
式501
[0247][0248]
其中，在式501中，
[0249]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0250]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0251]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0252]
在一个或多个实施方式中，式501中的ar
501
可为稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)，其中三个或更多个单环基团稠合在一起。
[0253]
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0254]
例如，荧光掺杂剂可包括化合物fd1至fd36中的一种、dpvbi、dpavbi或其组合：
[0255]
[0256]
[0257][0258]
延迟荧光材料
[0259]
第一掺杂剂可为热激活延迟荧光(tadf)材料(掺杂剂)，第三掺杂剂可为热激活延迟荧光材料，或者第一掺杂剂和第三掺杂剂两者可为热激活延迟荧光材料。
[0260]
本文使用的延迟荧光材料可为能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的任何化合物。
[0261]
包括在发射层中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型。
[0262]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(以电子伏特，ev为单位)之间的差可等于或大于约0ev或者等于或小于约0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(以ev为单位)和延迟荧光材料的单重态能级(以ev为单位)之间的差满足上述范围时，延迟荧光材料从三重态转移到单重态的上转换可有效地发生，从而提高发光装置10的发光效率。
[0263]
例如，延迟荧光材料可包括i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基
团)的材料，或者ii)包括c
8-c
60
多环基团的材料，其中两个或更多个环状基团共用硼(b)且彼此稠合。
[0264]
延迟荧光材料可包括化合物df1至df10中的至少一种：
[0265][0266]
量子点
[0267]
发射层可包括量子点，例如多个量子点。
[0268]
本文使用的量子点指半导体化合物的晶体，并可包括能够根据晶体尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
[0269]
量子点的直径可在，例如，约1纳米(nm)至约10nm的范围内。
[0270]
量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似于这些工艺的工艺来合成。
[0271]
湿化学工艺指混合有机溶剂和前体材料，然后量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂充当在量子点晶体的表面天然配位的分散剂，并且控制晶体的生长。因此，通过使用与气相沉积工艺相比易于以低成本进行的工艺，比如金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺和分子束外延(mbe)工艺，可控制量子点颗粒的生长。
[0272]
量子点可包括第iii-vi族半导体化合物；第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；第iv族元素或化合物，或其组合。
[0273]
第iii-vi族半导体化合物的实例为：二元化合物，比如in2s3、gas、gase、ga2se3、
gate、ins、inse、in2se3或inte；三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、ingas3或ingase3；或其组合。
[0274]
第ii-vi族半导体化合物的实例为：二元化合物，比如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，比如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或其组合。
[0275]
第iii-v族半导体化合物的实例为：二元化合物，比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas或insb；三元化合物，比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas或inpsb；四元化合物，比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas或inalpsb；或其组合。第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例为inznp、ingaznp和inalznp。
[0276]
第i-iii-vi族半导体化合物的实例为：三元化合物，比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或其组合。
[0277]
第iv-vi族半导体化合物的实例为：二元化合物，比如sns、snse、snte、pbs、pbse或pbte；三元化合物，比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse或snpbte；四元化合物，比如snpbsse、snpbsete或snpbste；或其组合。
[0278]
第iv族元素或化合物的实例为：单个元素，比如si或ge；二元化合物，比如sic或sige；或其组合。
[0279]
包含在多元素化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中的每种元素可以均匀浓度或非均匀浓度存在颗粒中。
[0280]
同时，量子点可具有单一结构或核壳的双重结构，单一结构具有包含在相应量子点中的每种元素的均匀浓度。在一个或多个实施方式中，包含在核中的材料可不同于包含在壳中的材料。
[0281]
量子点的壳可用作保护层，通过防止核的化学退化用于保持半导体特性，和/或可用作充电层，用于将电泳特性赋予量子点。壳可为单个层或多个层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度向中心降低。
[0282]
量子点的壳的实例为金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。金属或非金属的氧化物的实例为：二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或其组合。如本文描述的半导体化合物的实例为第iii-vi族半导体化合物、第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物或其组合。例如，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其组合。
[0283]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可等于或小于约45nm，例如，等于或小于约40nm，并且例如，等于或小于约30nm。当量子点的发射波长光谱的fwhm在这些范围内时，可提高颜色纯度或颜色再现。此外，通过这种量子点发射的光被全方位照射。因此，可增
加宽视角。
[0284]
另外，量子点可为球形、锥体、多臂或立方体纳米颗粒；纳米管；纳米线；纳米纤维；或纳米片颗粒。
[0285]
通过调节多个量子点中量子点的尺寸，也可调节能带隙，从而在量子点发射层中获得各种波长的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可实现发射各种波长的光的发光装置。具体而言，量子点的尺寸可被选择为发射红光、绿光和/或蓝光。此外，量子点的尺寸可被调节，使得不同颜色的光被组合以发射白光。
[0286]
夹层130中的电子传输区
[0287]
电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，单个层包括单种材料，ii)由单个层组成的单层结构，单个层包括多种不同的材料，或者iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同的材料。
[0288]
电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。
[0289]
例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每种结构中，各层以叙述的顺序依次堆叠在发射层上。
[0290]
电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可包括无金属化合物，无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0291]
在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：
[0292]
式601
[0293]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
[0294]
其中，在式601中，
[0295]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0296]
xe11可为1、2或3，
[0297]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0298]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0299]q601
至q
603
可各自与结合q1描述的相同，
[0300]
xe21可为1、2、3、4或5，并且
[0301]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0302]
在一个或多个实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经单键彼此连接。
[0303]
在一个或多个实施方式中，式601中的ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0304]
在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[0305]
式601-1
[0306][0307]
其中，在式601-1中，
[0308]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，且x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0309]
l
611
至l
613
可各自与结合l
601
描述的相同，
[0310]
xe611至xe613可各自与结合xe1描述的相同，
[0311]r611
至r
613
可各自与结合r
601
描述的相同，并且
[0312]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团。
[0313]
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0314]
电子传输区可包括化合物et1至et45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、taz、ntaz或其组合：
[0315]
[0316]
[0317][0318]
电子传输区的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层或其组合时，空穴阻挡层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内，并且电子传输层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[0319]
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0320]
含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其组合。碱金属复合物的金属离子可为li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其组合。
[0321]
在一个或多个实施方式中，含金属材料可包括li复合物。li复合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或et-d2：
[0322]
[0323]
电子传输区可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可与第二电极150直接接触。
[0324]
电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，单个层由多种不同的材料组成，或者iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同的材料。
[0325]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其组合。
[0326]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其组合。
[0327]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或其组合。
[0328]
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物，比如li2o、cs2o或k2o，碱金属卤化物，比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki，或其组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)或ba
x
ca
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其组合。例如，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例为late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0329]
碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)作为与金属离子连接的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其组合。
[0330]
电子注入层可由碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其组合组成，或者可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0331]
在一个或多个实施方式中，电子注入层可由以下组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，或者ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其组合。例如，电子注入层可为ki:yb共沉积层或rbi:yb共沉积层。
[0332]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其组合可均匀地或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。
[0333]
电子注入层的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压无显著增加的情况下获得令人满意的电子注入特性。
[0334]
第二电极150
[0335]
第二电极150布置在具有这种结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入
电极的阴极，并且可使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其组合作为用于形成第二电极150的材料。
[0336]
第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito和izo中的至少一种。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0337]
第二电极150可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
[0338]
封盖层
[0339]
第一封盖层可布置在第一电极110外侧和/或第二封盖层可布置在第二电极150外侧。详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110，夹层130和第二电极150以叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110，夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一封盖层、第一电极110，夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构。
[0340]
发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过作为半透射电极或透射电极的第一电极110和第一封盖层向外提取，并且发光装置10的夹层130的发射层中产生的光可通过作为半透射电极或透射电极的第二电极150和第二封盖层向外提取。
[0341]
第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉原理增加外部发光效率。因此，发光装置10的光提取效率增加，从而可提高发光装置10的发光效率。
[0342]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括折射率等于或大于1.6(在589nm)的材料。
[0343]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的复合封盖层。
[0344]
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有o、n、s、se、si、f、cl、br、i或其组合的取代基取代。在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0345]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合。
[0346]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至ht33中的一种、化合物cp1至cp6中的一种、β-npb或其组合：
[0347][0348]
电子设备
[0349]
发光装置可包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。
[0350]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可布置在从发光装置发射的光的至少一个传播方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光。发光装置可与如上描述的相同。在一个或多个实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如本文描述的量子点。
[0351]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0352]
像素限定层可布置在多个子像素区域之间以限定每个子像素区域。
[0353]
滤色器可进一步包括滤色器区域和布置在滤色器区域的相邻滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括颜色转换区域和布置在颜色转换区域的相邻颜色转换区域之间的遮光图案。
[0354]
滤色器区域(或，多个颜色转换区域)包括：发射第一-颜色光的第一区域；发射第二-颜色光的第二区域；和/或发射第三-颜色光的第三区域，并且第一-颜色光、第二-颜色光和/或第三-颜色光可具有不同的最大发光波长。在一个或多个实施方式中，第一-颜色光
可为红光，第二-颜色光可为绿光，且第三-颜色光可为蓝光。在一个或多个实施方式中，滤色器区域或颜色转换区域可包括量子点。在一个或多个实施方式中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，且第三区域可不包括量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和第三区域中的每一个可进一步包括散射体。
[0355]
在一个或多个实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一第一-颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二第一-颜色光，且第三区域可吸收第一光以发射第三第一-颜色光。在这一点上，第一第一-颜色光、第二第一-颜色光和第三第一-颜色光可具有彼此不同的最大发光波长。在一个或多个实施方式中，第一光可为蓝光，第一第一-颜色光可为红光，第二第一-颜色光可为绿光，且第三第一-颜色光可为蓝光。
[0356]
除了如上描述的发光装置10之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可电连接到发光装置10的第一电极和第二电极中的任一个。
[0357]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘层等。
[0358]
有源层可包括结晶硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。
[0359]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置10的密封部分。密封部分可布置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置10的光被提取到外部，同时防止环境空气和水分渗透到发光装置10中。密封部分可为包括透明的玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为薄膜封装层，其包括有机层和无机层中的至少一个层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。
[0360]
在密封部分上，除了滤色器和/或颜色转换层之外，其他功能层可根据电子装置的用途被进一步布置。功能层可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，生物测定认证设备，用于通过使用生物测量体(例如指尖或瞳孔等)的生物测量信息来认证个体。
[0361]
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0362]
电子设备可应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖仪、脉搏测量设备、脉搏波测量设备、心电图显示器、超声诊断设备或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船只的仪表)和投影仪等。
[0363]
图2和图3的描述
[0364]
图2为根据一个或多个本公开的示例性实施方式的发光设备的横截面图。
[0365]
图2中描绘的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。
[0366]
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可布置在基板100上。缓冲层210可防止杂质渗透穿过基板100，并且可在基板100上提供平坦的表面。
[0367]
tft可布置在缓冲层210上。tft可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0368]
有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并可包括源区、漏区和沟道区。
[0369]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可布置在有源层220上，并且栅
电极240可布置在栅绝缘膜230上。
[0370]
夹层绝缘膜250可布置在栅电极240上。夹层绝缘膜250可布置在栅电极240和源电极260之间，以将栅电极240与源电极260绝缘，并且布置在栅电极240和漏电极270之间，以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0371]
源电极260和漏电极270可布置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可布置为与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0372]
tft可电连接到发光装置以驱动发光装置，并且可被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置可提供在钝化层280上。发光装置包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0373]
第一电极110可布置在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并暴露一部分漏电极270，并且第一电极110可连接到漏电极270的暴露部分。
[0374]
包括绝缘材料的像素限定层290可布置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的某区，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为含聚酰亚胺或聚丙烯酸的有机膜。尽管未在图2中显示，但是夹层130的至少一些层可延伸超出像素限定层290的上部，因此可以公共层的形式布置。
[0375]
第二电极150可布置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0376]
封装部分300可布置在封盖层170上。封装部分300可布置在发光装置上并且保护发光装置免受水分或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、铟锡氧化物、铟锌氧化物或其组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油醚(age))或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0377]
图3为根据本公开的一个或多个实施方式的发光设备的横截面图。
[0378]
图3的发光设备与结合图2描述的发光设备相同，不同在于遮光图案500和功能区400另外布置在封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施方式中，包括在图3的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。
[0379]
制备方法
[0380]
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过使用一种或多种适当的方法形成于某区中，方法包括真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像。
[0381]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，通过考虑要形成的层中要包含的材料和要形成的层的结构，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度，约10-8
托至约10-3
托的真空度和约至约的沉积速度下进行。
[0382]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋涂形成时，通过考虑要形成的层中要包含的材料和要形成的层的结构，旋涂可在约2,000转每分钟(rpm)至约5,000rpm的涂层速度和在约80℃至约200℃的热处理温度下进行。
[0383]
取代基的定义
[0384]
如本文所使用的术语“c
3-c
60
碳环基团”指仅包括碳作为成环原子且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文所使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”指具有1至60个碳原子且进一步包括除碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基团的成环原子的数量可为3至61。
[0385]
如本文所使用的术语“环状基团”包括c
3-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团。
[0386]
如本文所使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文所使用的术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基团。
[0387]
例如，
[0388]c3-c
60
碳环基团可为i)基团t1，或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基，
[0389]c1-c
60
杂环基团可为i)基团t2，ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，例如，吡咯基，噻吩基，呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并呋喃基，
[0390]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1，ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，iii)基团t3，iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，例如，c
3-c
60
碳环基团、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基或苯并噻吩并二苯并噻吩基，
[0391]
缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为i)基团t4，ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团，iv)其
中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并呋喃基，
[0392]
基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或，二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0393]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基，
[0394]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0395]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0396]
如本文所使用的术语“环状基团、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、富π电子的c
3-c
60
环状基团或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指根据用相应术语描述的式的结构，与环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)稠合的基团。例如，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，其根据包括“苯基”的式的结构可容易被本领域普通技术人员理解。
[0397]
单价c
3-c
60
碳环基团和单价c
1-c
60
杂环基团的实例为c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基团和二价c
1-c
60
杂环基团的实例为c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
[0398]
如本文所使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其实例为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文所使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指具有与c
1-c
60
烷基相同的结构的二价基团。
[0399]
如本文所使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，且其实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文所使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指具有与c
2-c
60
烯基相同的结构的二价基团。
[0400]
如本文所使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，且其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文所使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指具有与c
2-c
60
炔基相同的结构的二价基团。
[0401]
如本文所使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)表示的单价基团，且其实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0402]
如本文所使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，且其实例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文所使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指具有与c
3-c
10
环烷基相同的结构的二价基团。
[0403]
如本文所使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的单价环状基团，且其实例为1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文所使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指具有与c
1-c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0404]
如本文所使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指具有3至10个碳原子和在其环中的至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环状基团，且其非限制性实例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文所使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指具有与c
3-c
10
环烯基相同的结构的二价基团。
[0405]
如本文所使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，具有1至10个碳原子和在其环状结构中的至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文所使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指具有与c
1-c
10
杂环烯基相同的结构的二价基团。
[0406]
如本文所使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有碳环芳族系统的单价基团，碳环芳族系统具有6至60个碳原子，且如本文所使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有碳环芳族系统的二价基团，碳环芳族系统具有6至60个碳原子。c
6-c
60
芳基的实例为苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。
[0407]
如本文所使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，并具有1至60个碳原子。如本文所使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，杂环芳族系统除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，并具有1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。
[0408]
如本文所使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环，仅碳原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的实例为茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文所使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有与单价非芳族稠合
多环基团相同的结构的二价基团。
[0409]
如本文所使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环，具有至少一个不是碳原子的杂原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的实例为吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文所使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有与单价非芳族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
[0410]
如本文所使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)，且如本文所使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0411]
如本文所使用的基团“r
10a”可为：
[0412]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0413]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其组合；
[0414]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其组合；或者
[0415]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0416]
在本公开中，q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其组合。
[0417]
如本文所使用的术语“杂原子”指不是碳原子的任何原子。杂原子的实例包括o、s、n、p、si、b、ge、se或其组合。
[0418]
如本文所使用的术语“ph”指苯基，如本文所使用的术语“me”指甲基，如本文所使用的术语“et”指乙基，如本文所使用的术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，且如本文所使用的术语“ome”指甲氧基。
[0419]
如本文所使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具
有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0420]
如本文所使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0421]
除非另外定义，否则如本文所使用的*和*'各自指与相应式中的相邻原子的结合位点。
[0422]
下文，将参考实施例进一步详细地描述根据一个或多个示例性实施方式的化合物和根据一个或多个示例性实施方式的发光装置。
[0423]
实施例
[0424]
发光装置的制造
[0425]
比较例1
[0426]
将ito玻璃基板(阳极)切割成50毫米(mm)x50mm x 0.7mm的尺寸，用异丙基醇和去离子水各自超声5分钟，然后通过暴露于紫外射线和臭氧来清洁30分钟。然后，向真空沉积设备提供ito玻璃基板。
[0427]
将dntpd真空沉积在基板上以形成厚度为的空穴注入层。将作为空穴传输化合物的npb真空沉积在空穴注入层上以形成厚度为的空穴传输层。
[0428]
将tcta(主体)、df10(第一掺杂剂)和化合物2-4(电子捕获掺杂剂)沉积在空穴传输层上以形成厚度为的发射层(其中基于100wt％的主体，第一掺杂剂和电子捕获掺杂剂中的每一种以5wt％均匀地掺杂)。
[0429]
将tpm-taz和liq以5:5的重量比沉积在发射层上以形成厚度为的电子传输层。
[0430]
将yb真空沉积在电子传输层上以形成的厚度，随后将agmg真空沉积在其上以形成厚度为的阴极，并且将cp6沉积在阴极上以形成厚度为的封盖层，从而完成比较发光装置的制造。
[0431]
比较例2
[0432]
以与比较例1相同的方式制造发光装置，不同在于在形成发射层中使用化合物4-12代替化合物2-4。
[0433]
比较例3
[0434]
以与比较例2相同的方式制造发光装置，不同在于在形成发射层中化合物4-12掺杂成具有浓度梯度(其中发射层中化合物4-12的掺杂浓度被制成从阳极向阴极减少)。
[0435]
实施例1
[0436]
以与比较例1相同的方式制造发光装置，不同在于将tcta(主体)、df10(第一掺杂剂)和化合物2-4(电子捕获掺杂剂)沉积在空穴传输层上以形成厚度为的第一发射层(其中基于100wt％的主体，第一掺杂剂和电子捕获掺杂剂中的每一种的量为5wt％)，并且
[0437]
将tcta(主体)、df10(第三掺杂剂)和化合物4-12(空穴捕获掺杂剂)沉积在第一发射层上以形成厚度为的第二发射层(其中基于100wt％的主体，第三掺杂剂和空穴捕获(第四)掺杂剂中的每一种为5wt％)。
[0438]
实施例2
[0439]
以与实施例1相同的方式制造发光装置，不同在于在形成第一发射层中化合物2-4
掺杂成具有浓度梯度以及在形成第二发射层中化合物4-12掺杂成形成浓度梯度(其中第一发射层中化合物2-4的掺杂浓度被制成从阳极向阴极减少并且第二发射层中化合物4-12的掺杂浓度被制成从阳极向阴极增加。
[0440]
比较例4
[0441]
以与实施例1相同的方式制造比较发光装置，不同在于使用df10作为第一掺杂剂，使用化合物2-4作为电子捕获(第二)掺杂剂，使用dabna-2作为第三掺杂剂，并且使用化合物2-4作为空穴捕获(第四)掺杂剂。
[0442]
比较例5
[0443]
以与比较例4相同的方式制造比较发光装置，不同在于使用化合物4-12作为电子捕获(第二)掺杂剂并且使用化合物4-12作为空穴捕获(第四)掺杂剂。
[0444]
比较例6
[0445]
以与实施例1相同的方式制造比较发光装置，不同在于将作为主体的tcta和作为掺杂剂的df10沉积在第一发射层上以形成厚度为的第二发射层(其中基于100wt％的主体，掺杂剂的量为5wt％)。
[0446]
比较例7
[0447]
以与实施例1相同的方式制造比较发光装置，不同在于使用tcta作为主体，使用df10作为第一掺杂剂，使用化合物4-12作为电子捕获(第二)掺杂剂以形成第一发射层，并且将作为主体的tcta和作为掺杂剂的df10沉积在第一发射层上以形成第二发射层(其中基于100wt％的主体，掺杂剂的量为5wt％)。
[0448]
为了评估比较例1至7以及实施例1和2的发光装置的特性，测量在10毫安每平方厘米(ma/cm2)的电流密度下的效率和寿命。
[0449]
通过使用测量设备c9920-2-12(由hamamatsu photonics制造)测量发光装置的效率。
[0450]
下面提供dntp、npb和dabna-2的各个结构：
[0451][0452]
表1
[0453] eqe(％)t
95
(hr)比较例118.040比较例219.855比较例319.870实施例119.580实施例218.995
比较例418.245比较例518.555比较例617.548比较例716.560
[0454]
在表1中，eqe指外部量子效率，并且在1,000坎德拉每平方米(cd/m2或尼特)下测量。t
95
为寿命并且为，当装置在1,000cd/m2运行时，装置的亮度降低到其初始值(100％)的95％所用的时间(小时，hr)
[0455]
参见表1，确定实施例1和2的发光装置与比较例1以及4至7的发光装置相比具有卓越的效率和长寿命。比较例2和3的发光装置因略有不同的效率优于实施例1和2的发光装置，但是显示出相对差的寿命。
[0456]
考虑效率和寿命两者，确定实施例的发光装置优于比较例的发光装置。
[0457]
能量测量
[0458]
表2中显示了tcta、化合物2-4和4-12以及df10的homo和lumo能级，其中各值以电子伏特(ev)列出。
[0459]
表2
[0460] homo(ev)lumo(ev)tcta-5.69-2.40化合物2-4-5.70-2.63化合物4-12-5.09-1.97df10-5.17-2.17
[0461]
当tcta以及化合物2-4和4-12的能量关系如表2显示时，化合物2-4不发射光，但是系间窜跃(isc)积极地发生，从而使tcta中产生的单重态激子能顺利地转移到df10。
[0462]
同样地，对于上面能量关系，化合物4-12不发射光，但isc积极地发生，从而使主体中产生的单重态激子顺利转移到df10。
[0463]
换句话说，这很好地对应于本公开的发光装置具有卓越的效率和长寿命的结果。
[0464]
根据一个或多个实施方式，发光装置相比于现有技术中的装置，显示出提高的效率和长寿命的结果。
[0465]
应理解，本文描述的示例性实施方式应该仅被认为是描述性的，而不是出于限制的目的。每个示例性实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他示例性实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图详细描述了一个或多个示例性实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可在形式和细节上进行各种改变。

技术特征：
1.一种发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的夹层，其中所述发射层包括第一发射层和第二发射层，所述第一发射层包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂为电子捕获掺杂剂，并且所述第二发射层包括第三掺杂剂和第四掺杂剂，其中所述第四掺杂剂为空穴捕获掺杂剂。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，并且所述夹层进一步包括空穴传输区，所述空穴传输区布置在所述第一电极和所述发射层之间且包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，并且所述夹层进一步包括电子传输区，所述电子传输区布置在所述发射层和所述第二电极之间且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其组合。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层与所述第二发射层接触。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层布置在所述第一电极的方向上，并且所述第二发射层布置在所述第二电极的方向上。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第三掺杂剂各自独立地为荧光掺杂剂。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第三掺杂剂为相同的化合物。8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第三掺杂剂为相同的化合物，并且所述第一掺杂剂均匀地掺杂在所述第一发射层和所述第二发射层上。9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第三掺杂剂发射荧光，并且所述电子捕获掺杂剂和所述空穴捕获掺杂剂不发射光。10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子捕获掺杂剂包括：包括氰部分的掺杂剂；包括三唑部分的掺杂剂；包括噁二唑部分的掺杂剂；包括芳族咪唑部分的掺杂剂；包括萘二酰亚胺部分的掺杂剂；包括苝部分的掺杂剂；包括三嗪部分的掺杂剂；包括吡啶部分的掺杂剂；和包括咔唑部分的掺杂剂。11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子捕获掺杂剂由式1表示：式1
其中，在式1中，a为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团，b为-f、-cl、-br、-i或氰基，a为0、1或2，b为选自0至5的整数，当a为2或更大时，每个a彼此不同或彼此相同，当b为2或更大时，每个b彼此不同或彼此相同，z1和z2各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的咔唑基，r1、r2和r3各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基团、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，每个r
10a
独立地为：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其组合；各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基团、c
1-c
60
杂环基团、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其组合；或者-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
各自独立地为氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其
组合。12.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴捕获掺杂剂为含铱磷光掺杂剂或含铂磷光掺杂剂。13.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一掺杂剂和所述第三掺杂剂中的至少一种为含硼有机化合物。14.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子捕获掺杂剂掺杂成具有浓度梯度，所述空穴捕获掺杂剂掺杂成具有浓度梯度，或者所述电子捕获掺杂剂和所述空穴捕获掺杂剂两者掺杂成具有浓度梯度。15.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层包括第一主体，所述第二发射层包括第二主体，并且所述第一主体和所述第二主体彼此相同。16.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层包括第一主体，所述电子捕获掺杂剂的最低未占分子轨道能级比所述第一主体的最低未占分子轨道能级低，并且所述电子捕获掺杂剂的最高占据分子轨道能级比所述第一主体的最高占据分子轨道能级低。17.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二发射层包括第二主体，所述空穴捕获掺杂剂的最低未占分子轨道能级比所述第二主体的最低未占分子轨道能级高，并且所述空穴捕获掺杂剂的最高占据分子轨道能级比所述第二主体的最高占据分子轨道能级高。18.一种电子设备，包括权利要求1至17中任一项所述的发光装置。19.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接到所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一种。20.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。

技术总结
本申请提供了发光装置和包括其的电子设备。发光装置包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及布置在第一电极和第二电极之间且包括发射层的夹层，其中发射层包括第一发射层和第二发射层，第一发射层包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，其中第二掺杂剂为电子捕获掺杂剂，且第二发射层包括第三掺杂剂和第四掺杂剂，其中第四掺杂剂为空穴捕获掺杂剂。中第四掺杂剂为空穴捕获掺杂剂。中第四掺杂剂为空穴捕获掺杂剂。


技术研发人员：申孝燮 内城强 金贤英 兪东润 李汦映
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.06.29
技术公布日：2022/3/8