显示装置的制作方法

1.本发明的实施例总体涉及显示装置，并且更具体地涉及包括多个像素的显示装置。


背景技术：

2.显示装置可以包括多个像素。像素可以包括发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管和量子点纳米发光二极管等。
3.显示装置可以通过像素向用户显示图像。显示装置可以通过在显示装置的同一显示区域内设置更多像素来显示高分辨率的图像。
4.发光元件可以由像素限定层来划分。然而，当像素限定层被形成时，多个像素必须由像素限定层间隔开。在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解在下文中要详细描述的本发明特征的背景，并且因此，以上信息可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

5.申请人意识到，由于以传统方式布置多个像素的空间限制，特别是当观看小的显示器(诸如由蜂窝电话用户观看蜂窝电话显示器)时，无法容易地实现高分辨率的图像。
6.根据本发明的原理和例示性实施方式构造的显示装置能够显示高分辨率图像，即使显示装置是相对小尺寸的，诸如智能电话的显示器。例如，高分辨率图像可以通过具有设置在第二发光元件上方但邻近第二发光元件的第一发光元件来实现，其中第一发光元件和第二发光元件可以发射基本相同颜色或不同颜色(例如，r和b、或r和g、或b和g)的光，从而使得发光元件能够更密集地封装并显示高分辨率图像，即使显示装置是相对小尺寸的，诸如，显示器或智能电话等。以类似的方式，第一发光元件和第二发光元件可以被设置在第三发光元件上方，其中每个发光元件可以发射相同颜色的光或不同颜色(例如，r、g、b)的光，并且其中第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件被放置成在显示装置中彼此邻近，从而使得发光元件能够更密集地封装并显示高分辨率图像。更具体地，根据一个实施例，显示装置包括多个发光元件、第一基板以及与第一基板相对并通过间隔物间隔开的第二基板。发光元件中的一些可以被设置在第一基板上，并且发光元件中的剩余发光元件的可以被设置在第二基板的面对第一基板的表面上。由于用于将像素彼此分割的像素限定层不需要设置在所有的发光元件之间，因此在平面图中发光元件可以密集地间隔开。因此，即使显示区域很小，像蜂窝电话的显示区域一样，显示装置也可以显示高分辨率图像。
7.第一发光元件可以包括设置在第一支撑件上的下电极、设置在下电极上的中间层以及设置在中间层上的上电极。
8.第一基板可以进一步包括连接到设置在第一基板上的第三发光元件的第三晶体管。
9.第一支撑件可以包括间隔物。
10.第一发光元件至第三发光元件可以发射不同颜色的光，并且第二发光元件和第三
发光元件中的每个可以包括：设置在第一基板上的下电极；设置在下电极上的中间层以及设置在中间层上的上电极。
11.第一发光元件至第三发光元件可以是顶发射型。
12.第一连接电极和第一发光元件可以通过第一支撑件彼此电连接。
13.显示装置可以进一步包括第二基板，在该第二基板上设置有第一发光元件。
14.第一基板可以进一步包括连接到设置在第一基板上的第二连接电极的第三晶体管，显示装置可以进一步包括设置在第二连接电极上并且包括导电材料的第二支撑件以及设置在第二支撑件上的第三发光元件。
15.第一基板可以进一步包括连接到设置在第一基板上的第四发光元件的第四晶体管。
16.第一发光元件和第三发光元件可以被设置在第一高程平面中并且通过第二发光元件彼此间隔开，并且第二发光元件和第四发光元件可以被设置在与第一高程平面不同的第二高程平面中并且通过第三发光元件彼此间隔开。
17.第一发光元件和第三发光元件可以发射基本相同颜色的光，并且第一发光元件、第二发光元件和第四发光元件可以发射彼此不同颜色的光。
18.第一发光元件至第四发光元件可以是顶发射型。
19.根据另一实施例，显示装置包括：包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的第一基板，设置在第一基板上并且连接到第一晶体管的第一连接电极，设置在第一连接电极上并且包括导电材料的第一间隔物，设置在第一间隔物上的第一发光元件，设置在第一基板上并且连接到第二晶体管的第二连接电极，设置在第二连接电极上并且包括导电材料的第二间隔物，设置在第二间隔物上的第二发光元件，以及设置在第一基板上并且连接到第三晶体管的第三发光元件。
20.第一发光元件至第三发光元件可以发射不同颜色的光。
21.显示装置可以进一步包括设置在第一发光元件和第二发光元件上的第二基板。
22.第一连接电极和第二连接电极可以通过第三发光元件彼此间隔开。
23.第一连接电极和第三发光元件可以通过第二连接电极彼此间隔开。
24.第一发光元件至第三发光元件可以是顶发射型。
25.第一连接电极、第一间隔物和第一发光元件可以电连接，并且第二连接电极、第二间隔物和第二发光元件可以电连接。
26.应理解，前述的概括描述和下面的具体描述两者都是例示性的和说明性的，并且旨在提供所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
27.被包括以提供本发明的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图图示了本发明的例示性的实施例，并且与描述一起用来解释本发明构思。
28.图1是根据实施例的原理构造的显示装置的实施例的平面图。
29.图2是示意性地图示包括在图1的显示装置中的像素的实施例的图。
30.图3是图示每英寸的多个像素之间的距离和设置在像素之间的像素限定层的宽度的曲线图。
31.图4是图示沿图2的线i-i'截取的实施例的截面图。
32.图5是图示沿图2的线i-i'截取的实施例的截面图。
33.图6是图示沿图2的线i-i'截取的实施例的截面图。
34.图7是图示沿图2的线i-i'截取的实施例的截面图。
35.图8是示意性地图示包括在图1的显示装置中的像素的另一实施例的图。
36.图9是图示沿图8的线ii-ii'截取的实施例的截面图。
具体实施方式
37.在下面的描述中，为了说明的目的，许多特定细节被阐述，以便提供本发明的各个实施例或实现方式的透彻理解。如本文中使用的，“实施例”和“实现方式”是采用本文中公开的本发明构思中的一个或多个的装置或方法的非限制性示例的可互换的词。然而，显而易见的是，各个实施例可以在没有这些特定细节的情况下或在一个或多个等同布置的情况下被实践。在其他实例中，以框图的形式示出公知的结构和装置，以便避免不必要地模糊各个实施例。此外，各个实施例可以是不同的，但不一定是排他的。例如，可以在另一实施例中使用或实现实施例的特定形状、配置和特性，而不脱离本发明特征。
38.除非另外指定，否则图示的实施例应被理解为提供可以在实践中实现本发明特征的一些方式的变化的细节的例示性特征。因此，除非另外指定，否则在不脱离本发明构思的情况下，各个实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独地或共同地称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
39.在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明邻近元件之间的边界。因此，除非指定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、图示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。进一步地，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施例可以被不同地实现时，特定的工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序进行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时进行或者以与所描述的顺序相反的顺序进行。此外，相同的附图标记指代相同的元件。
40.当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上，直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层上、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理、电气和/或流体连接。进一步地，d1轴、d2轴和d3轴不限于直角坐标系的三个轴，诸如x轴、y轴和z轴，并且可以在更广泛的意义上被解释。例如，d1轴、d2轴和d3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z，或x、y和z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，xyz、xyy、yz和zz。如本文中使用的，术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个或多个的任意和所有组合。
41.尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
42.为了描述的目的，本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“更高的”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间上相对的术语，并且由此描述如附图中图示的一个元件相对于另一(其他)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间上相对的术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外，设备可以被以其它方式定向(例如，旋转90度或以其它方位定向)，并且因此，本文中使用的空间上相对的描述符被相应地解释。
43.本文中使用的术语用于描述具体实施例的目的，而不旨在限制。如本文中使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。还要注意，如本文中使用的，术语“基本”、“约”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且因此被利用以考虑本领域普通技术人员公认的测量的、计算的和/或提供的值的固有偏差。
44.本文中参考作为理想化的实施例和/或中间结构的示意图示的截面图示和/或分解图示来描述各个示例性实施例。这样，可预期作为例如制造技术和/或公差的结果的图示的形状的变化。因此，本文中公开的实施例不必被解释为限于区的具体图示的形状，而应包括从例如制造中得到的形状上的偏差。以这种方式，附图中图示的区本质上可以是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且因此不必旨在限制。
45.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。诸如那些在常用字典中定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此限定。
46.图1是根据实施例的原理构造的显示装置的实施例的平面图。
47.参考图1，显示装置可以包括显示面板dp、数据驱动器ddv、栅驱动器gdv和时序控制器con。
48.在下文更详细地描述的实施例中，显示面板dp可以一体地形成。可替代地，在实施例中，显示面板dp可以包括多个子显示面板。
49.显示面板dp可以包括多个像素p。多个像素p中的每个可以包括发光元件。显示面板dp可以通过发光元件显示图像。例如，发光元件可以包括有机发光二极管、量子点有机发光二极管和量子点纳米发光二极管中的任一个。可替代地，显示装置可以包括液晶显示装置或其它已知的显示装置。
50.时序控制器con可以基于外部提供到时序控制器con的控制信号ctrl和输入图像数据idat产生栅控制信号gctrl、数据控制信号dctrl和输出图像数据odat。例如，控制信号ctrl可以包括垂直同步信号、水平同步信号、输入数据使能信号和主时钟信号等。例如，输入图像数据idat可以是包括红色(r)图像数据、绿色(g)图像数据和蓝色(b)图像数据的rgb数据。可替代地，输入图像数据idat可以包括品红色图像数据、青色图像数据和黄色图像数据。
51.栅驱动器gdv可以基于从时序控制器con提供的栅控制信号gctrl产生栅信号。例如，栅控制信号gctrl可以包括垂直开始信号和时钟信号。
52.栅驱动器gdv电连接到显示面板dp，并且可以顺序地输出栅信号。像素p中的每个可以根据栅信号中的每个的控制来接收数据电压。
53.数据驱动器ddv可以基于从时序控制器con提供的数据控制信号dctrl和输出图像数据odat产生数据电压。例如，数据控制信号dctrl可以包括输出数据使能信号、水平开始信号和负载信号。
54.数据驱动器ddv电连接到显示面板dp，并且可以产生多个数据电压。像素p中的每个可以通过接收与数据电压中的每个相对应的亮度的信号来显示图像。
55.图2是示意性地图示包括在图1的显示装置中的像素的实施例的图。
56.参考图2，多个像素p中的每个可以包括多个子像素。在实施例中，多个像素p中的每个可以包括第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3。第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3可以发射不同颜色的光。第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3可以通过像素限定层pdl被彼此划分。
57.在实施例中，子像素sp1、sp2和sp3可以以各种方式被布置。例如，子像素sp1、sp2和sp3可以在一个方向上间隔开，如图2中图示的。可替代地，子像素sp1、sp2和sp3可以被布置成菱形、五格型或s条状结构。即，子像素sp1、sp2和sp3可以在图像可以被显示的范围内被各种布置。
58.第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3可以包括不同的材料。可以通过气相沉积来沉积不同的材料。在此情况下，要沉积在第一子像素sp1中的材料可能沉积在邻近的第二子像素sp2中。在此情况下，显示装置的发光特性可能变得劣化。为了防止这种情况发生，第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3应通过像素限定层pdl间隔开预定间隔(例如，pdl间隙)或更多。另外，多个像素p还应彼此间隔开预定间隔或更多。然而，当第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3彼此间隔开预定间隔或更多时，显示装置可能无法显示高分辨率图像。
59.图3是图示每英寸的多个像素之间的距离和设置在像素之间的像素限定层的宽度的曲线图。
60.参考图3，为了增加显示装置的每英寸像素数(ppi)，应减少在多个像素之间以及在子像素之间的空间。即，应减小设置在多个像素之间以及在子像素之间的像素限定层的宽度(pdl间隙)。
61.例如，当前使用的显示装置可以包括大约每英寸400至600个像素(400至600ppi)。在此情况下，设置在像素之间的像素限定层的宽度可以为大约10至20μm。为了使显示装置显示高分辨率图像(ppi》1000)，宽度(pdl间隙)应减小到大约5μm或更小。
62.图4是图示沿图2的线i-i'截取的实施例的截面图。
63.参考图4，显示装置可以包括第一基板sub1、第二基板sub2、第一发光元件ed1、第二发光元件ed2、第三发光元件ed3、像素限定层pdl、第一连接电极ce1以及可以是第一间隔物sr1的形式的第一支撑件。发光元件可以是当被电子信号激活时能够选择性地发射不同强度的光的任何已知的元件。
64.第一基板sub1可以包括基底基板bs、缓冲层buf、栅绝缘层gi、层间绝缘层ild、通
孔绝缘层via、第一晶体管tft1、第二晶体管tft2和第三晶体管tft3。第一晶体管tft1可以包括第一有源层act1、第一栅电极gate1、第一源电极s1和第一漏电极d1。第二晶体管tft2可以包括第二有源层act2、第二栅电极gate2、第二源电极s2和第二漏电极d2。第三晶体管tft3可以包括第三有源层act3、第三栅电极gate3、第三源电极s3和第三漏电极d3。
65.基底基板bs可以包括玻璃、石英或塑料等。在实施例中，基底基板bs可以包括塑料，并且因此显示装置可以具有柔性特性。在此情况下，基底基板bs可以具有在其中至少一个有机膜层和至少一个阻挡层交替堆叠的结构。例如，可以使用诸如聚酰亚胺的有机材料形成有机膜层，并且可以使用无机材料形成阻挡层。
66.缓冲层buf可以被设置在基底基板bs上。缓冲层buf可以防止金属原子或杂质从基底基板bs扩散到第一至第三有源层act1、act2和act3。另外，缓冲层buf可以在用于形成第一至第三有源层act1、act2和act3的结晶工艺期间调节供热率，并且因此，可以均匀地形成第一至第三有源层act1、act2和act3。
67.第一至第三有源层act1、act2和act3可以被设置在缓冲层buf上。在实施例中，第一至第三有源层act1、act2和act3可以包括基于氧化物的半导体材料。例如，基于氧化物的半导体材料可以包括选自氧化锌(“zno
x”)、氧化锡(“sno
x”)、氧化铟(“ino
x”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化铟镓(“igo”)、氧化锌锡(“znsn
xoy”)和氧化铟镓锌(“igzo”)中的至少一个。
68.可替代地，在实施例中，第一至第三有源层act1、act2和act3可以包括基于硅的半导体材料。例如，基于硅的半导体材料可以包括非晶硅或多晶硅。
69.可替换地，在实施例中，第一至第三有源层act1、act2和act3中的一些有源层可以包括基于硅的半导体材料，并且第一至第三有源层act1、act2和act3中的除了该一些有源层之外的其他有源层可以包括基于氧化物的半导体材料。在此情况下，第一至第三有源层act1、act2和act3中的该一些有源层和该其他有源层可以被设置在不同的层上。
70.栅绝缘层gi可以被设置在缓冲层buf上，以覆盖第一至第三有源层act1、act2和act3。栅绝缘层gi可以包括氧化硅(“sio
x”)、氮化硅(“sin
x”)或氧氮化硅(“sin
xoy”)等。
71.栅绝缘层gi可以被设置成具有平坦的顶表面。然而，在实施例中，栅绝缘层gi可以被设置成沿第一至第三有源层act1、act2和act3的轮廓具有基本相同的厚度。这可以同样地应用于下面描述的绝缘层。
72.第一至第三栅电极gate1、gate2和gate3可以被设置在栅绝缘层gi上。第一至第三栅电极gate1、gate2和gate3可以包括导电材料。例如，第一至第三栅电极gate1、gate2和gate3可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。例如，第一至第三栅电极gate1、gate2和gate3可以包括银(“ag”)、包含银的合金、钼(“mo”)、包含钼的合金、铝(“al”)、包含铝的合金、氮化铝(“aln”)、钨(“w”)、氮化钨(“wn”)、铜(“cu”)、镍(“ni”)、铬(“cr”)、氮化铬(“crn”)、钛(“ti”)、钽(“ta”)、铂(“pt”)、钪(“sc”)、氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)等。
73.层间绝缘层ild可以被设置在栅绝缘层gi上，同时覆盖第一至第三栅电极gate1、gate2和gate3。层间绝缘层ild可以包括硅化合物或金属氧化物等。例如，层间绝缘层ild可以包括氧化硅(“sio
x”)、氮化硅(“sin
x”)或氧氮化硅(“sin
xoy”)等。
74.第一至第三源电极s1、s2和s3以及第一至第三漏电极d1、d2和d3可以被设置在层间绝缘层ild上。第一至第三源电极s1、s2和s3以及第一至第三漏电极d1、d2和d3可以包括
金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。
75.第一源电极s1和第一漏电极d1中的每个可以通过接触孔连接到第一有源层act1。第二源电极s2和第二漏电极d2中的每个可以通过接触孔连接到第二有源层act2。第三源电极s3和第三漏电极d3中的每个可以通过接触孔连接到第三有源层act3。
76.通孔绝缘层via可以被设置在层间绝缘层ild上，同时覆盖第一至第三源电极s1、s2和s3以及第一至第三漏电极d1、d2和d3。通孔绝缘层via可以包括硅化合物或金属氧化物等。可替代地，通孔绝缘层via可以由诸如聚酰亚胺(“pi”)的有机绝缘材料形成。
77.像素限定层pdl可以被设置在通孔绝缘层via上。像素限定层pdl可以包括在其中设置有第一连接电极ce1、第二发光元件ed2和第三发光元件ed3的开口。在实施例中，像素限定层pdl可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层pdl可以包括诸如聚酰亚胺(“pi”)或六甲基二硅烷的有机绝缘材料。
78.第一连接电极ce1可以被设置在由像素限定层pdl形成的开口中。第一连接电极ce1可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。第一连接电极ce1可以通过接触孔连接到第一晶体管tft1的第一漏电极d1。第一连接电极ce1可以从第一晶体管tft1接收信号。
79.第二发光元件ed2和第三发光元件ed3可以被设置在由像素限定层pdl形成的开口中。第二发光元件ed2和第三发光元件ed3可以与第一连接电极ce1设置在同一层上。第二发光元件ed2可以包括第二下电极le2、第二中间层el2和第二上电极ue2。第三发光元件ed3可以包括第三下电极le3、第三中间层el3和第二上电极ue2。第二上电极ue2可以被设置在像素限定层pdl、第二中间层el2和第三中间层el3上。第二下电极le2可以通过接触孔连接到第二晶体管tft2的第二漏电极d2。第三下电极le3可以通过接触孔连接到第三晶体管tft3的第三漏电极d3。通过这样，第二发光元件ed2和第三发光元件ed3可以分别直接从第二晶体管tft2和第三晶体管tft3接收信号。
80.第一间隔物sr1可以被设置在第一连接电极ce1上。第一间隔物sr1可以包括导电材料。例如，第一间隔物sr1可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。本文中公开的间隔物可以是支撑第二基板sub2并且使发光元件中的一个或多个能够被设置在与剩余发光元件不同的高程平面中的任何元件或结构。
81.由第一间隔物sr1产生的第一上电极ue1与第二上电极ue2之间的区域可以填充有各种材料。在实施例中，第一上电极ue1与第二上电极ue2之间的区域可以填充有透明绝缘材料。透明绝缘材料可以包括玻璃或透明树脂等。例如，透明绝缘材料可以包括聚酰亚胺(“pi”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)和聚萘二甲酸乙二醇酯(“pen”)等。可替代地，第一上电极ue1与第二上电极ue2之间的区域可以填充有透明粘合材料。例如，透明粘合材料可以是丙烯酸粘合材料。透明粘合材料可以包括光学透明树脂和光学透明粘合剂等。然而，在实施例中，第一上电极ue1与第二上电极ue2之间的空间可以填充有空气。第一发光元件ed1可以被设置在第一间隔物sr1上。第一发光元件ed1可以包括第一下电极le1、第一中间层el1和第一上电极ue1。第一下电极le1可以通过第一间隔物sr1连接到第一连接电极ce1和第一晶体管tft1。通过这样，第一发光元件ed1可以从第一晶体管tft1接收信号。
82.以此方式，第一发光元件ed1被设置在第二发光元件ed2和第三发光元件ed3上方，当第一发光元件ed1被沉积时，包括在第一发光元件ed1中的材料不被沉积于在其中设置有
第二发光元件ed2和第三发光元件ed3的开口中。即，第一发光元件ed1可以被放置成与第二发光元件ed2和第三发光元件ed3邻近，并且与所有发光元件都被设置在同一高程平面中相比彼此更接近。因此，显示装置可以显示高分辨率图像。
83.第二基板sub2可以被设置在第一上电极ue1上。在实施例中，第一发光元件ed1、第二发光元件ed2和第三发光元件ed3可以是在设置有第二基板sub2的方向上发光的顶发射型。因此，第二基板sub2可以包括透明材料。例如，第二基板sub2可以是诸如玻璃基板或塑料基板的透明基板。
84.第一发光元件ed1可以发射第一光l1，并且第二发光元件ed2可以发射第二光l2。第三发光元件ed3可以发射第三光l3。第一至第三光l1、l2和l3中的每个可以具有不同的颜色。
85.在实施例中，在第一子像素sp1中，第一发光元件ed1可以连接到第一晶体管tft1以发射第一光l1。在第二子像素sp2中，第二发光元件ed2可以连接到第二晶体管tft2以发射第二光l2。在第三子像素sp3中，第三发光元件ed3连接到第三晶体管tft3以发射第三光l3。
86.图5是图示沿图2的线i-i'截取的实施例的截面图。图5可以与图4基本相同，除了第一间隔物sr1的位置被改变之外。因此，将省略重复描述以避免冗余。
87.参考图5，第一间隔物sr1可以被设置在第一连接电极ce1上。与图4的设置在第一连接电极ce1的一端上的第一间隔物sr1不同，图5的第一间隔物sr1可以被设置在第一连接电极ce1的与该一端相对的另一端上。如以上描述的，第一间隔物sr1可以在能够接触第一连接电极ce1的范围内被各种设置。因此，第一间隔物sr1可以在第一基板sub1上的各个位置处支撑第二基板sub2。
88.图6是图示沿图2的线i-i'截取的实施例的截面图。图6可以与图4基本相同，除了进一步包括第二间隔物sr2之外。因此，将省略重复描述以避免冗余。
89.参考图6，显示装置可以进一步包括第二间隔物sr2。第二间隔物sr2可以被设置在第一连接电极ce1上。在实施例中，第一间隔物sr1和第二间隔物sr2可以被设置在第一连接电极ce1的两端。结果，第一间隔物sr1和第二间隔物sr2可以在第一基板sub1上支撑第二基板sub2。另外，从第一连接电极ce1通过第一间隔物sr1和第二间隔物sr2传输的信号可以被有效地传输到第一发光元件ed1。
90.图7是图示沿图2的线i-i'截取的实施例的截面图。图7可以与图4基本相同，除了第二子像素sp2之外。因此，将省略重复描述以避免冗余。
91.参考图7，第二连接电极ce2可以被设置在第二晶体管tft2上。第二连接电极ce2可以通过接触孔连接到第二晶体管tft2的第二漏电极d2。第二间隔物sr2可以被设置在第二连接电极ce2上。第二连接电极ce2和第二发光元件ed2可以通过第二间隔物sr2连接。
92.第二发光元件ed2可以被设置在第二间隔物sr2上。第二发光元件ed2可以包括第二下电极le2、第二中间层el2和第一上电极ue1。与图4不同，第二发光元件ed2的上电极可以与第一发光元件ed1的上电极一体地形成。
93.以此方式，第一发光元件ed1和第二发光元件ed2被设置在第三发光元件ed3上方，使得第一发光元件ed1和第二发光元件ed2可以被设置成与第三发光元件ed3邻近，并且与所有发光元件都被设置在同一高程平面中相比彼此更接近。因此，显示装置可以显示高分
辨率图像。
94.在图2、图4至图7中，尽管第一子像素sp1和第二子像素sp2被图示为彼此邻近，并且第三子像素sp3被图示为通过第二子像素sp2与第一子像素sp1间隔开，但这是例示性的，并且实施例不限于此。例如，第一子像素sp1和第三子像素sp3可以被设置成彼此邻近，并且第二子像素sp2可以通过第三子像素sp3与第一子像素sp1间隔开。
95.例如，第一连接电极ce1和第二连接电极ce2可以通过第三发光元件ed3间隔开。可替代地，第一连接电极ce1和第三发光元件ed3可以通过第二连接电极ce2间隔开。
96.图8是示意性地图示包括在图1的显示装置中的像素的另一实施例的图。
97.参考图8，多个像素p中的每个可以包括第1a子像素sp1a、第1b子像素sp1b、第二子像素sp2和第三子像素sp3。在实施例中，第1a子像素sp1a和第1b子像素sp1b可以在尺寸上小于第二子像素sp2和第三子像素sp3。
98.然而，实施例不限于图8中图示的实施例，并且第1a子像素sp1a和第1b子像素sp1b可以与第二子像素sp2和第三子像素sp3具有基本相同的尺寸。
99.第1a子像素sp1a和第1b子像素sp1b可以发射基本相同颜色的光。在实施例中，子像素sp1a、sp1b、sp2和sp3可以以各种方式被布置。例如，子像素sp1a、sp1b、sp2和sp3可以在一个方向上间隔开，如图2中所示。可替代地，子像素sp1a、sp1b、sp2和sp3可以被布置成菱形、五格型或s条状结构。即，子像素sp1a、sp1b、sp2和sp3可以在能够显示图像的范围内被各种布置。
100.图9是图示沿图8的线ii-ii'截取的实施例的截面图。
101.参考图9，显示装置可以包括第一基板sub1、第二基板sub2、第一发光元件ed1、第二发光元件ed2、第三发光元件ed3、第四发光元件ed4、像素限定层pdl、第一连接电极ce1、第二连接电极ce2、第一间隔物sr1和第二间隔物sr2。
102.第一基板sub1可以包括基底基板bs、缓冲层buf、栅绝缘层gi、层间绝缘层ild、通孔绝缘层via、第一晶体管tft1、第二晶体管tft2、第三晶体管tft3和第四晶体管tft4。第一晶体管tft1可以包括第一有源层act1、第一栅电极gate1、第一源电极s1和第一漏电极d1。第二晶体管tft2可以包括第二有源层act2、第二栅电极gate2、第二源电极s2和第二漏电极d2。第三晶体管tft3可以包括第三有源层act3、第三栅电极gate3、第三源电极s3和第三漏电极d3。第四晶体管tft4可以包括第四有源层act4、第四栅电极gate4、第四源电极s4和第四漏电极d4。
103.基底基板bs可以包括玻璃、石英或塑料等。在实施例中，基底基板bs可以包括塑料，并且因此显示装置可以具有柔性特性。
104.缓冲层buf可以被设置在基底基板bs上。缓冲层buf可以防止金属原子或杂质从基底基板bs扩散到第一至第四有源层act1、act2、act3和act4。
105.第一有源层act1、第二有源层act2、第三有源层act3和第四有源层act4可以被设置在缓冲层buf上。在实施例中，第一有源层act1、第二有源层act2、第三有源层act3和第四有源层act4可以包括基于氧化物的半导体材料。可替代地，在实施例中，第一有源层act1、第二有源层act2、第三有源层act3和第四有源层act4可以包括基于硅的半导体材料。
106.栅绝缘层gi可以被设置在缓冲层buf上，同时覆盖第一有源层act1、第二有源层act2、第三有源层act3和第四有源层act4。栅绝缘层gi可以包括氧化硅(“sio
x”)、氮化硅
(“sin
x”)或氧氮化硅(“sin
xoy”)等。
107.第一栅电极gate1、第二栅电极gate2、第三栅电极gate3和第四栅电极gate4可以被设置在栅绝缘层gi上。第一栅电极gate1、第二栅电极gate2、第三栅电极gate3和第四栅电极gate4可以包括导电材料。
108.层间绝缘层ild可以被设置在栅绝缘层gi上，同时覆盖第一栅电极gate1、第二栅电极gate2、第三栅电极gate3和第四栅电极gate4。层间绝缘层ild可以包括硅化合物或金属氧化物等。
109.第一至第四源电极s1、s2、s3和s4以及第一至第四漏电极d1、d2、d3和d4可以被设置在层间绝缘层ild上。第一至第四源电极s1、s2、s3和s4以及第一至第四漏电极d1、d2、d3和d4可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。
110.第一源电极s1和第一漏电极d1中的每个可以通过接触孔连接到第一有源层act1。第二源电极s2和第二漏电极d2中的每个可以通过接触孔连接到第二有源层act2。第三源电极s3和第三漏电极d3中的每个可以通过接触孔连接到第三有源层act3。第四源电极s4和第四漏电极d4中的每个可以通过接触孔连接到第四有源层act4。
111.通孔绝缘层via可以被设置在层间绝缘层ild上，同时覆盖第一至第四源电极s1、s2、s3和s4以及第一至第四漏电极d1、d2、d3和d4。通孔绝缘层via可以包括硅化合物或金属氧化物等。可替代地，通孔绝缘层via可以由诸如聚酰亚胺(“pi”)的有机绝缘材料形成。
112.像素限定层pdl可以被设置在通孔绝缘层via上。像素限定层pdl可以包括在其中设置有第一连接电极ce1、第二连接电极ce2、第二发光元件ed2和第四发光元件ed4的开口。在实施例中，像素限定层pdl可以包括有机绝缘材料。
113.第一连接电极ce1可以被设置在由像素限定层pdl形成的开口中。第一连接电极ce1可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。第一连接电极ce1可以通过接触孔连接到第一晶体管tft1的第一漏电极d1。第一连接电极ce1可以从第一晶体管tft1接收信号。
114.第二连接电极ce2可以被设置在由像素限定层pdl形成的开口中。第二连接电极ce2可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电材料等。第二连接电极ce2可以通过接触孔连接到第三晶体管tft3的第三漏电极d3。第三连接电极ce3可以从第三晶体管tft3接收信号。
115.第二发光元件ed2和第四发光元件ed4可以被设置在由像素限定层pdl形成的开口中。第二发光元件ed2和第四发光元件ed4可以与第一连接电极ce1和第二连接电极ce2设置在同一层上。第二发光元件ed2可以包括第二下电极le2、第二中间层el2和第二上电极ue2。第四发光元件ed4可以包括第四下电极le4、第四中间层el4和第四上电极ue4。
116.第二下电极le2可以通过接触孔连接到第二晶体管tft2的第二漏电极d2。第四下电极le4可以通过接触孔连接到第四晶体管tft4的第四漏电极d4。通过这样，第二发光元件ed2和第四发光元件ed4可以分别直接从第二晶体管tft2和第四晶体管tft4接收信号。
117.第一间隔物sr1可以被设置在第一连接电极ce1上。第一间隔物sr1可以包括导电材料。另外，第二间隔物sr2可以被设置在第二连接电极ce2上。
118.第一发光元件ed1可以被设置在第一间隔物sr1上。第一发光元件ed1可以包括第一下电极le1、第一中间层el1和第一上电极ue1。第一下电极le1可以通过第一间隔物sr1连
接到第一连接电极ce1和第一晶体管tft1。通过这样，第一发光元件ed1可以从第一晶体管tft1接收信号。
119.第三发光元件ed3可以被设置在第二间隔物sr2上。第三发光元件ed3可以包括第三下电极le3、第三中间层el3和第一上电极ue1。第三下电极le3可以通过第二间隔物sr2连接到第二连接电极ce2和第三晶体管tft3。通过这样，第三发光元件ed3可以从第三晶体管tft3接收信号。
120.在实施例中，第一发光元件ed1和第三发光元件ed3可以包括相同的有机发光材料。因此，第一发光元件ed1和第三发光元件ed3可以发射基本相同颜色的光。
121.以此方式，第一发光元件ed1和第三发光元件ed3被设置在第二发光元件ed2和第四发光元件ed4上方，当第一发光元件ed1和第三发光元件ed3被沉积时，包括在第一发光元件ed1和第三发光元件ed3中的材料不被沉积于在其中设置有第二发光元件ed2和第四发光元件ed4的开口中。即，第一至第四发光元件ed1、ed2、ed3和ed4可以被放置成彼此邻近，并且与所有发光元件都被设置在同一高程平面中相比彼此更接近。因此，显示装置可以显示高分辨率图像。
122.第一上电极ue1与第二上电极ue2(或第四上电极ue4)之间的区域可以填充有各种材料。在实施例中，第一上电极ue1与第二上电极ue2(或第四上电极ue4)之间的区域可以填充有透明绝缘材料。透明绝缘材料可以包括玻璃或透明树脂等。例如，透明绝缘材料可以包括聚酰亚胺(“pi”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)和聚萘二甲酸乙二醇酯(“pen”)等。可替代地，第一上电极ue1与第二上电极ue2(或第四上电极ue4)之间的区域可以填充有透明粘合材料。例如，透明粘合材料可以是丙烯酸粘合材料。透明粘合材料可以包括光学透明树脂和光学透明粘合剂等。然而，在实施例中，第一上电极ue1与第二上电极ue2(或第四上电极ue4)之间的空间可以填充有空气。
123.第二基板sub2可以被设置在第一上电极ue1上。在实施例中，第一发光元件ed1、第二发光元件ed2、第三发光元件ed3和第四发光元件ed4可以是在设置有第二基板sub2的方向上发光的顶发射型。因此，第二基板sub2可以包括透明材料。例如，第二基板sub2可以是诸如玻璃基板或塑料基板的透明基板。
124.第一发光元件ed1和第三发光元件ed3可以发射第一光l1，并且第二发光元件ed2可以发射第二光l2。第四发光元件ed4可以发射第三光l3。第一至第三光l1、l2和l3中的每个可以具有不同的颜色。可替代地，第一至第三光l1、l2和l3可以是基本相同颜色的光。
125.在实施例中，在第1a子像素sp1a中，第一发光元件ed1可以连接到第一晶体管tft1以发射第一光l1。在第二子像素sp2中，第二发光元件ed2可以连接到第二晶体管tft2以发射第二光l2。在第1b子像素sp1b中，第三发光元件ed3可以连接到第三晶体管tft3以发射第一光l1。在第三子像素sp3中，第四发光元件ed4可以连接到第四晶体管tft4以发射第三光l3。
126.根据本发明的原理和实施例构造的显示装置可以用于计算机、笔记本、移动电话、智能电话、智能平板、pmp、pda或mp3播放器等。
127.尽管本文中已经描述了特定实施例和实施方式，但其它实施例和修改将从本描述中显而易见。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于随附权利要求以及对本领域普通技术人员来说将是显而易见的各种明显的修改和等同布置的更广泛的范围。

技术特征：
1.一种显示装置，包括：第一基板，包括第一晶体管和第二晶体管；第一连接电极，设置在所述第一基板上，并且连接到所述第一晶体管；第一支撑件，设置在所述第一连接电极上，并且包括导电材料；第一发光元件，在第一高程平面中设置在所述第一支撑件上；以及第二发光元件，在与所述第一高程平面不同的第二高程平面中设置在所述第一基板上，并且连接到所述第二晶体管。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一发光元件包括：下电极，设置在所述第一支撑件上；中间层，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述中间层上。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一基板进一步包括：第三晶体管，连接到设置在所述第一基板上的第三发光元件。4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，所述第一支撑件包括间隔物。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一发光元件至所述第三发光元件发射不同颜色的光，并且所述第二发光元件和所述第三发光元件中的每个包括：下电极，设置在所述第一基板上；中间层，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述中间层上。6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一发光元件至所述第三发光元件是顶发射型。7.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，所述第一连接电极和所述第一发光元件通过所述第一支撑件彼此电连接。8.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，进一步包括：第二基板，在所述第二基板上设置有所述第一发光元件。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一基板进一步包括：第三晶体管，连接到设置在所述第一基板上的第二连接电极；其中，所述显示装置进一步包括：第二支撑件，设置在所述第二连接电极上并且包括导电材料；以及第三发光元件，设置在所述第二支撑件上。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一基板进一步包括：第四晶体管，连接到设置在所述第一基板上的第四发光元件。

技术总结
显示装置包括：包括第一晶体管和第二晶体管的第一基板，设置在第一基板上并且连接到第一晶体管的第一连接电极，设置在第一连接电极上并且包括导电材料的第一间隔物，设置在第一间隔物上的第一发光元件，以及设置在第一基板上并且连接到第二晶体管的第二发光元件。上并且连接到第二晶体管的第二发光元件。上并且连接到第二晶体管的第二发光元件。


技术研发人员：文声轸 李宽熙 李宰瑛
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.07.16
技术公布日：2022/3/8