发光元件的制作方法

1.本发明涉及一种发光元件。


背景技术：

2.在专利文献1中公开有一种面发光型半导体激光器阵列，其包括：接触层，其形成于基板上；复数个台面结构，其形成于接触层上，且包括第1导电型第1半导体多层膜反射镜、第1半导体多层膜反射镜上的活性区域及活性区域上的第2导电型第2半导体多层膜反射镜；第1金属层，其形成为覆盖台面结构周围的包括所述接触层的区域，并且其一部分成为第1导电型电极焊盘；绝缘膜，其形成为覆盖在第1金属层上且除台面结构的上表面以外的区域；第2金属层，其形成为覆盖在绝缘膜上且包括台面结构的上表面的一部分的区域，并且其一部分成为第2导电型电极焊盘。
3.专利文献1：日本特开2017-050463号公报


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种在经由沟槽形成电流狭窄层的发光元件中，即使在芯片外缘部与发光区域之间设置了焊盘的情况下，也能够抑制产生泄漏电流的发光元件。
5.第1方式所涉及的一种发光元件，其由具有电流狭窄层的层叠体构成，所述发光元件包括：半导体基板；发光部，其具备到达所述电流狭窄层的深度的复数个第1凹部及电流狭窄结构，所述电流狭窄结构形成于所述电流狭窄层，并且具有所述电流狭窄层被氧化的氧化区域和被该氧化区域包围的非氧化区域；电极焊盘，其配置于所述发光部与所述半导体基板的外缘部之间；及高低差部，其配置于所述电极焊盘与发光部之间，并且从所述层叠体的上表面形成到所述电流狭窄层，被所述高低差部包围的区域的电流狭窄层除了所述非氧化区域以外成为所述氧化区域。
6.根据第1方式所涉及的发光元件，在第2方式所涉及的发光元件中，还包括形成于所述电极焊盘与所述发光部之间的第2凹部，所述高低差部由所述第2凹部的所述发光部侧的侧壁形成。
7.根据第2方式所涉及的发光元件，在第3方式所涉及的发光元件中，所述第1凹部的宽度与所述第2凹部的宽度的关系为第1凹部的宽度≤第2凹部的宽度。
8.根据第1方式至第3方式中任一方式所涉及的发光元件，在第4方式所涉及的发光元件中，所述高低差部的俯视时的形状为直线。
9.根据第1方式至第3方式中任一方式所涉及的发光元件，在第5方式所涉及的发光元件中，所述高低差部的俯视时的形状为包括直线和曲线的形状。
10.根据第1方式至第5方式中任一方式所涉及的发光元件，在第6方式所涉及的发光元件中，所述发光部中的所述氧化区域距所述第1凹部的端部的距离a与所述高低差部与所述第1凹部之间的所述层叠体的宽度b满足b＜2
×
a的关系。
11.根据第1方式、第4方式至第6方式中任一方式所涉及的发光元件，在第7方式所涉
及的发光元件中，所述发光部构成为包括形成于所述半导体基板上的下部多层膜反射镜、活性层、上部多层膜反射镜的面发光型激光器，所述电极焊盘经由绝缘膜形成于所述下部多层膜反射镜的上部。
12.根据第1方式至第6方式中任一方式所涉及的发光元件，在第8方式所涉及的发光元件中，所述发光部构成为包括形成于所述半导体基板上的下部多层膜反射镜、活性层、上部多层膜反射镜的面发光型激光器，所述电极焊盘经由绝缘膜形成于所述上部多层膜反射镜的上部。
13.根据第1方式至第8方式中任一方式所涉及的发光元件，在第9方式所涉及的发光元件中，具备复数个所述发光部。
14.发明效果
15.根据本发明的第1方式，发挥如下效果：能够提供一种在经由沟槽形成电流狭窄层的发光元件中，即使在芯片外缘部与发光区域之间设置了焊盘的情况下，也能够抑制产生泄漏电流的发光元件。
16.根据本发明的第2方式，发挥如下效果：与不包括第2凹部的情况相比，更容易形成高低差部。
17.根据本发明的第3方式，发挥如下效果：和第1凹部的宽度与第2凹部的宽度的关系为第1凹部的宽度＞第2凹部的宽度的情况相比，能够更可靠地形成氧化区域。
18.根据本发明的第4方式，发挥如下效果：与高低差部的俯视时的形状包括曲线的情况相比，更容易形成高低差部。
19.根据本发明的第5方式，发挥如下效果：与高低差部的俯视时的形状为直线的情况相比，能够更精确地控制氧化区域的形成。
20.根据本发明的第6方式，发挥如下效果：和发光部中的氧化区域距第1凹部的端部的距离a，与高低差部与第1凹部之间的层叠体的宽度b满足b≥2
×
a的关系的情况相比，能够更可靠地抑制产生泄漏电流。
21.根据本发明的第7方式，发挥如下效果：与经由绝缘膜将电极焊盘形成于上部多层膜反射镜的上部的情况相比，更容易形成电极焊盘。
22.根据本发明的第8方式，发挥如下效果：与经由绝缘膜将电极焊盘形成于下部多层膜反射镜的上部的情况相比，更容易将发光元件安装于外部的基板等。
23.根据本发明的第9方式，发挥如下效果：在发光元件阵列中，即使在芯片外缘部与发光区域之间设置了焊盘的情况下，也能够抑制产生泄漏电流。
附图说明
24.根据以下附图，对本发明的实施方式进行详细叙述。
25.图1是表示第1实施方式所涉及的发光元件的结构的一例的俯视图及剖视图；
26.图2是第1实施方式所涉及的发光元件的沿不通过沟槽的直线的剖视图；
27.图3是关于以往技术所涉及的发光元件中的泄漏电流的路径进行说明的图；
28.图4的(a)是第1实施方式所涉及的发光元件的高低差部的形状为直线时的俯视图，图4的(b)是第1实施方式所涉及的发光元件的高低差部的形状包括曲线时的俯视图；
29.图5是表示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一例的工序流程图；
30.图6是表示第2实施方式所涉及的发光元件的结构的一例的俯视图及剖视图。
31.符号说明
32.10、10a、10b-发光元件，11-基板，12-下部dbr，13-层间绝缘膜，14-上部dbr，15-活性层，16-电流狭窄层，16a-非氧化区域，16b-氧化区域，17-阳极配线，18-阳极焊盘，19-射出开口，20-阳极电极，21-阴极电极，22、22-1、22-2、22-3、22-4-沟槽，23、23a-凹部，24-外缘部，25、26、27-氧化前沿，30-发光区域，31-发光部，32、32a-层叠区域，33-圆弧部，d1、d2、d3-方向，e1、e2、e3-高低差部，iv-电流，ir-泄漏电流，po-射出光
具体实施方式
33.以下，参考附图对用于实施本发明的方式进行详细说明。另外，在以下的说明中，例示出将本发明所涉及的发光元件适用于具有复数个发光部的光元件阵列的方式进行说明，但也可以设为适用于具有单一发光部的发光元件的方式。并且，在以下的说明中，例示出适用vcsel(vertical cavity surface emitting laser：垂直腔面发射激光器)作为本发明所涉及的发光元件的方式进行说明，但并不限于此，也可以设为适用于led(light emitting diode：发光二极管)等的方式。
34.[第1实施方式]
[0035]
参考图1至图5对本实施方式所涉及的发光元件10进行说明。图1所示的＜1＞表示发光元件10的俯视图，＜4＞及＜5＞表示局部放大图，＜2＞表示沿＜4＞所示的a-a’线的剖视图，＜3＞表示沿＜5＞所示的b-b’线的剖视图。图1的＜4＞、＜5＞均是沿通过后述的沟槽22的直线a-a’、b-b’的剖视图。符号24表示芯片状态的发光元件10的外缘部。
[0036]
如图1的＜1＞所示，发光元件10包括发光区域30、阳极焊盘18及凹部23。发光区域30为配置有复数个发光部31的区域。在本实施方式中，例示出以交错状配置发光部31的方式，但并不限于此，例如也可以配置成阵列状。并且，发光部31的个数可以考虑对发光元件10所要求的输出功率等设为适当的数量。阳极焊盘18为形成于从发光部31的阳极电极20延伸的配线的一部分上的阳极侧的焊盘。在本实施方式中，例示出在发光元件10的两端设置两个的方式进行说明，但并不限于此，可以考虑发光元件10的安装等设置适当的个数。凹部23为设置于发光区域30与阳极焊盘18之间的槽。另外，“阳极焊盘18”为本发明所涉及的“电极焊盘”的一例，“凹部23”为本发明所涉及的“第2凹部”的一例。
[0037]
如图1的＜2＞、＜3＞所示，发光元件10包括n型基板11、形成于基板11上的下部dbr12、形成于下部dbr12上的活性层15、形成于活性层15上的上部dbr14、形成于上部dbr14的一部分上的电流狭窄层16、形成于上部dbr14上的阳极电极20、形成于下部dbr12及上部dbr14上的层间绝缘膜13及形成于层间绝缘膜13上的阳极配线17。在基板11的背面上形成有阴极电极21(背面电极)，在阳极配线的一部分上形成有阳极焊盘18。在发光部31的上表面的阳极配线17上设置有圆形的射出开口19，来自发光部31的射出光po经由射出开口19射出。阳极配线17在发光部31的上表面上与阳极电极20连接。另外，“阴极电极21”为本发明所涉及的“电极”的一例。
[0038]
下部dbr12为将两个半导体层交替地反复层叠而构成的多层膜反射镜，该两个半导体层在将发光元件10的振荡波长设为λ且将介质(半导体层)的折射率设为n时，膜厚分别成为0.25λ/n且折射率彼此不同。在本实施方式中，下部dbr12设为n型。
[0039]
活性层15为生成从发光部31射出的光的部位，在本实施方式中，作为一例，成为交替地配置有阻挡层和量子阱层的mqw(multiple quantum well：多重量子阱)结构。
[0040]
电流狭窄层16包括非氧化区域16a及氧化区域16b且构成电流狭窄结构。非氧化区域16a使电流通过，氧化区域16b阻止电流。非氧化区域16a被氧化区域16b包围，并且具有使从阳极电极20朝向阴极电极21流动的电流节流的功能。本实施方式所涉及的电流狭窄层16设为p型。
[0041]
上部dbr14为将膜厚分别设为0.25λ/n且折射率彼此不同的两个半导体层交替地反复层叠而构成的多层膜反射镜。由上部dbr14和下部dbr12构成使活性层15中所生成的光共振、放大的谐振器。
[0042]
层间绝缘膜13形成于除阳极电极20等需要形成开口部的区域以外的发光元件10的表面的整个区域，并且具有从外部气体等保护发光元件10的功能。
[0043]
阳极配线17连接于阳极电极20，且延伸至阳极焊盘18。发光元件10的表面中的阳极配线17的形成区域并不受特别限制，但在本实施方式中，形成于除射出开口19以外的发光元件10的表面的整个区域。如图1的＜4＞、＜5＞所示，射出开口19由一部分中断的环状的阳极电极20形成为圆形。
[0044]
通过将电源的正极施加于阳极焊盘18并将负极连接于阴极电极21，电流从阳极电极20朝向阴极电极21流动。该电流被电流狭窄层16节流，包括下部dbr12、活性层15及上部dbr14的谐振器产生振荡，从而射出光po从射出开口19射出。在射出开口19内的上部dbr14上形成有射出面保护膜(省略图示)。
[0045]
参考图2对以不通过沟槽22的直线切割的发光元件10的剖面进行说明。图2的＜2＞表示以图2的＜3＞所示的不通过沟槽22的直线c-c’切割的发光元件10的剖面。如图2的＜2＞所示，可知当以不通过沟槽22的直线切割时，电流狭窄层16(氧化区域16b)延伸至凹部23的侧壁的一端(以下，称为“高低差部e1”)。
[0046]
在此，沟槽22在电流狭窄层16的形成中在氧化上部dbr14的一部分时使用，有时被称为氧化孔径等。即，电流狭窄层16通过经过发光元件10的制造工序中的氧化处理来形成，但是以往将发光部形成为半导体层暴露至形成电流狭窄层的区域的台面(柱(post))状来进行了该氧化处理。相对于此，在本实施方式中采用不使发光部的整个周围的半导体层暴露，而将暴露至形成电流狭窄层的区域的复数个沟槽22局部形成于发光部的周围来进行氧化的方法。在经由复数个沟槽进行氧化的方式的情况下，尤其在除沟槽以外的区域中，构成发光部的半导体层会连续至发光元件10的周缘部，因此若不对结构进行改进，则存在发生泄漏电流的问题。另外，“沟槽22”为本发明所涉及的“第1凹部”的一例。
[0047]
参考图3对产生上述泄漏电流的原因进行更详细的说明。图3表示不具备高低差部e1的比较例所涉及的发光元件100的沿不通过沟槽的直线的剖视图。发光元件100的基本结构与发光元件10相同，但在发光元件100中，阳极焊盘18侧的电流狭窄层16未到达发光元件100的端部。这起因于在发光元件100中具有比较大的阳极焊盘18。即，起因于氧化仅从沟槽22进行，因此越到达发光元件100的端部，越不会被充分氧化。
[0048]
如图3所示，用于使发光元件100发光的电流iv通常以通过电流狭窄层16的非氧化区域16a而到达阴极电极21的路径流动。然而，若在电流狭窄层16中存在中断的部分，则如图3所示，泄漏电流ir以通过上部dbr14、活性层15、下部dbr12而到达阴极电极21的路径流
动。泄漏电流ir为对发光元件100的发光没有贡献的不必要的电流，因此需要防止产生泄漏电流ir。即，在发光元件100中，需要使除非氧化区域16a以外的整个电流狭窄层16氧化。
[0049]
在发光元件100中，为了使电流狭窄层16的除非氧化区域16a以外的整个区域氧化，将沟槽22或附加的开口配置于适当的位置即可。然而，在发光元件100中，有时无法配置沟槽22或附加的开口。作为该情况的一例，可以举出配置具有规定大小的焊盘的情况。焊盘是连接用于将发光元件100连接于外部的基板等的接合线(bonding wire)或焊球的部位，因此不优选设置开口。图3表示作为一例将该焊盘设置于距发光元件100的外缘部规定宽度的区域时的剖视图。如此，为了在沿发光元件100的外缘部24的位置确保规定大小的焊盘的区域，需要充分考虑到电流狭窄层16的形成。
[0050]
因此，在本实施方式中，在经由沟槽形成电流狭窄层的发光元件中设置了高低差部e1，以便即使在芯片外缘部与发光区域之间设置了焊盘的情况下，也能够抑制产生泄漏电流。通过该高低差部e1将发光区域30与阳极焊盘18分开，能够从高低差部e1朝向发光区域30进行电流狭窄层的氧化，因此能够与阳极焊盘18无关地形成氧化区域16b。由此，在经由沟槽形成电流狭窄层的发光元件中，在芯片外缘部与发光区域之间形成所需大小的焊盘。
[0051]
参考图1及图4对高低差部e1的作用进行说明。如图1所示，通过在发光元件10中设置凹部23来形成了高低差部e1。因此，在发光元件10中，在氧化工序中除了从沟槽22进行氧化以外，还从暴露于高低差部e1的半导体层侧进行氧化。
[0052]
图4的(a)表示在发光元件10中进行氧化的情形。如图4的(a)中以方向d1所示，从沟槽22开始的氧化向周围各向同性地扩散，该氧化前沿(oxidation front)25成为圆形。如图1的＜4＞、＜5＞所示，在本实施方式所涉及的发光元件10中，在发光部31的周围形成有六个大致矩形的沟槽22。如图1的＜2＞、＜3＞所示，各沟槽22以达到电流狭窄层16的位置足以暴露的位置的深度形成。通过经由各沟槽22进行氧化处理，在电流狭窄层16中形成电流狭窄结构。非氧化区域16a的俯视时的形状反映出沟槽22为六个的情况而成为大致六边形。另外，配置于发光部31的周围的沟槽22的个数并不限于六个，可以考虑电流狭窄层16的形状等设为适当的个数。
[0053]
如图4的(a)中以方向d2所示，从一个高低差部e1开始的氧化从凹部23的一端向沟槽22侧进行，其氧化前沿26成为直线。在本实施方式所涉及的发光元件10中，通过从沟槽22及高低差部e1开始的氧化，除非氧化区域16a以外的整个电流狭窄层16被氧化，即成为氧化区域16b。换言之，以使除非氧化区域16a以外的整个电流狭窄层16成为氧化区域16b的方式，确定沟槽22的大小或位置、高低差部e1的位置或长度等。其结果，在发光元件10中抑制产生泄漏电流ir。另外，在图1的＜2＞中，形成阳极焊盘18的层叠区域的电流狭窄层16表示是由从凹部23侧开始的氧化而产生的，由于制造工序是在表面上附着有复数个发光元件10的晶圆的状态下进行的，因此在大部分发光元件10中不存在从外缘部24侧开始的氧化。
[0054]
在此，对用于使在发光部31中位于沟槽22与凹部23之间的层叠区域32中所包括的整个电流狭窄层16氧化的条件进行研究。电流狭窄层16的氧化需要使层叠区域32中所包括的整个电流狭窄层16氧化，同时需要在发光部31形成非氧化区域16a。如图1的＜2＞所示，在将氧化区域16b距沟槽22的侧壁的距离设为a并将整个层叠区域32中的电流狭窄层16的长度设为b时，a与b之间，需要使以下的(式1)所示的关系成立。
[0055]
b＜2
×a……
(式1)
[0056]
发光部31中的电流狭窄层16的氧化从两个沟槽22侧进行。层叠区域32中的氧化从沟槽22侧及凹部23侧进行。若氧化相同时间，则氧化前沿前进相同的距离，因此若层叠区域32的宽度b不小于2
×
a，则在层叠区域32内的电流狭窄层16中产生未被氧化的区域。用于避免该情况的条件成为(式1)所示的条件。若(式1)成立，则在发光部31中形成非氧化区域16a，而且保证层叠区域32中所包括的整个电流狭窄层16被氧化(成为氧化区域16b)。另外，在图1的＜3＞中，代替a而记载a’，代替b而记载b’，但通常为a＝a’、b＝b’，因此(式1)的成立同样成为必要条件是相同的。
[0057]
＜第1实施方式的变形例＞
[0058]
在上述实施方式中，例示出高低差部e1为直线的方式进行了说明。然而，高低差部并不限于直线，可以考虑电流狭窄层16的氧化条件等采用适当的形状。例如，图4的(b)表示采用具有圆弧部33的高低差部e3且具有凹部23a的发光元件10a。圆弧部33是为了补充完成沟槽22-1、22-2、22-3、22-4附近的氧化而设置的。从高低差部e3开始的氧化沿方向d3的方向进行，从而形成氧化前沿27。也能够通过本变形例所涉及的发光元件10a，从高低差部e3开始的氧化和从沟槽22开始的氧化相结合而使发光元件10a的除非氧化区域16a以外的整个电流狭窄层16氧化，从而抑制产生泄漏电流ir。另外，在本实施方式中，例示出具有图4的(b)所示的圆弧部33作为高低差部e3的方式进行了说明，但并不限于此，可以考虑沟槽22的配置等设为适当的曲线。
[0059]
接着，参考图5对本实施方式所涉及的发光元件10的制造方法的概略内容进行说明。另外，以下说明的制造工序是在总括形成复数个发光元件10的晶圆的状态下进行的，但是假设已完成作为前期工序的外延生长，即已完成直至上部dbr14为止的各层的形成。
[0060]
在工序p1中，形成阳极电极20。
[0061]
在工序p2中，形成射出面保护膜。
[0062]
在工序p3中，例如通过蚀刻来形成沟槽22。在本实施方式中，在各个发光部31的周围形成六个沟槽。在本实施方式中，通过本蚀刻工序，同时形成凹部23。
[0063]
在此，图1的＜4＞所示的沟槽22的宽度c与凹部23的宽度例如优选满足以下的(式2)所示的关系。
[0064]
c≤d
……
(式2)
[0065]
(式2)所示的条件为用于保证凹部23的蚀刻充分进行的条件。将蚀刻条件确定为在发光部31中蚀刻至电流狭窄层16充分暴露。因此，若凹部23的宽度设计为比沟槽22的宽度宽，则在凹部23中也会蚀刻至电流狭窄层16足以暴露的深度。这基于，开口部的宽度越宽，则例如蚀刻气体越容易到达开口部的底部，因此蚀刻至越深处。即，若凹部23的宽度比沟槽22的宽度宽，则当形成了到达电流狭窄层的深度的沟槽22时，凹部23当然也成为到达电流狭窄层的深度。因此，从凹部23也会可靠地进行氧化。
[0066]
在工序p4中，进行氧化处理。通过本工序，在电流狭窄层16中形成电流狭窄结构(非氧化区域16a、氧化区域16b)。即，为了阻止产生上述泄漏电流，发光元件10中所包括的除非氧化区域16a以外的整个电流狭窄层16被氧化，从而形成氧化区域16b。
[0067]
接着，在工序p5中，在除射出开口19以外的晶圆整个面上形成层间绝缘膜13。
[0068]
在工序p6中，在层间绝缘膜13的阳极电极20的部分形成接触孔(省略图示)。
[0069]
在工序p7中，形成从阳极电极20延伸至阳极焊盘18的阳极配线。
[0070]
在工序p8中，进行基板的薄化，即研磨或磨削基板11的背面而使基板11的厚度成为规定的厚度。
[0071]
在工序p9中，在基板11的背面上形成阴极电极。
[0072]
通过以上的结构，制造出本实施方式所涉及的发光元件10。
[0073]
[第2实施方式]
[0074]
参考图6对本实施方式所涉及的发光元件10b进行说明。发光元件10b为在上述实施方式所涉及的发光元件10中去除凹部23并且将高低差部e1取代为高低差部e2的方式。因此，对具有与发光元件10相同的功能的结构标注相同的符号，并省略详细说明。
[0075]
图6的＜1＞表示发光元件10b的俯视图，＜2＞、＜3＞表示剖视图，＜4＞、＜5＞表示局部放大图。图5的＜2＞表示沿图5的＜4＞所示的d-d’线的剖视图，图5的＜3＞表示沿图5的＜5＞所示的e-e’线的剖视图。
[0076]
如图6的＜2＞、＜3＞所示，发光元件10b不具有凹部23，阳极焊盘18经由层间绝缘膜13形成于下部dbr12的上部，且代替高低差部e1而具备高低差部e2。高低差部e2的俯视时的形状可以如图4的(a)所示为直线，也可以如图4的(b)所示为包括曲线的形状。高低差部e2的作用也与高低差部e1的作用相同，在氧化工序中从高低差部e2进行氧化，其与从沟槽22开始的氧化相结合而使发光元件10b中所包括的除非氧化区域16a以外的整个电流狭窄层16氧化，从而形成氧化区域16b。如图6的＜2＞、＜3＞所示，位于高低差部e2与沟槽22之间的层叠区域32a中所包括的电流狭窄层16也遍及整个区域而成为氧化区域16b。因此，通过本实施方式所涉及的发光元件10b，在经由沟槽形成电流狭窄层的发光元件中，即使在芯片外缘部与发光区域之间设置了焊盘的情况下，也能够抑制产生泄漏电流。
[0077]
另外，在上述各实施方式中，例示出将阴极电极21设置于基板11的背面的方式进行了说明，但并不限于此，也可以设为将阴极电极21设置于基板11的表面的方式。在该情况下，在位于下部dbr12的下部的基板11上形成n型杂质(接触)区域，在该n型杂质区域上形成阴极电极即可。
[0078]
并且，在上述各实施方式中，例示出沿着基板11的两边设置两个阳极焊盘18的方式进行了说明，但并不限于此，也可以沿一个边设置，还可以设为沿着三个以上的边设置的方式。
[0079]
另外，在上述各实施方式中，例示出使用n型基板的方式进行了说明，但并不限于此，也可以设为使用p型基板的方式。在该情况下，在上述说明中将n型替换为p型，将p型替换为n型即可。
[0080]
上述本发明的实施方式是以例示及说明为目的而提供的。另外，本发明的实施方式并不全面详尽地包括本发明，并且并不将本发明限定于所公开的方式。很显然，对本发明所属的领域中的技术人员而言，各种变形及变更是自知之明的。本实施方式是为了最容易理解地说明本发明的原理及其应用而选择并说明的。由此，本技术领域中的其他技术人员能够通过对假定为各种实施方式的特定使用最优化的各种变形例来理解本发明。本发明的范围由以上的权利要求书及其等同物来定义。

技术特征：
1.一种发光元件，其由具有电流狭窄层的层叠体构成，所述发光元件包括：半导体基板；发光部，其具备到达所述电流狭窄层的深度的复数个第1凹部及电流狭窄结构，所述电流狭窄结构形成于所述电流狭窄层，并且具有所述电流狭窄层被氧化的氧化区域和被所述氧化区域包围的非氧化区域；电极焊盘，其配置于所述发光部与所述半导体基板的外缘部之间；及高低差部，其配置于所述电极焊盘与发光部之间，并且从所述层叠体的上表面形成到所述电流狭窄层，被所述高低差部包围的区域的电流狭窄层除了所述非氧化区域以外成为所述氧化区域。2.根据权利要求1所述的发光元件，其还包括形成于所述电极焊盘与所述发光部之间的第2凹部，所述高低差部由所述第2凹部的所述发光部侧的侧壁形成。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第1凹部的宽度与所述第2凹部的宽度的关系为第1凹部的宽度≤第2凹部的宽度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其中，所述高低差部的俯视时的形状为直线。5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其中，所述高低差部的俯视时的形状为包括直线和曲线的形状。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件，其中，所述发光部中的所述氧化区域距所述第1凹部的端部的距离a，与所述高低差部与所述第1凹部之间的所述层叠体的宽度b满足b＜2
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a的关系。7.根据权利要求1、4至6中任一项所述的发光元件，其中，所述发光部构成为包括形成于所述半导体基板上的下部多层膜反射镜、活性层、上部多层膜反射镜的面发光型激光器，所述电极焊盘经由绝缘膜形成于所述下部多层膜反射镜的上部。8.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件，其中，所述发光部构成为包括形成于所述半导体基板上的下部多层膜反射镜、活性层、上部多层膜反射镜的面发光型激光器，所述电极焊盘经由绝缘膜形成于所述上部多层膜反射镜的上部。9.根据权利要求1至8中任一项所述的发光元件，其具备复数个所述发光部。

技术总结
本发明提供一种发光元件，即使在芯片外缘部与发光区域之间设置了焊盘的情况下，也能够抑制产生泄漏电流。一种发光元件，其由具有电流狭窄层的层叠体构成，所述发光元件包括：半导体基板；发光部，其具备到达所述电流狭窄层的深度的复数个第1凹部及电流狭窄结构，所述电流狭窄结构形成于所述电流狭窄层，并且具有所述电流狭窄层被氧化的氧化区域和被该氧化区域包围的非氧化区域；电极焊盘，其配置于所述发光部与所述半导体基板的外缘部之间；及高低差部，其配置于所述电极焊盘与发光部之间，并且从所述层叠体的上表面形成到所述电流狭窄层，被所述高低差部包围的区域的电流狭窄层除了所述非氧化区域以外成为所述氧化区域。除了所述非氧化区域以外成为所述氧化区域。除了所述非氧化区域以外成为所述氧化区域。


技术研发人员：皆见健史 近藤崇 樋口贵史
受保护的技术使用者：富士胶片商业创新有限公司
技术研发日：2021.03.03
技术公布日：2022/3/8