显示装置的制作方法

1.本公开涉及显示装置，更具体而言涉及代替盖窗适用了碳层的显示装置。


背景技术：

2.近几年，如移动电话、导航仪、数码相机、电子书、便携式游戏机或各种终端机等这样使用液晶显示装置(liquid crystal display，lcd)或有机电致发光(organic light emitting diode，oled)显示装置被适用为显示装置的各种移动电子设备。
3.在使用于这种移动设备中的通常的显示装置中，在显示面板的前方具备盖窗，该盖窗透明地构成使得使用者能够看到显示部。
4.这种盖窗在显示面板制造之后通过单独的工序附着。在用于附着盖窗的显示面板的移动过程中，显示面板可能会破损，并且在制作显示面板之后需通过单独的工序附着盖窗，因此需追加工序。


技术实现要素：

5.各实施例用于提供代替盖窗适用碳层来简化制造过程的显示装置。
6.本发明的一实施例涉及的显示装置包括：显示面板；无机层，与所述显示面板直接相接；以及碳层，与所述无机层直接相接，所述碳层的厚度是1nm至10nm。
7.可以是，所述碳层包括非晶碳。
8.可以是，所述碳层包括结晶碳。
9.可以是，所述碳层包括以sc(simple cubic，简单立方)结构排列的区域以及以hcp(hexagonal close packed，密排六方)结构排列的区域。
10.可以是，所述碳层还包括设有非晶碳的区域。
11.可以是，所述碳层的折射率是1.6至2.0。
12.可以是，所述无机层包括含硅化合物。
13.可以是，所述无机层是单层或多层。
14.可以是，所述无机层的厚度是400nm至1μm。
15.可以是，所述无机层是包括sion、sin
x
、sio
x
中的一种以上的单层或多层结构。
16.可以是，所述无机层包括：第一层，包括sin
x
；第二层，包括sion；第三层，包括sin
x
；以及第四层，包括sion。
17.可以是，所述无机层构成分布式布拉格反射元件。
18.可以是，所述显示面板包括：基板；发光元件，位于所述基板上；薄膜封装层，位于所述发光元件上；以及触摸感知层，位于所述薄膜封装层上，所述无机层与所述触摸感知层直接相接。
19.可以是，所述触摸感知层包括：第一绝缘膜，与所述薄膜封装层直接相接；第一感知电极，位于所述第一绝缘膜上；第二绝缘膜，位于所述第一感知电极上；第二感知电极，位于所述第二绝缘膜上；以及第三绝缘膜，位于所述第二感知电极上，所述无机层与所述触摸
感知层的所述第三绝缘膜直接接触。
20.可以是，所述显示装置不包括盖窗。
21.可以是，所述无机层及所述碳层的层叠结构的透过率在88％以上，反射率在10％以下。
22.其他一实施例涉及的显示装置包括：显示面板；粘接层，与所述显示面板直接相接；无机层，与所述粘接层直接相接；以及碳层，与所述无机层直接相接，所述碳层的厚度是1nm至10nm。
23.可以是，所述碳层包括非晶碳或结晶碳。
24.可以是，所述碳层包括以sc(simple cubic，简单立方)结构排列的区域以及以hcp(hexagonal close packed，密排六方)结构排列的区域。
25.可以是，所述无机层是包括含硅化合物的单层或多层结构，所述无机层的厚度是400nm至1μm。
26.(发明效果)
27.根据各实施例，代替盖窗而适用碳层，从而提供简化了制造过程的显示装置。
附图说明
28.图1示意性简单示出了一实施例涉及的显示装置的截面。
29.图2对其他一实施例涉及的显示装置示出了与图1相同的截面。
30.图3对其他一实施例涉及的显示装置示出了与图1相同的截面。
31.图4对其他一实施例示出了与图2相同的截面。
32.图5以立体状示出了一实施例涉及的显示装置的层叠结构。
33.图6以立体状示出了一实施例涉及的显示装置的层叠结构。
34.图7在与图1相同的截面上示意性示出了显示面板的构成要素。
35.图8对其他一实施例示出了与图7相同的截面。
36.图9简单示出了一实施例涉及的显示装置的显示面板中的触摸感知层的结构。
37.图10简单示出了显示面板的剖视图。
38.图11是基于一实施例的显示面板的某一像素的电路图。
39.图12是基于一实施例的显示面板的某一像素的电路图。
40.(符号说明)
41.100：显示面板；310：无机层；320：碳层；330：粘接层。
具体实施方式
42.以下，参照附图，详细说明本发明的各实施例，以便本领域技术人员能够容易实施。本发明可以由各种不同的形态实现，并不限于在此说明的各实施例。
43.为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，并在整个说明书中对相同或者类似的构成要素赋予相同的符号。
44.此外，图示的各构成的大小以及厚度为了便于说明而任意示出，本发明并不一定限于图示的情况。在附图中，为了明确表示各层以及区域，有所夸张地示出了厚度。另外，在附图中，为了便于说明，有所夸张地示出了部分层和区域的厚度。
45.此外，层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间具有其他部分的情况。相反，某一部分直接位于其他部分上时，是指其间不存在其他部分。另外，位于作为基准的部分上或上方是指位于作为基准的部分的上或下方，并不一定指在重力方向侧位于上或上方的情况。
46.此外，在整个说明书中，某一部分包括某一构成要素时，在没有特别相反的记载的情况下，并不是排除包括其他构成要素，而是指还可以包括其他构成要素。
47.此外，在整个说明书中，“平面上”是指从上观察对象部分的情况，“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。
48.以下，参照附图来说明本发明的一实施例涉及的显示装置。图1简单示意性示出了一实施例涉及的显示装置的截面。
49.参照图1，本实施例涉及的显示装置包括显示面板100、位于显示面板100上的无机层310以及位于无机层310上的碳层320。无机层310包括硅系物质，并且碳层320包括碳。
50.在图1中，显示面板100与无机层310直接接触，并且无机层310与碳层320直接接触。
51.如图1所示，本实施例涉及的显示装置不包括盖窗、耐指纹层、偏振层这样的构成，包括无机层310和碳层320。因此，可以简化制造工序，可以通过一个连续的工序制造显示装置，并且在制造过程中可以最小化移动，可以减少在制造中因移动引起不良的可能性。
52.以下，详细说明各构成要素。
53.显示面板100可以包括晶体管以及与其连接的发光元件led(参照图7)。显示面板100还可以包括触摸感知层。具体而言，显示面板100可以包括设有晶体管的ltps(low temperature poly-silicon，低温多晶硅)层、与ltps层连接的发光元件led、覆盖发光元件led的薄膜封装层、位于薄膜封装层上的触摸感知层等。此外，也可以进一步包括位于多个发光元件led之间的遮光部件以及与发光元件led重叠地设置的滤色器。触摸感知层可以包括多个触摸感知层，在多个触摸感知层之间设有绝缘膜，并且触摸感知层可以位于薄膜封装层的上部。对于所述显示面板100的说明是一例示，本发明并不限于此。对于显示面板100的具体说明将在后面单独叙述。
54.无机层310可以是单层或多层。无机层310可以包括硅系物质，具体而言可以是包括sion、sin
x
、sio
x
中的一种以上的单层或多层。无机层310的厚度可以是200nm至1μm。这是用于使无机层310具有适合于显示装置的透过率和反射率的数值范围。在无机层310的厚度为200nm以下的情况下，可能无法具备充分的发光强度提高效果，并且在无机层310的厚度为1μm以上的情况下，透过率可能会下降。
55.多层的无机层310可以由分布式布拉格反射元件(distributed bragg reflector，dbr)构成。分布式布拉格反射元件以多层交替地层叠了折射率不同的两种透明材料，在从发光元件led射出的光经过分布式布拉格反射元件的情况下，发光强度可以得到提高，可以减少发光光谱的半线宽(full with at half maximum)来获得纯正的光。具体而言，经过了分布式布拉格反射元件的光的半线宽可以是1nm至4nm。
56.即，在本实施例中，无机层310可以是交替地层叠了折射率不同的硅系物质的形态。无机层310可以通过化学气相沉积(cvd)工序来形成。对于无机层310为多层的构成，将在后续的单独的实施例中详细说明。
57.碳层320包括碳，包括非晶碳或结晶碳。碳层320的厚度可以是1nm至10nm。在碳层320的厚度为1nm以下的情况下，可能无法具备充分的机械特性，并且在碳层320的厚度为10nm以上的情况下，显示装置的透过率可能会减小。碳层320可以代替以往的盖窗的构成，可以具有与盖窗类似的机械特性。
58.碳层320可以包括非晶碳。在非晶碳以1nm至10nm的厚度形成得薄的情况下，可以使光透明地透过的同时具有与盖窗类似的机械特性。即便碳层320包括非晶碳，在碳层320的内部也可以存在部分被结晶化的区域。
59.或者，碳层320可以包括结晶碳。作为一例，碳层320可以包括dlc(diamond like carbon，类金刚石镀膜)。在碳层320内，碳可以以sc(simple cubic，简单立方)结构排列或者可以以hcp(hexagonal close packed，密排六方)结构排列，从而被结晶化。在碳层320包括结晶碳的情况下，在碳层320的内部可以混合存在sc结晶结构和hcp结晶结构。此外，即便碳层320包括结晶碳，在碳层320的内部也可以包括部分的非晶区域。
60.或者，碳层320还可以与碳一起包括卤素元素。卤素元素可以位于结晶碳的结构内或者位于碳层320的表面。碳层320的结晶化可以在常温下进行，此时为了提高结晶化度，可以注入卤素元素。在注入卤素元素的情况下，碳的结晶化度变高，所注入的卤素元素可以残留在碳层320的内部或表面。作为一例，碳层320可以包括氟渗透至碳结构内的f-diamane(氟化单层金刚石)。
61.碳层320可以通过化学气相沉积(cvd)或rf溅射工序沉积非晶碳层来形成。然后，可以在常温下进行结晶化或者注入卤素元素之后在常温下进行结晶化，从而形成结晶碳层。
62.即，本实施例涉及的显示装置不包括位于显示面板100的上部的偏振层、粘接层或盖窗。取而代之地，如图1所示，包括与显示面板100直接接触的无机层310以及与无机层310直接接触的碳层320。无机层310可以提高发光元件led的发光强度且提高色纯度，碳层320可以具有与盖窗类似的机械物性的同时能够代替盖窗。图1的实施例的情况下，不包括偏振层、粘接层和盖窗，因此制造工序简单。此外，无机层310和碳层320可以利用在显示面板100的制造过程中所使用的cvd或rf溅射来制造，因此可以在一个装置内连续地制造。因此，可以减少在制造中因移送引起的不良。可以通过这种简化的工序进行制造的同时，维持机械特性、透过率和反射率。
63.以下，说明其他一实施例涉及的显示装置。图2对其他一实施例涉及的显示装置示出了与图1相同的截面。参照图2，本实施例涉及的显示装置除了还包括粘接层330以外，与图1的实施例相同。省略对于相同的构成要素的具体说明。
64.参照图2，本实施例涉及的显示装置还包括位于显示面板100与无机层310之间的粘接层330。粘接层330可以包括光学用透明粘接剂(oca：optically clear adhesive)或透明粘接树脂(ocr：optical clear resin)。
65.即，在图2的实施例中，显示面板100可以与粘接层330直接相接，粘接层330可以与无机层310直接相接。
66.在图1的情况下，也可以在显示面板100的上部直接沉积无机层310，可以在无单独的粘接层的情况下附着显示面板100和无机层310。但是，如图2所示那样使粘接层330位于显示面板100与无机层310之间的情况下，可以更稳定地附着显示面板100和无机层310。
67.图3对其他一实施例涉及的显示装置示出了与图1相同的截面。图3除了无机层310为多层结构以外，与图1的实施例相同。省略对于相同的构成要素的具体说明。
68.参照图3，本实施例涉及的显示装置中，无机层310可以包括第一层311、第二层312、第三层313以及第四层314。在图3中作为例示说明无机层310包括四个层的构成，但是这是一例示，无机层310可以包括两层至十层。
69.第一层311至第四层314分别可以包括sion、sin
x
、sio
x
中的一种以上。
70.此时，第一层311和第三层313可以包括同一物质，并且第二层312和第四层314可以包括同一物质。作为一例，第一层311和第三层313可以包括sio2，并且第二层312和第四层314可以包括sion。或者，第一层311和第三层313可以包括sin
x
，并且第二层312和第四层314可以包括sion。但是，这是一例示，本发明并不限于此。
71.此外，第一层311和第三层313的折射率可以相同，并且第二层312和第四层314的折射率可以相同。此时，第一层311和第三层313的折射率以及第二层312和第四层314的折射率可以彼此不同。在该情况下，如在前说明，无机层310可以起到分布式布拉格反射元件的功能。
72.图4对其他一实施例示出了与图2相同的截面。图4除了无机层310为多层结构以外，与图2的实施例相同。省略对于相同的构成要素的具体说明。
73.参照图4，本实施例涉及的显示装置中，无机层310可以包括第一层311、第二层312、第三层313和第四层314。在图4中作为例示说明无机层310包括四个层的构成，但是这是一例示，无机层310可以包括两层至十层。
74.第一层311至第四层314分别可以包括sion、sin
x
、sio
x
中的一种以上。
75.此时，第一层311和第三层313可以包括同一物质，并且第二层312和第四层314可以包括同一物质。作为一例，第一层311和第三层313可以包括sio2，并且第二层312和第四层314可以包括sion。或者，第一层311和第三层313可以包括sin
x
，并且第二层312和第四层314可以包括sion。但是，这是一例示，本发明并不限于此。
76.此外，第一层311和第三层313的折射率可以相同，并且第二层312和第四层314的折射率可以相同。此时，第一层311和第三层313的折射率以及第二层312和第四层314的折射率可以彼此不同。在该情况下，如在前说明，无机层310可以起到分布式布拉格反射元件的功能。
77.图5以立体状示出了一实施例涉及的显示装置的层叠结构。参照图5，无机层310位于显示面板100上，并且碳层320位于无机层310上。显示面板100可以包括焊盘部等，如在前说明，可以包括设有晶体管的ltps层、与ltps层连接的发光元件led、覆盖发光元件led的封装层以及位于封装层上的触摸感知层。此外，显示面板100也可以进一步包括位于发光元件led之间的遮光部件以及与发光元件led重叠地设置的滤色器。图5可以相当于图1或图3的实施例。
78.图6以立体状示出了一实施例涉及的显示装置的层叠结构。参照图6，粘接层330位于显示面板100上，无机层310位于粘接层330上，并且碳层320位于无机层310上。粘接层330可以包括光学用透明粘接剂(oca：optically clear adhesive)。显示面板100可以包括焊盘部等，如在前说明，可以包括设有晶体管的ltps层、与ltps层连接的发光元件led、覆盖发光元件led的封装层以及位于封装层上的触摸感知层。此外，显示面板100也可以进一步包
括位于发光元件led之间的遮光部件以及与发光元件led重叠地设置的滤色器。图6可以相当于图2或图4的实施例。
79.以下，对于本实施例涉及的无机层310和碳层320的透过率及反射率，参照表来详细说明。
80.表1是在包括无机层310和碳层320的显示装置中以各种方式变更无机层310的层叠结构和碳层320的折射率来确定了透过率和反射率的结果。
81.[表1]
[0082][0083]
在所述表1中可以确认出，本发明的实施例涉及的显示装置代替盖窗而包括无机层/碳层的层叠结构，在该情况下也具有出色的透过率和反射率。
[0084]
以下，参照图7至图12，详细说明本实施例涉及的显示装置的显示面板100的结构。
[0085]
图7在与图1相同的截面下示意性示出了显示面板100的构成要素。参照图7，显示面板100可以包括基板110、位于基板110上的发光元件led、位于发光元件led上的薄膜封装层tfe以及位于薄膜封装层tfe上的触摸感知层tse。
[0086]
无机层310可以与触摸感知层tse直接接触。即，无机层310可以直接形成在触摸感知层tse的上部绝缘层上。
[0087]
图8对其他一实施例示出了与图7相同的截面。图8除了无机层310为多层结构以外，与图7的实施例相同。省略对于相同的构成要素的具体说明。对于无机层310包括第一层311、第二层312、第三层313和第四层314的构成的说明与之前在图3和图4中说明的情况相同。省略对于相同的构成要素的具体说明。
[0088]
图9简单示出了一实施例涉及的显示装置的显示面板中的触摸感知层tse的结构。参照图9，触摸感知层tse包括第一绝缘层ild1。第一绝缘层ild1位于之前在图7和图8中示出的薄膜封装层tfe上，可以与薄膜封装层tfe直接相接。
[0089]
第一感知电极te1可以位于第一绝缘层ild1上。第一感知电极te1可以与第二感知电极te2绝缘，在第一感知电极te1与第二感知电极te2之间设有第二绝缘层ild2。
[0090]
在与第一感知电极te1相同的层设有第二辅助电极ae2，在与第二感知电极te2相同的层设有第一辅助电极ae1。第一感知电极te1可以通过第二绝缘层ild2的第一开口部op1而与第一辅助电极ae1连接。同样地，第二感知电极te2可以通过第二绝缘层ild2的第二开口部op2而与第二辅助电极ae2连接。
[0091]
虽然未具体示出平面形状，但是第一感知电极te1可以包括大致具有菱形形状的多个第一感知单元以及沿着第一方向连接多个第一感知单元的多个第一连接部。第二辅助电极ae2可以在与第一感知电极te1相同的层由与其相同的物质形成，第二辅助电极ae2可
以大致具有菱形形状。
[0092]
第二感知电极te2可以包括大致具有菱形形状的多个第二感知单元以及沿着第二方向连接多个第二感知单元的多个第二连接部。第一辅助电极ae1可以在与第二感知电极te2相同的层由与其相同的物质形成，第一辅助电极ae1可以大致具有菱形形状。
[0093]
第三绝缘膜ild3可以位于第二感知电极te2和第一辅助电极ae1上。
[0094]
以下，详细说明除了触摸感知层tse的显示面板100的结构。图10简单示出了显示面板100的剖视图。显示面板100可以是发光显示装置。
[0095]
参照图10，缓冲层buf可以位于基板110上，并且半导体层act可以位于缓冲层buf上。半导体层act包括未掺杂杂质的沟道区域以及位于沟道区域的两侧且掺杂了杂质的源极区域及漏极区域。栅极绝缘膜gi位于半导体层act上，并且栅电极gate位于栅极绝缘膜gi上。栅电极gate与半导体层act的沟道区域重叠。
[0096]
层间绝缘膜ild位于栅电极gat上，源电极se和漏电极de位于层间绝缘膜ild上。源电极se和漏电极de通过包括于层间绝缘膜ild和栅极绝缘膜gi的开口op_s、op_d而分别与半导体层act的源极区域及漏极区域连接。图10所示的晶体管tft可以是驱动晶体管，其可以被绝缘膜via覆盖。
[0097]
第一电极191位于绝缘膜via上。在每一像素中设有一个第一电极191，并且第一电极191通过形成在绝缘膜via中的开口op_via而与晶体管tft的漏电极de连接。
[0098]
隔壁350位于绝缘膜via和第一电极191上。隔壁350具有与第一电极191重叠的开口355。
[0099]
发光层360位于第一电极191上，并且第二电极270位于发光层360和第一电极191上。第二电极270可以无像素区分地位于整个显示部。第一电极191、第二电极270和发光层360可以构成发光元件led。第一电极191和第二电极270中的任一个向发光层360注入空穴，并且另一个向发光层360注入电子。电子和空穴在发光层360中结合而生成激子(exciton)，通过激子从激发态迁移至基态时所产生的能量来发射光。
[0100]
发光元件led对水分和氧非常弱，因此薄膜封装层tfe对发光元件led进行密封来阻断外部的水分和氧的渗透。薄膜封装层tfe可以由无机膜和有机膜的多层膜构成。例如，薄膜封装层tfe可以在第二电极270上包括缓冲层141、第一无机膜142、有机膜143以及第二无机膜144。缓冲层141可以包括lif，第一无机膜142和第二无机膜144可以包括al2o3、sin
x
和sio2中的任一种。有机膜143可以包括环氧树脂、丙烯酸酯和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯中的任一种。
[0101]
以下，简单说明显示面板100的像素。图11和图12分别是说明本实施例涉及的像素的一例的电路图。
[0102]
图11是基于一实施例的显示面板的某一像素的电路图。
[0103]
参照图11，显示面板100的像素px包括与多个信号线127、151、152、155、158、171、172、741连接的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、维持电容器cst以及发光元件led。
[0104]
多个晶体管包括驱动晶体管t1，并且包括与扫描线151连接的开关晶体管、即第二晶体管t2和第三晶体管t3，其余的晶体管是用于进行使发光元件led工作所需的操作的晶体管(以下称为补偿晶体管)。这种补偿晶体管可以包括第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7。
[0105]
多个信号线可以包括扫描线151、第二扫描线152、发光控制线155、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172、初始化电压线127以及公共电压线741。旁路控制线158可以是第二扫描线152的一部分或者与其电连接。或者，旁路控制线158可以是扫描线151的一部分或者与其电连接。
[0106]
扫描线151与栅极驱动部(未图示)连接而将扫描信号sn传递至第二晶体管t2和第三晶体管t3。第二扫描线152与栅极驱动部连接，从而将施加到位于前级的像素px的前级扫描信号sn-1传递至第四晶体管t4。发光控制线155与发光控制部(未图示)连接，将控制发光元件led发光的时间的发光控制信号em传递至第五晶体管t5和第六晶体管t6。旁路控制线158将旁路信号gb传递至第七晶体管t7。
[0107]
数据线171是传递由数据驱动部(未图示)生成的数据电压dm的布线，根据数据电压dm，发光元件led发光的亮度会变化。驱动电压线172施加驱动电压elvdd。初始化电压线127传递使驱动晶体管t1初始化的初始化电压vint。公共电压线741施加公共电压elvss。施加至驱动电压线172、初始化电压线127和公共电压线741的电压可以分别被施加恒定的电压。
[0108]
以下，说明多个晶体管。
[0109]
驱动晶体管t1是根据被施加的数据电压dm而调节输出的电流的大小的晶体管。输出的驱动电流id被施加至发光元件led，从而根据数据电压dm来调节发光元件led的亮度。为此，驱动晶体管t1的第一电极s1被配置成可以接收驱动电压elvdd的施加。第一电极s1经由第五晶体管t5而与驱动电压线172连接。此外，驱动晶体管t1的第一电极s1还与第二晶体管t2的第二电极d2连接，从而还接收数据电压dm的施加。驱动晶体管t1的第二电极d1(输出电极)被配置成可以朝向发光元件led输出电流。驱动晶体管t1的第二电极d1经由第六晶体管t6而与发光元件led的阳极连接。另一方面，栅电极g1与维持电容器cst的一电级(第二维持电极e2)连接。由此，根据存储在维持电容器cst中的电压，栅电极g1的电压变化，并且根据此，驱动晶体管t1输出的驱动电流id被变更。
[0110]
第二晶体管t2是将数据电压dm接收至像素px内的晶体管。栅电极g2与扫描线151连接，第一电极s2与数据线171连接。第二晶体管t2的第二电极d2与驱动晶体管t1的第一电极s1连接。若根据通过扫描线151传递的扫描信号sn而第二晶体管t2被导通，则通过数据线171传递的数据电压dm被传递至驱动晶体管t1的第一电极s1。
[0111]
第三晶体管t3是将数据电压dm经过驱动晶体管t1而被改变的补偿电压(dm+vth的电压)传递至维持电容器cst的第二维持电极e2的晶体管。栅电极g3与扫描线151连接，第一电极s3与驱动晶体管t1的第二电极d1连接。第三晶体管t3的第二电极d3与维持电容器cst的第二维持电极e2及驱动晶体管t1的栅电极g1连接。第三晶体管t3根据通过扫描线151接收的扫描信号sn而被导通，从而连接驱动晶体管t1的栅电极g1和第二电极d1，并且还连接驱动晶体管t1的第二电极d1和维持电容器cst的第二维持电极e2。
[0112]
第四晶体管t4起到使驱动晶体管t1的栅电极g1和维持电容器cst的第二维持电极e2初始化的作用。栅电极g4与第二扫描线152连接，第一电极s4与初始化电压线127连接。第四晶体管t4的第二电极d4经由第三晶体管t3的第二电极d3而与维持电容器cst的第二维持电极e2及驱动晶体管t1的栅电极g1连接。第四晶体管t4根据通过第二扫描线152接收的前级扫描信号sn-1而将初始化电压vint传递至驱动晶体管t1的栅电极g1及维持电容器cst的
第二维持电极e2。由此，驱动晶体管t1的栅电极g1的栅极电压以及维持电容器cst被初始化。初始化电压vint可以是具有低电压值而使驱动晶体管t1导通的电压。
[0113]
第五晶体管t5起到将驱动电压elvdd传递至驱动晶体管t1的作用。栅电极g5与发光控制线155连接，第一电极s5与驱动电压线172连接。第五晶体管t5的第二电极d5与驱动晶体管t1的第一电极s1连接。
[0114]
第六晶体管t6起到将从驱动晶体管t1输出的驱动电流id传递至发光元件led的作用。栅电极g6与发光控制线155连接，第一电极s6与驱动晶体管t1的第二电极d1连接。第六晶体管t6的第二电极d6与发光元件led的阳极连接。
[0115]
第五晶体管t5和第六晶体管t6根据通过发光控制线155接收的发光控制信号em而同时被导通，并且若通过第五晶体管t5将驱动电压elvdd施加至驱动晶体管t1的第一电极s1，则根据驱动晶体管t1的栅电极g1的电压(即，维持电容器cst的第二维持电极e2的电压)，驱动晶体管t1输出驱动电流id。输出的驱动电流id通过第六晶体管t6而被传递至发光元件led。电流i
led
流过发光元件led的同时，发光元件led发射光。
[0116]
第七晶体管t7起到使发光元件led的阳极初始化的作用。栅电极g7与旁路控制线158连接，第一电极s7与发光元件led的阳极连接，第二电极d7与初始化电压线127连接。旁路控制线158可以与第二扫描线152连接，施加与前级扫描信号sn-1相同时序的信号的旁路信号gb。旁路控制线158也可以不与第二扫描线152连接，从而传递与前级扫描信号sn-1不同的信号。若根据旁路信号gb而第七晶体管t7被导通，则初始化电压vint被施加至发光元件led的阳极而使其初始化。
[0117]
维持电容器cst的第一维持电极e1与驱动电压线172连接，第二维持电极e2与驱动晶体管t1的栅电极g1、第三晶体管t3的第二电极d3及第四晶体管t4的第二电极d4连接。其结果，第二维持电极e2决定驱动晶体管t1的栅电极g1的电压，并且通过第三晶体管t3的第二电极d3而接收数据电压dm的施加或者通过第四晶体管t4的第二电极d4而接收初始化电压vint的施加。
[0118]
另一方面，发光元件led的阳极与第六晶体管t6的第二电极d6及第七晶体管t7的第一电极s7连接，阴极与传递公共电压elvss的公共电压线741连接。
[0119]
在图11的实施例中，像素电路包括七个晶体管t1至t7和一个电容器cst，但是并不限于此，晶体管的数量和电容器的数量以及它们的连接关系可以以各种方式变更。
[0120]
图12是基于一实施例的显示面板的某一像素的电路图。
[0121]
如图12所示，基于一实施例的显示装置的一个像素px包括与多个信号线连接的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7、t8、维持电容器cst以及发光元件led。
[0122]
一个像素px与多个信号线127、128、151、152、153、154、155、156、158、171、172、741连接。多个信号线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、基准电压线156、旁路控制线158、数据线171、驱动电压线172以及公共电压线741。
[0123]
第一扫描线151与栅极驱动部(未图示)连接而向第二晶体管t2传递第一扫描信号gw。第二扫描线152可以在与第一扫描线151的信号相同的定时被施加与施加至第一扫描线151的电压相反极性的电压。例如，在向第一扫描线151施加高电压时，可以向第二扫描线152施加低电压。第二扫描线152将第二扫描信号gc传递至第三晶体管t3。
[0124]
初始化控制线153将初始化控制信号gi传递至第四晶体管t4。旁路控制线158将旁路信号gb传递至第七晶体管t7，旁路控制线154将旁路信号gb传递至第八晶体管t8。旁路控制线154、158可以由后级的第一扫描线151形成。发光控制线155将发光控制信号em传递至第五晶体管t5和第六晶体管t6。
[0125]
数据线171是传递由数据驱动部(未图示)生成的数据电压data的布线，根据施加至像素px的数据电压data，发光元件led发光的亮度会变化。
[0126]
驱动电压线172施加驱动电压elvdd，基准电压线156施加基准电压veh。第一初始化电压线127传递第一初始化电压vint1，第二初始化电压线128传递第二初始化电压vint2。公共电压线741将公共电压elvss施加至发光元件led的阴极。在本实施例中，施加至驱动电压线172、基准电压线156、第一初始化电压线127、第二初始化电压线128和公共电压线741的电压分别可以是恒定电压。
[0127]
以下，具体说明多个晶体管的结构及连接关系。
[0128]
驱动晶体管t1可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。驱动晶体管t1可以根据第二晶体管t2的开关操作而接收数据电压data的传递，从而向发光元件led的阳极供给驱动电流。由于根据输出至发光元件led的阳极的驱动电流的大小来调节发光元件led的亮度，因此可以根据施加至像素px的数据电压data来调节发光元件led的亮度。为此，驱动晶体管t1的第一区域被配置成可以接收驱动电压elvdd的施加，并且经由第五晶体管t5而与驱动电压线172连接。此外，驱动晶体管t1的第一区域还与第二晶体管t2的第二区域连接，从而接收数据电压data的施加。另一方面，驱动晶体管t1的第二区域被配置成可以朝向发光元件led输出电流，并且经由第六晶体管t6而与发光元件led的阳极连接。此外，驱动晶体管t1的第二区域将施加至第一区域的数据电压data传递给第三晶体管t3。另一方面，驱动晶体管t1的栅电极与维持电容器cst的一电级(以下也可以称为第二维持电极)连接。由此，根据存储在维持电容器cst中的电压，驱动晶体管t1的栅电极的电压变化，并由此驱动晶体管t1所输出的驱动电流被变更。此外，维持电容器cst还起到在一帧期间内将驱动晶体管t1的栅电极的电压维持恒定的作用。
[0129]
第二晶体管t2可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第二晶体管t2是将数据电压data接收至像素px内的晶体管。第二晶体管t2的栅电极与第一扫描线151连接。第二晶体管t2的第一区域与数据线171连接。第二晶体管t2的第二区域与驱动晶体管t1的第一区域连接。若根据通过第一扫描线151传递的第一扫描信号gw中的低电压而第二晶体管t2被导通，则通过数据线171传递的数据电压data会被传递至驱动晶体管t1的第一区域。
[0130]
第三晶体管t3可以具有n型晶体管特性，可以包括氧化物半导体。第三晶体管t3电连接驱动晶体管t1的第二区域和驱动晶体管t1的栅电极。其结果，是将数据电压data经驱动晶体管t1而被变化的补偿电压传递至维持电容器cst的第二维持电极的晶体管。第三晶体管t3的栅电极与第二扫描线152连接，第三晶体管t3的第一区域与驱动晶体管t1的第二区域连接。第三晶体管t3的第二区域与维持电容器cst的第二维持电极及驱动晶体管t1的栅电极连接。第三晶体管t3根据通过第二扫描线152接收的第二扫描信号gc中的高电压而被导通，从而连接驱动晶体管t1的栅电极和驱动晶体管t1的第二区域，将施加至驱动晶体管t1的栅电极的电压传递至维持电容器cst的第二维持电极并存储在维持电容器cst中。
[0131]
第四晶体管t4可以具有n型晶体管特性，可以包括氧化物半导体。第四晶体管t4起
到使驱动晶体管t1的栅电极及维持电容器cst的第二维持电极初始化的作用。第四晶体管t4的栅电极与初始化控制线153连接，第四晶体管t4的第一区域与第一初始化电压线127连接。第四晶体管t4的第二区域经由第三晶体管t3的第二区域而与维持电容器cst的第二维持电极及驱动晶体管t1的栅电极连接。第四晶体管t4根据通过初始化控制线153接收的初始化控制信号gi中的高电压而被导通，此时将第一初始化电压vint1传递至驱动晶体管t1的栅电极和维持电容器cst的第二维持电极。由此，驱动晶体管t1的栅电极的电压和维持电容器cst被初始化。
[0132]
第五晶体管t5可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第五晶体管t5起到将驱动电压elvdd传递至驱动晶体管t1的作用。第五晶体管t5的栅电极与发光控制线155连接，第五晶体管t5的第一区域与驱动电压线172连接，并且第五晶体管t5的第二区域与驱动晶体管t1的第一区域连接。
[0133]
第六晶体管t6可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第六晶体管t6起到将从驱动晶体管t1输出的驱动电流传递至发光元件led的作用。第六晶体管t6的栅电极与发光控制线155连接，第六晶体管t6的第一区域与驱动晶体管t1的第二区域连接，并且第六晶体管t6的第二区域与发光元件led的阳极连接。
[0134]
第七晶体管t7可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第七晶体管t7起到使发光元件led的阳极初始化的作用。第七晶体管t7的栅电极与旁路控制线158连接，第七晶体管t7的第一区域与发光元件led的阳极连接，并且第七晶体管t7的第二区域与第二初始化电压线128连接。若根据旁路信号gb中的低电压而第七晶体管t7被导通，则第二初始化电压vint2被施加至发光元件led的阳极而使其初始化。
[0135]
第八晶体管t8可以具有p型晶体管特性，可以包括多晶半导体。第八晶体管t8的栅电极与旁路控制线154连接，第八晶体管t8的第一区域与基准电压线156连接，并且第八晶体管t8的第二区域与驱动晶体管t1的第一区域连接。若根据旁路信号gb中的低电压而第八晶体管t8被导通，则基准电压veh被施加至驱动晶体管t1的第一区域。
[0136]
以上说明了一个像素px包括八个晶体管t1至t8和一个维持电容器cst的情况，但是并不限于此，晶体管的数量和电容器的数量以及它们的连接关系可以以各种方式变更。
[0137]
在本实施例中，驱动晶体管t1可以包括多晶半导体。此外，第三晶体管t3和第四晶体管t4可以包括氧化物半导体。第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7和第八晶体管t8可以包括多晶半导体。但是，并不限于此，第二晶体管t2、第五晶体管t5、第六晶体管t6、第七晶体管t7和第八晶体管t8中的至少任一个也可以包括氧化物半导体。在本实施例中，通过使第三晶体管t3和第四晶体管t4包括与驱动晶体管t1彼此不同的半导体物质，从而可以更稳定地进行驱动，可以提高可靠性。
[0138]
以上，详细说明了本发明的实施例，但是本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中定义的本发明的基本概念进行的各种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围。

技术特征：
1.一种显示装置，包括：显示面板；无机层，与所述显示面板直接相接；以及碳层，与所述无机层直接相接，所述碳层的厚度是1nm至10nm。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述碳层包括非晶碳。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述碳层包括结晶碳。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述碳层包括以简单立方结构排列的区域以及以密排六方结构排列的区域。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述碳层还包括设有非晶碳的区域。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述碳层的折射率是1.6至2.0。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层包括含硅化合物。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层是单层或多层。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述无机层的厚度是400nm至1μm。10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：粘接层，位于所述显示面板与所述无机层之间。

技术总结
本公开涉及显示装置，包括：显示面板；无机层，与所述显示面板直接相接；以及碳层，与所述无机层直接相接，所述碳层的厚度是1nm至10nm。所述碳层的厚度是1nm至10nm。所述碳层的厚度是1nm至10nm。


技术研发人员：朴英吉 金基铉 柳永浚 洪宗范
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.08.04
技术公布日：2022/3/8