封装胶体、高亮度mini-LED结构及mini-LED结构的制造工艺的制作方法

封装胶体、高亮度mini-led结构及mini-led结构的制造工艺
技术领域
1.本技术涉及mini-led的领域，尤其是涉及一种封装胶体、高亮度mini-led结构及mini-led结构的制造工艺。


背景技术：

2.随着mini-led显示技术的快速发展，mini-led显示产品的应用范围更加广阔，在监控指挥、高端影院以及广告显示等领域均有使用。
3.目前，最常使用的mini-led显示结构包括基板、发光芯片和封装胶体，发光芯片贴装在基板的一侧，封装胶体位于基板靠近发光芯片的一侧，且与基板胶粘连接，发光芯片位于封装胶体内，封装胶体远离基板的一侧贴覆有扩散膜，扩散膜设置有三层。使用时，发光芯片上的点状光源发出光线，光线经三层扩散膜进行扩散，从而将光线均匀照射到外界。
4.针对上述中的相关技术，发明人认为使用三层扩散膜虽然使得发光芯片的点状光源趋向于变成面状光源，但是也使得光能损失，进而使亮度下降。


技术实现要素：

5.为了提高mini-led的亮度，本技术提供一种封装胶体、高亮度mini-led结构及mini-led结构的制造工艺。
6.第一方面，本技术提供的一种封装胶体，采用如下的技术方案：一种封装胶体，用于将发光芯片封装在基板上，包括高透光率材料制成的封装胶体，封装胶体表面上开设有若干个v形槽，相邻两个v形槽的槽壁相接触。
7.通过采用上述技术方案，在封装胶体表面开设v形槽，v形槽对发光芯片的点状光源进行折射和发散，使发光芯片的点状光源更加趋向于变成面状光源，使得mini-led的发光效果更加均匀，从而使得发光芯片的点状光源无需透过多层扩散介质便能趋向于面状光源，使得发光芯片的光线不易因透过多层扩散介质而损耗光能，进而提高了mini-led的发光亮度。
8.可选的，所述v形槽的槽口开角为20-105
°
，相邻两个v形槽的槽底距离为0.05-0.2mm，v形槽的深度为0.05-0.2mm。
9.通过采用上述技术方案，通过对v形槽的槽口开角、相邻两个v形槽的槽底距离以及v形槽的深度的尺寸进行限定，使得v形槽满足尺寸限定时，能够有效地对点状光源的光线进行折射，进而使点状光源趋向于面状光源。
10.可选的，所述封装胶体采用uv胶水凝固而成。
11.通过采用上述技术方案，由于uv胶水本身具有高透光率的特性，采用uv胶水制成的封装胶体同样具有高透光率，从而降低了封装胶体对光能的损耗，使得mini-led的亮度更加高亮。
12.第二方面，本技术提供的一种高亮度mini-led结构，采用如下的技术方案：一种高亮度mini-led结构，包括载板和上述的封装胶体，载板包括基板和发光芯
片，发光芯片贴装在基板的一侧，封装胶体位于基板靠近发光芯片的一侧，且将发光芯片封装在基板上，发光芯片密封于封装胶体内部，v形槽的槽壁上贴覆有一层扩散膜。
13.通过采用上述技术方案，将表面开设v形槽的封装胶体与载板胶粘连接，并在v形槽的槽壁上贴覆了一层扩散膜，v形槽和扩散膜共同作用使得发光芯片的点状光源进行折射和发散，使得点状光源更加趋向于变成面状光源，进而使得mini-led的发光效果更加均匀，且由于只贴覆了一层扩散膜，使得光线透过的扩散介质减少，减少了光能的损耗，使得mini-led的亮度更加高亮；同时封装胶体贴覆扩散膜的数量减少，使得mini-led的总厚度减少，进而使得mini-led能够更加薄化。
14.可选的，所述发光芯片为蓝光芯片。
15.通过采用上述技术方案，蓝光芯片发出蓝色的光，然后蓝色光线再通过光学膜材的qd film变成蓝光，与普通光线相比，具有护眼的效果，对人体有保护效果。
16.第三方面，本技术提供一种高亮度mini-led结构的制造工艺，采用如下的技术方案：一种高亮度mini-led结构的制造工艺，用于制造上述的mini-led结构，包括以下步骤：uv胶水封装：将发光芯片贴装在基板上，两者形成载板，将uv胶水通过点胶机对基板上的发光芯片进行密封封装形成封装胶体；真空脱泡：将与封装胶体贴合后的载板进行真空脱泡，使封装胶体的胶面与载板内的气泡抽出；uv胶水固化：将载板上的uv胶水与载板进行固化结合形成uv胶载板；滚压v形槽：将固化后的uv胶载板采用加热的滚轴进行热滚压，在uv胶载板的胶水表面形成v形槽。
17.通过采用上述技术方案，通过点胶机将uv胶水封装在贴覆发光芯片的基板上，再将封装胶体与载板的空气抽出并使uv胶水固化，然后采用加热的滚轴在uv载胶板的胶水表面滚压出v形槽，使得v形槽的制造更加方便、快捷，提高了生产效率。
18.可选的，所述滚轴加热温度为260-320℃。
19.通过采用上述技术方案，滚轴的温度在260-320℃的范围内，能够使uv胶水软化的同时不易损伤uv胶水，使得v形槽的制造方便、快捷，且不易影响uv胶水的透光性能。
20.综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：通过开设v形槽并在v形槽槽壁上贴覆一层扩散膜，使得mini-led的点状光源趋向于面状光源，进而使mini-led的发光效果更加均匀，且由于减少了光线透过的扩散介质，使得mini-led的亮度更加高亮；通过对v形槽的尺寸进行限定，使得v形槽的折射效果更加有效；通过采用加热滚轴滚压v形槽的方式，使得v形槽的制造过程方便、快捷，且不易损伤uv胶水。
附图说明
21.图1是本技术实施例的结构示意图；图2是本技术实施例的爆炸视图；
图3是旨在说明内部装配关系的剖面视图。
22.附图标记说明：1、载板；11、基板；12、蓝光芯片；2、封装胶体；21、v形槽；3、扩散膜。
具体实施方式
23.以下结合附图1-3对本技术作进一步详细说明。
24.本技术实施例公开一种封装胶体。
25.参照图1和图2，一种封装胶体，用于将发光芯片封装在基板11上，包括采用uv胶水制成的封装胶体2，封装胶体2的一侧开设有若干个v形槽21，相邻两个v形槽21的槽壁相接触，v形槽21的槽口开角为20-105
°
，相邻两个v形槽21的槽底距离为0.05-0.2mm，v形槽21的深度为0.05-0.2mm。
26.使用时，封装胶体2上的v形槽21将mini-led的光线进行折射和发散，使mini-led的点状光源趋向于面状光源，使得发光芯片的点状光源无需透过多层扩散介质便能趋向于面状光源，使得发光芯片的光线不易因透过多层扩散介质而损耗光能，且由于封装胶体2采用高透光率的uv胶水进行制造，提高了封装胶体2的透光性，减少了封装胶体2对mini-led光能的吸收，从而提高了mini-led的发光亮度。
27.本技术实施例公开一种高亮度mini-led结构。
28.参照图2和图3，一种高亮度mini-led结构包括载板1和上述的封装胶体2，载板1包括基板11和发光芯片，发光芯片为蓝光芯片12，蓝光芯片12贴装在基板11的一侧，封装胶体2设置在基板11靠近蓝光芯片12的一侧，蓝光芯片12位于封装胶体2内，且与封装胶体2粘接连接，v形槽21的槽壁上贴覆有一层扩散膜3。
29.使用时，蓝光芯片12发出护眼的点状蓝色光线，点状蓝色光线透过高透光率的封装胶体2，并照射在v形槽21和一层扩散膜3上，点状蓝色光线通过v形槽21和一层扩散膜3的折射和发散更加趋向于面状光源，使得mini-led发出的光线更加均匀，同时由于mini-led光线经过的扩散膜3数量减少，使得mini-led光线的光能损耗减少，进而使得mini-led的光亮更加高亮。
30.本技术实施例还公开了一种高亮度mini-led结构的制造工艺。
31.一种高亮度mini-led结构的制造工艺，用于制造上述的mini-led结构，包括以下步骤：uv胶水封装：将蓝光芯片12贴装在基板11上，两者形成载板1，将uv胶水通过点胶机对基板11上的蓝光芯片12进行密封封装形成封装胶体2；真空脱泡：将与封装胶体2贴合后的载板1进行真空脱泡，使封装胶体2的胶面与载板1内的气泡抽出；uv胶水固化：将载板1上的uv胶水与载板1进行固化结合形成uv胶载板；滚压v形槽21：将固化后的uv胶载板采用加热的滚轴进行热滚压，在uv胶载板的胶水表面形成v形槽21。
32.在制造时，先将蓝光芯片12固定贴装到基板11上，两者形成一个载板1，然后将uv胶水通过点胶机设置在载板1上，从而将蓝光芯片12进行密封封装，并形成封装胶体2，在完成蓝光芯片12的封装后，将封装胶体2与载板1之间的气泡抽出，然后使封装胶体2与载板1进行固化形成uv胶载板，最后在uv胶载板的胶面上采用温度在260-320℃范围内的滚轴进
行滚压，以制造v形槽21，使得v形槽21的制造方便、快捷。
33.以上均为本技术的较佳实施例，并非依此限制本技术的保护范围，故：凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本技术的保护范围之内。

技术特征：
1.一种封装胶体，用于将发光芯片封装在基板(11)上，其特征在于，包括高透光率材料制成的封装胶体(2)，封装胶体(2)表面上开设有若干个v形槽(21)，相邻两个v形槽(21)的槽壁相接触。2.根据权利要求1所述的一种封装胶体，其特征在于，所述v形槽(21)的槽口开角为20-105
°
，相邻两个v形槽(21)的槽底距离为0.05-0.2mm，v形槽(21)的深度为0.05-0.2mm。3.根据权利要求1所述的一种封装胶体，其特征在于，所述封装胶体(2)采用uv胶水凝固而成。4.一种高亮度mini-led结构，其特征在于，包括载板(1)和如权利要求1-3任一项所述的封装胶体(2)，载板(1)包括基板(11)和发光芯片，发光芯片贴装在基板(11)的一侧，封装胶体(2)位于基板(11)靠近发光芯片的一侧，且将发光芯片封装在基板(11)上，发光芯片密封于封装胶体(2)内部，v形槽(21)的槽壁上贴覆有一层扩散膜(3)。5.根据权利要求4所述的一种高亮度mini-led结构，其特征在于，所述发光芯片为蓝光芯片(12)。6.一种高亮度mini-led结构的制造工艺，其特征在于，用于制造如权利要求4-5任一项所述的mini-led结构，包括以下步骤：uv胶水封装：将发光芯片贴装在基板(11)上，两者形成载板(1)，将uv胶水通过点胶机对基板(11)上的发光芯片进行密封封装形成封装胶体(2)；真空脱泡：将与封装胶体(2)贴合后的载板(1)进行真空脱泡，使封装胶体(2)的胶面与载板(1)内的气泡抽出；uv胶水固化：将载板(1)上的uv胶水与载板(1)进行固化结合形成uv胶载板；滚压v形槽(21)：将固化后的uv胶载板采用加热的滚轴进行热滚压，在uv胶载板的胶水表面形成v形槽(21)。7.根据权利要求6所述一种高亮度mini-led结构的制造工艺，其特征在于，所述滚轴加热温度为260-320℃。

技术总结
本申请涉及一种封装胶体，涉及mini-LED的领域，其包括高透光率材料制成的封装胶体，封装胶体表面上开设有若干个V形槽，相邻两个V形槽的槽壁相接触。本申请还涉及一种高亮度mini-LED结构，其包括载板和上述的封装胶体，载板包括基板和发光芯片，发光芯片贴装在基板的一侧，封装胶体位于基板靠近发光芯片的一侧，且将发光芯片封装在基板上，发光芯片密封于封装胶体内部，V形槽的槽壁上贴覆有一层扩散膜。本申请还涉及一种高亮度mini-LED结构的制造工艺。本申请具有提高mini-LED亮度的效果。果。果。


技术研发人员：李思升 吴王坤 张利刚
受保护的技术使用者：深圳市兆纪光电有限公司
技术研发日：2021.11.26
技术公布日：2022/3/8