搅拌器、制造量子点的设备和制造量子点的方法与流程

搅拌器、制造量子点的设备和制造量子点的方法
1.本技术要求于2020年9月7日在韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2020-0113972号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种搅拌器、包括该搅拌器的量子点制造设备以及使用该量子点制造设备的量子点制造方法。更具体地，本公开涉及一种吸收微波的搅拌器、包括该搅拌器的量子点制造设备以及使用该量子点制造设备的量子点制造方法。


背景技术：

3.正在开发应用于多媒体装置(诸如电视机、移动电话、平板电脑、导航单元、游戏单元等)的各种类型的显示装置。显示装置采用所谓的自发射显示元件，该自发射显示元件通过发射由包含有机化合物的发光材料产生的光来显示图像。
4.此外，正在开发采用量子点作为其发光材料以改善显示装置的颜色再现性的发光元件，并且需要有效地制造和生产量子点的方法。


技术实现要素：

5.本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种能够吸收微波的搅拌器。
6.本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种包括吸收微波的搅拌器的量子点制造设备。
7.本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种使用量子点制造设备的量子点制造方法。
8.本公开的实施例提供了一种搅拌器，所述搅拌器包括磁性棒和在磁性棒周围(例如，围绕磁性棒)的微波吸收层。
9.微波吸收层包括钙钛矿结构的金属氧化物、尖晶石铁氧体结构的金属氧化物和六方铁氧体结构的金属氧化物中的至少一种。
10.微波吸收层包括lamno3、baco3、fe2co3、mnco3、nife2so4、bafe2o4和bafe
12o19
中的至少一种。
11.微波吸收层包括多个子微波吸收层。
12.多个子微波吸收层包括在磁性棒周围的第一子微波吸收层以及在第一子微波吸收层周围(例如，围绕第一子微波吸收层)的第二子微波吸收层。第一子微波吸收层和第二子微波吸收层包括彼此不同的金属氧化物。
13.本公开的实施例提供了一种量子点制造设备，所述量子点制造设备包括：反应炉，用于容纳包括阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂的混合溶液；搅拌器，在反应炉中；以及微波发生器，用于提供通过反应炉传输的微波。搅拌器包括磁性棒以及在磁性棒周围(例如，围绕磁性棒)的微波吸收层。
14.微波吸收层包括钙钛矿结构的金属氧化物、尖晶石铁氧体结构的金属氧化物和六
方铁氧体结构的金属氧化物中的至少一种。
15.微波吸收层包括lamno3、baco3、fe2co3、mnco3、nife2so4、bafe2o4和bafe
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中的至少一种。
16.混合溶液的损耗角正切小于微波吸收层的损耗角正切(例如，混合溶液在损耗角正切上小于微波吸收层)。
17.有机溶剂包括十八碳烯和三辛基膦中的至少一种。
18.微波具有等于或大于约260w的能量。
19.本公开的实施例提供了一种量子点制造方法，所述量子点制造方法包括以下步骤：提供阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂；利用搅拌器搅拌阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂以制造混合溶液；以及供应微波以加热混合溶液。加热混合溶液的步骤包括以下步骤：将微波供应到搅拌器以加热搅拌器；以及利用加热的搅拌器加热混合溶液。
20.搅拌器包括磁性棒以及在磁性棒上的微波吸收层。加热搅拌器的步骤包括使微波吸收层吸收微波。
21.微波具有等于或大于约260w的能量。
22.加热混合溶液的步骤包括将混合溶液加热至等于或大于约250℃且等于或小于约300℃的温度。
23.根据以上，由于搅拌器包括微波吸收层，因此搅拌器吸收微波并被加热。
24.量子点制造设备包括吸收微波而被加热的搅拌器，因此，包括阳离子前驱体和阴离子前驱体的混合溶液的温度增加(例如，快速增加)。因此，可以合成(例如，大量合成)短波长范围的量子点。
25.量子点制造方法包括利用通过吸收微波而被加热的搅拌器来加热包括阳离子前驱体和阴离子前驱体的混合溶液，因此，可以合成(例如，大量合成)短波长范围的量子点。
附图说明
26.当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，本公开的以上和其他优点将变得容易明显，在附图中：
27.图1是示出根据本公开的实施例的量子点制造设备的视图；
28.图2是示出根据本公开的实施例的包括在量子点制造设备中的反应单元的视图；
29.图3是示出根据本公开的实施例的包括在量子点制造设备中的搅拌器的透视图；
30.图4是沿着图3的线i-i'截取的以示出根据本公开的实施例的搅拌器的剖视图；
31.图5是沿着图3的线i-i'截取的以示出根据本公开的实施例的搅拌器的剖视图；
32.图6是示出根据本公开的实施例的量子点制造方法的流程图；以及
33.图7是示出根据本公开的实施例的量子点制造方法的提高混合溶液的温度的方法的流程图。
具体实施方式
34.本公开可以以合适的方式进行各种修改并以许多不同的形式实现，因此将在附图中举例说明并在下文中更详细地描述特定实施例。然而，本公开不应限于特定公开的形式，并且应被解释为包括在本公开的精神和范围内包括的所有修改、等同物或替换。
35.在本公开中，将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接或结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。
36.同时，在本公开中，当元件被称为“直接连接”到另一元件时，在层、膜、区域或基底与另一层、膜、区域或基底之间不存在中间元件。例如，术语“直接连接”可以意为设置两个层或两个构件而不在他们之间采用额外的粘合剂。
37.同样的标记始终表示同样的元件。在附图中，为了有效描述技术内容，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。
38.如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
39.将理解的是，尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。如这里使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一”、“一个”和“该/所述”也意图包括复数形式。
40.为了便于描述，这里可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下面”、“在
……
上方”、“上面”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(另外的)元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“在
……
下方”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(旋转90度或在其他方位处)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。
41.如这里使用的术语“基本上/基本”、“约/大约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到所讨论的测量以及与具体量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里使用的“约/大约”或“近似”包括陈述的值，并且意为在如由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约/大约”可以意为在一个或更多个标准偏差内，或在陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
42.这里所述的任何数值范围意图包括包含在所述范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括在所述最小值1.0与所述最大值10.0之间(并且包括所述最小值1.0和所述最大值10.0)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值且等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里所述的任何最大数值限度意图包括其中包含的所有较低数值限度，并且在本说明书中所述的任何最小数值限度意图包括其中包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确叙述包含在这里的明确叙述的范围内的任何子范围。
43.除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用字典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且
将不以理想化或过于正式化的意义来解释，除非在这里明确地如此定义。
44.还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变型时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
45.如这里使用的，当诸如
“……
中的至少一个(种/者)”、
“……
中的一个(种/者)”和“选自于”的表述位于一列元件(要素)之后(或之前)时，修饰整列元件(要素)，而不修饰该列中的个别元件(要素)。
46.此外，当在描述本公开的实施例时使用“可以”是指“本公开的一个或更多个实施例”。
47.如这里使用的术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。
48.在本说明书中，d1轴、d2轴和d3轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更广泛的含义来解释。例如，d1轴、d2轴和d3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
49.在下文中，将参照附图更详细地解释搅拌器、包括搅拌器的量子点制造设备以及使用量子点制造设备的量子点制造方法。
50.图1是示出根据本公开的实施例的量子点制造设备rd的视图。图2是示出根据本公开的实施例的包括在量子点制造设备rd中的反应单元rp的视图。图3是示出根据本公开的实施例的包括在量子点制造设备rd中的搅拌器sb的透视图。图4是沿着图3的线i-i'截取的以示出根据本公开的实施例的搅拌器sb的剖视图。
51.参照图1，量子点制造设备rd可以包括供应阳离子前驱体的第一供应单元sp1、供应阴离子前驱体的第二供应单元sp2以及连接到第一供应单元sp1和第二供应单元sp2的反应单元rp。冷却单元cp可以设置在反应单元rp的端部处。在一个或更多个实施例中，冷却单元cp可以连接到反应单元rp。另外，量子点制造设备rd可以包括控制第一供应单元sp1和第二供应单元sp2以及反应单元rp的操作的控制单元cu。控制单元cu也可以控制冷却单元cp的操作。
52.存储在第一供应单元sp1中并由第一供应单元sp1向反应单元rp提供的阳离子前驱体可以包括in、ga和al中的至少一种。in离子、ga离子和/或al离子可以以盐的形式分散在十八碳烯溶剂中。例如，in可以以in(oa)3的形式在十八碳烯溶剂中提供，ga可以以ga(oa)3的形式在十八碳烯溶剂中提供。如这里使用的“oa”可以指油酸。
53.存储在第二供应单元sp2中并由第二供应单元sp2向反应单元rp提供的阴离子前驱体可以包括p、as、n和sb中的至少一种。p离子、as离子、n离子和/或sb离子可以以盐的形式分散在三辛基膦溶剂中。例如，p元素可以以p(tms)3的形式在三辛基膦溶剂中提供。如这里使用的“tms”可以指三甲基甲硅烷基。
54.然而，除了阳离子前驱体和阴离子前驱体由彼此分开或间隔开的不同供应单元供应之外，供应阳离子前驱体和阴离子前驱体的方法不应限于上面的供应方法。阳离子前驱体和阴离子前驱体可以在其他合适的有机溶剂而不是建议的有机溶剂中提供，并且可以以其他合适的盐的形式提供。
55.第一供应单元sp1和第二供应单元sp2可以响应于从控制单元cu提供的第一控制信号sg1来控制阳离子前驱体和阴离子前驱体的供应量。可以分别通过第一供应管cnp1和第二供应管cnp2向反应单元rp提供从第一供应单元sp1提供的阳离子前驱体以及从第二供
应单元sp2提供的阴离子前驱体。第一供应单元sp1和第二供应单元sp2可以分别通过第一供应管cnp1和第二供应管cnp2连接到反应单元rp。第一供应管cnp1和第二供应管cnp2可以由不透明且具有高耐化学性的材料形成。例如，第一供应管cnp1和第二供应管cnp2可以由sus不锈钢材料形成。
56.流量控制单元vp1和vp2可以分别设置在反应单元rp与第一供应单元sp1以及反应单元rp与第二供应单元sp2之间。流量控制单元vp1和vp2可以控制(例如，分别控制)向反应单元rp提供的阳离子前驱体和阴离子前驱体的供应量。流量控制单元vp1和vp2可以响应于从控制单元cu提供的第二控制信号sg2来控制从第一供应单元sp1和第二供应单元sp2向反应单元rp提供的阳离子前驱体和阴离子前驱体的传送速率。
57.从第一供应单元sp1和第二供应单元sp2提供的阳离子前驱体和阴离子前驱体可以在反应单元rp中混合并彼此反应以合成量子点。反应单元rp可以搅拌阳离子前驱体和阴离子前驱体以使阳离子前驱体与阴离子前驱体混合。可以加热反应单元rp以使阳离子前驱体与阴离子前驱体反应并且合成量子点。可以将反应单元rp加热至约250℃至约300℃的温度。控制单元cu可以向反应单元rp施加第三控制信号sg3，以控制反应单元rp的加热速率以及阳离子前驱体和阴离子前驱体的搅拌速率。
58.量子点制造设备rd可以包括冷却单元cp。冷却单元cp可以连接到反应单元rp，并且可以用于淬灭(例如，快速淬灭)在反应单元rp中合成的量子点。控制单元cu可以向冷却单元cp施加第四控制信号sg4以控制冷却单元cp的温度。冷却单元cp可以将在反应单元rp中合成的量子点淬灭至等于或大于约20℃且等于或小于约50℃的温度。
59.参照图2，反应单元rp可以包括：反应炉rf，阳离子前驱体与阴离子前驱体之间的合成反应发生在反应炉rf中；微波发生器wd，向反应炉rf提供微波mw(例如一微波mw)；搅拌器sb，搅拌阳离子前驱体和阴离子前驱体；以及磁场发生器mg，向反应炉rf提供磁场。
60.反应炉rf可以容纳阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂。反应炉rf可以由微波mw(例如，一微波mw)可以通过其传输的材料形成。例如，反应炉rf可以由玻璃、石英或特氟隆形成。然而，本公开不应限于此或由此限制。例如，用于反应炉rf的材料可以是任何合适的材料，所述材料对作为反应物的阳离子前驱体和阴离子前驱体具有耐化学性，并且微波mw可以通过所述材料传输。
61.磁场发生器mg可以产生磁场以使搅拌器sb旋转，因此，可以搅拌有机溶剂、阳离子前驱体和阴离子前驱体以制造(制备)混合溶液sv。磁场发生器mg可以响应于从控制单元cu提供的第三控制信号sg3来控制向反应炉rf提供的磁场的强度，并因此可以控制阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂的混合速率。
62.微波发生器wd可以向反应炉rf提供微波mw以加热混合溶液sv。当加热混合溶液sv时，阳离子前驱体可以与阴离子前驱体反应，因此可以合成量子点。可以将混合溶液sv加热至等于或大于约250℃且等于或小于约300℃的温度。微波发生器wd可以响应于来自控制单元cu的第三控制信号sg3来控制向反应炉rf提供的微波mw的强度，并且可以控制混合溶液sv的加热速率。微波mw的强度(或者能量)可以等于或大于约260w。
63.参照图3和图4，搅拌器sb可以包括磁性棒mb以及在磁性棒mb周围(例如，围绕或涂覆磁性棒mb)的微波吸收层cl。在一个或更多个实施例中，围绕磁性棒mb的微波吸收层cl可以具有比磁性棒mb的厚度小的厚度。
64.由于搅拌器sb包括具有磁性的磁性棒mb，因此搅拌器sb可以响应于从外部施加到其的磁场而旋转。当搅拌器sb旋转时，可以在反应炉rf中搅拌混合溶液sv(参照图2)，混合溶液sv(参照图2)的温度可以变得恒定，并且在混合溶液sv(参照图2)中的阳离子前驱体和阴离子前驱体的分布可以恒定。
65.微波吸收层cl可以包括吸收微波mw的金属氧化物。金属氧化物可以通过将吸收的微波mw转换成热能而被加热。在量子点(例如，一量子点)的合成中使用的混合溶液sv(具体地，有机溶剂)可以具有低损耗角正切，因此，可能需要强或强烈的微波mw来增加加热速率。然而，在反应单元rp包括涂覆有具有高损耗角正切的微波吸收层cl的搅拌器sb的情况下，可以在不增加微波mw的力度或强度的情况下增加混合溶液sv(参照图2)的加热速率。例如，即使固定混合溶液sv(参照图2)的体积和微波mw的力度或强度，也可以快速加热混合溶液sv(参照图2)，并且也可以合成与在加热速率较低时的量子点(例如，一量子点)相比具有大的尺寸和短的波长的量子点(例如，一量子点)。另外，反应单元rp可以包括大量的混合溶液sv(参照图2)以及若干搅拌器sb和/或一个大尺寸的搅拌器sb，以生产(例如，批量生产)大尺寸和短波长的量子点。
66.微波吸收层cl可以包括钙钛矿结构的金属氧化物、尖晶石铁氧体结构的金属氧化物和六方铁氧体结构的金属氧化物中的至少一种。微波吸收层cl可以包括lamno3、baco3、fe2co3、mnco3、nife2so4、bafe2o4和bafe
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中的至少一种。
67.在一个或更多个实施例中，根据实施例的量子点制造设备rd可以包括多个搅拌器sb。例如，搅拌器sb可以具有彼此不同的尺寸，因此，搅拌器sb可以具有彼此不同的旋转速度和彼此不同的加热速率。另外，分别围绕搅拌器sb的微波吸收层cl可以包括不同的金属氧化物，并且可以具有彼此不同的加热速率。此外，一些搅拌器sb可以包括微波吸收层cl，并且一些搅拌器sb可以不包括微波吸收层cl。
68.图5是沿着图3的线i-i'截取的以示出根据本公开的实施例的搅拌器sb-1的剖视图。参照图5，搅拌器sb-1可以包括微波吸收层cl-1，并且微波吸收层cl-1可以包括多个子微波吸收层(例如，第一子微波吸收层s-cl1和第二子微波吸收层s-cl2)。微波吸收层cl-1可以包括第一子微波吸收层s-cl1和第二子微波吸收层s-cl2。在图5中，微波吸收层cl-1包括两个子微波吸收层(例如，第一子微波吸收层s-cl1和第二子微波吸收层s-cl2)，然而，本公开不应限于此或由此限制。例如，根据实施例，微波吸收层cl-1可以包括三个或更多个子微波吸收层。
69.第一子微波吸收层s-cl1和第二子微波吸收层s-cl2可以包括彼此不同的金属氧化物。第一子微波吸收层s-cl1和第二子微波吸收层s-cl2中的每个可以包括具有钙钛矿结构的金属氧化物、具有尖晶石铁氧体结构的金属氧化物和具有六方铁氧体结构的金属氧化物中的至少一种。
70.第一子微波吸收层s-cl1和第二子微波吸收层s-cl2中的每个可以包括lamno3、baco3、fe2co3、mnco3、nife2so4、bafe2o4和bafe
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中的至少一种。
71.向反应单元rp提供的由阳离子前驱体和阴离子前驱体的混合溶液sv制造的量子点可以是包含三种或更多种元素的多元素化合物。在量子点制造设备rd的反应单元rp中合成和制造的量子点可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素、iv族化合物或其任
何合适的组合。
72.ii-vi族半导体化合物可以包括二元化合物(诸如cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs等)、三元化合物(诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns等)以及四元化合物(诸如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste等)，或者其任何合适的组合。
73.iii-v族半导体化合物可以包括二元化合物(诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb等)、三元化合物(诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp等)以及四元化合物(诸如gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb等)，或者其任何合适的组合。在一个或更多个实施例中，iii-v族半导体化合物还可以包括ii族元素。还包括ii族元素的iii-v族半导体化合物可以包括inznp、ingaznp、inalznp等。
74.iii-vi族半导体化合物可以包括gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2se3、inte、in2s3等的二元化合物，ingas3、ingase3等的三元化合物，或者其任何合适的组合。
75.i-iii-vi族半导体化合物可以包括agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2的三元化合物，或者其任何合适的组合。
76.iv-vi族半导体化合物可以包括二元化合物(诸如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等)、三元化合物(诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等)以及四元化合物(诸如snpbsse、snpbsete、snpbste等)，或者其任何合适的组合。
77.iv族元素或化合物可以包括诸如si、ge等的单元素，诸如sic、sige等的二元化合物，或者其任何合适的组合。
78.包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的每种元素可以以均匀浓度或以非均匀浓度存在于颗粒中。
79.量子点可以具有其中包括在量子点中的每种元素的浓度是均匀的单一结构或者核-壳双结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可以彼此不同。
80.量子点的壳可以用作防止或基本上防止核的化学变性并保持半导体性质的保护层和/或用作向量子点赋予电泳性质的充电层。壳可以具有单层或多层结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度随着距核的中心的距离减小而降低的浓度梯度。
81.在一个或更多个实施例中，量子点的壳可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物中的一种或更多种或者其组合。例如，金属或非金属的氧化物可以是二元化合物(诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和nio)或三元化合物(诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和comn2o4)或其任何合适的组合。半导体化合物可以包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物或其任何合适的组合。例如，半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp和alsb或者其任何合适的组合。
82.然而，实施例不应限于此或由此限制，并且量子点的类型可以根据阳离子前驱体和阴离子前驱体的类型、微波mw的力度或强度、混合溶液sv的体积和/或搅拌器sb的尺寸而变化。
83.图6是示出根据本公开的实施例的量子点制造方法的流程图，图7是示出根据本公开的实施例的提高量子点制造方法的混合溶液的温度的方法的流程图。使用上述量子点制造设备rd执行量子点制造方法。在下文中，将参照图2、图6和图7更详细地描述量子点制造方法。可以不重复参照图1至图5描述的量子点制造设备rd和用于量子点的材料的冗余描述，下面描述量子点制造方法的特性。
84.参照图2和图6，量子点制造方法可以包括以下步骤：提供阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂(s100)，搅拌阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂以制造混合溶液(s300)以及加热混合溶液(s500)。
85.可以通过设置在反应炉rf中的搅拌器sb执行搅拌阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂以制造混合溶液的步骤(s300)。搅拌器sb可以是磁性的，因此可以通过由磁场发生器mg产生的磁场使搅拌器sb旋转。由于搅拌器sb的旋转，可以搅拌阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂或使阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂彼此混合，并且可以制造混合溶液sv。混合溶液sv在反应炉rf中可以具有均匀或基本上均匀的温度，并且阳离子前驱体和阴离子前驱体可以均匀地分布在混合溶液sv中。
86.可以通过将微波mw施加到反应炉rf以加热混合溶液sv来执行加热混合溶液sv步骤(s500)。可以将混合溶液sv加热至等于或大于约250℃且等于或小于约300℃的温度。关于时间，可以将加热混合溶液sv的步骤(s500)与搅拌阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂以制造混合溶液的步骤(s300)并行地或基本上同时地执行。
87.参照图2和图7，加热反应炉rf中的混合溶液sv的步骤(s500)可以包括以下步骤：将微波mw施加到搅拌器sb以加热搅拌器sb(s510)；以及通过加热的搅拌器sb加热混合溶液sv(s520)。
88.当围绕磁性棒mb(参照图4)的微波吸收层cl(参照图4)吸收一个或更多个微波mw时，可以执行加热搅拌器sb的步骤(s510)。可以通过加热混合溶液sv的微波吸收层cl(参照图4)执行通过加热的搅拌器sb加热混合溶液sv的步骤(s520)。
89.由于搅拌器包括微波吸收层，因此搅拌器可以吸收微波并且可以被加热(例如，快速加热)。
90.量子点制造设备可以包括吸收微波的搅拌器，因此量子点制造设备可以加热(例如，快速加热)混合溶液。因此，可以在不增加微波的强度的情况下合成(例如，大量合成)短波长范围的量子点。
91.量子点制造方法可以包括使用通过吸收微波而加热的搅拌器加热混合溶液，因此，可以在不增加微波的强度的情况下合成(例如，大量合成)短波长范围的量子点。
92.尽管已经描述了本公开的实施例，但是理解的是，本公开不应限于这些实施例，而是本领域普通技术人员可以在如所要求的本公开的精神和范围内进行各种合适的改变和修改。
93.因此，公开的主题不应限于这里描述的任何单个实施例，并且本公开的范围可以根据所附权利要求及其等同物来确定。

技术特征：
1.一种搅拌器，所述搅拌器包括：磁性棒；以及微波吸收层，在所述磁性棒周围。2.如权利要求1所述的搅拌器，其中，所述微波吸收层包括钙钛矿结构的金属氧化物、尖晶石铁氧体结构的金属氧化物和六方铁氧体结构的金属氧化物中的至少一种。3.如权利要求1所述的搅拌器，其中，所述微波吸收层包括lamno3、baco3、fe2co3、mnco3、nife2so4、bafe2o4和bafe
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中的至少一种。4.如权利要求1所述的搅拌器，其中，所述微波吸收层包括多个子微波吸收层。5.如权利要求4所述的搅拌器，其中，所述多个子微波吸收层包括：第一子微波吸收层，在所述磁性棒周围；以及第二子微波吸收层，在所述第一子微波吸收层周围，并且其中，所述第一子微波吸收层和所述第二子微波吸收层包括彼此不同的金属氧化物。6.一种量子点制造设备，所述量子点制造设备包括：反应炉，用于容纳包括阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂的混合溶液；搅拌器，在所述反应炉中；以及微波发生器，用于向所述反应炉提供微波，其中，所述搅拌器包括磁性棒和在所述磁性棒周围的微波吸收层。7.如权利要求6所述的量子点制造设备，其中，所述微波吸收层包括钙钛矿结构的金属氧化物、尖晶石铁氧体结构的金属氧化物和六方铁氧体结构的金属氧化物中的至少一种。8.如权利要求6所述的量子点制造设备，其中，所述微波吸收层包括lamno3、baco3、fe2co3、mnco3、nife2so4、bafe2o4和bafe
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中的至少一种。9.如权利要求6所述的量子点制造设备，其中，所述混合溶液的损耗角正切小于所述微波吸收层的损耗角正切。10.如权利要求6所述的量子点制造设备，其中，所述有机溶剂包括十八碳烯和三辛基膦中的至少一种。11.如权利要求6所述的量子点制造设备，其中，所述微波具有等于或大于260w的能量。12.一种量子点制造方法，所述量子点制造方法包括以下步骤：提供阳离子前驱体、阴离子前驱体和有机溶剂；利用搅拌器搅拌所述阳离子前驱体、所述阴离子前驱体和所述有机溶剂以制造混合溶液；以及施加微波以加热所述混合溶液，加热所述混合溶液的步骤包括以下步骤：将所述微波施加到所述搅拌器以加热所述搅拌器；以及利用所述加热的搅拌器加热所述混合溶液。13.如权利要求12所述的量子点制造方法，其中，所述搅拌器包括：磁性棒；以及微波吸收层，在所述磁性棒周围，并且其中，加热所述搅拌器的步骤包括使所述微波吸收层吸收所述微波。14.如权利要求12所述的量子点制造方法，其中，所述微波具有等于或大于260w的能量。15.如权利要求12所述的量子点制造方法，其中，加热所述混合溶液的步骤包括将所述
混合溶液加热至等于或大于250℃且等于或小于300℃的温度。

技术总结
提供了一种搅拌器、制造量子点的设备和制造量子点的方法。所述搅拌器包括磁性棒以及在磁性棒周围的微波吸收层。搅拌器吸收微波并且将微波转换成热能以加热混合溶液。将微波转换成热能以加热混合溶液。将微波转换成热能以加热混合溶液。


技术研发人员：李栋熙 朴哲淳 宋政勳
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.08.31
技术公布日：2022/3/8