反射基板及其制备方法和测量方法、显示面板与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种反射基板及其制备方法和测量方法、显示面板。


背景技术：

2.随着移动设备以及可穿戴应用的兴起，显示设备对轻薄以及省电的需求也日益增大。所以开发出低能耗，省电的显示器件变得越来越重要。传统的液晶显示面板和有机电致发光二极管显示面板的外部量子效率或光谱响应较低，功耗较低，输入的能量损失较大，尤其是液晶显示面板由于自身彩色滤光色阻膜层属性，只有30％的透过率，导致最终面板的穿透率《10％，大部分的光都被损失掉，功耗极高。
3.为此，一种利用环境光的反射式显示器因其低能耗、护眼等优点，在户外显示领域及健康阅读、儿童教育平板显示领域具有极高的前景。现有技术中一种反射式液晶显示面板中的环境光在反射电极发生反射，然后反射光线在散射膜发生散射，从上基板表面射出，实现画面显示。但是由于散射膜在制备过程中无法监控散射膜的表面形貌，使得散射膜的实际质量参差不齐，进而导致部分显示面板中视角均一性较差。
4.综上所述，现有技术的显示面板中存在：无法监控散射膜的表面形貌，散射膜的质量参差不齐，导致部分显示面板中视角均一性较差的技术问题。


技术实现要素：

5.本技术针对现有方式的缺点，提出一种反射基板及其制备方法和测量方法、显示面板，用以解决现有技术的显示面板中存在：无法监控散射膜的表面形貌，散射膜的质量参差不齐，导致部分显示面板中视角均一性较差的技术问题。
6.第一个方面，本技术实施例提供了一种反射基板，包括：
7.衬底；
8.平坦层，设置于所述衬底的一侧，所述平坦层远离所述衬底的一侧表面阵列排布具有关键参数的第一凸起结构，所述关键参数与所述第一凸起结构的截面坡度角关联；
9.反射层，设置于所述平坦层远离所述衬底的一侧，且具有保形地覆盖所述第一凸起结构的第二凸起结构。
10.在本技术的一些实施例中，所述第一凸起结构在所述衬底上的正投影为矩形面，所述矩形面包括第一边长和第二边长，所述第一边长的长度小于所述第二边长的长度，所述关键参数为第一边长的长度或者相邻两个所述矩形面之间的间距。
11.在本技术的一些实施例中，所述第一边长的长度不小于3.5微米且不大于5微米，所述第二边长的长度不小于5微米且不大于8微米。
12.在本技术的一些实施例中，所述第一凸起结构的截面轮廓为梯形，所述梯形包括平行的第三边长和第四边长，所述第三边长的长度与所述第四边长的长度的差值不小于3微米且不大于4微米。
13.在本技术的一些实施例中，所述第一凸起结构在所述衬底上的正投影为椭圆面或者半个椭圆面，所述关键参数为椭圆面的平面坡度角。
14.在本技术的一些实施例中，所述第一凸起结构在所述衬底上的正投影为镂空的圆角三角形，所述关键参数为所述正投影的面积。
15.在本技术的一些实施例中，所述第一凸起结构均匀分布于所述衬底上，且所述第一凸起结构的数量不少于30个。
16.在本技术的一些实施例中，所述反射基板包括多个显示面板，所述第一凸起结构设置于所述显示面板的尺寸监控区、边框区或者设置于相邻两个所述显示面板之间。
17.在本技术的一些实施例中，所述平坦层的厚度不小于1.5微米。
18.第二方面，本技术实施例提供一种基于第一方面所述的反射基板切割形成的显示面板，包括：
19.衬底，包括显示区和尺寸监控区；
20.平坦层，设置于所述衬底的一侧，所述平坦层远离所述衬底的一侧表面排布有具有关键参数的第一凸起结构，所述关键参数与所述第一凸起结构的截面坡度角关联，所述第一凸起结构位于所述尺寸监控区；
21.反射层，设置于所述平坦层远离所述衬底的一侧，且具有保形地覆盖所述第一凸起结构的第二凸起结构。
22.第三方面，本技术实施例提供一种反射基板的制备方法，包括：
23.在衬底的一侧制备平坦层；
24.对所述平坦层远离所述沉底的一侧表面进行图案化处理，形成具有关键参数的第一凸起结构；
25.在所述平坦层远离所述衬底的一侧制备反射层，所述反射层具有保形地覆盖所述第一凸起结构的第二凸起结构；
26.其中，所述关键参数与所述第一凸起结构的截面坡度角关联。
27.第四方面，本技术实施例提供一种基于第一方面所述的反射基板的测量方法，包括：
28.获取待测反射基板中第一凸起结构的第一关键参数；
29.根据所述第一关键参数确定与所述第一关键参数关联的第一截面坡度角。
30.在本技术的一些实施例中，在所述根据所述第一关键参数确定与所述第一关键参数关联的第一截面坡度角中包括：测量第二反射基板的第二截面坡度角和第二关键参数；
31.测量第三反射基板的第三截面坡度角和第三关键参数；
32.当所述第一关键参数不小于所述第二关键参数且不大于所述第三关键参数时，
33.所述第一截面坡度角不小于所述第二截面坡度角且不大于所述第三截面坡度角；或者，所述第一截面坡度角不小于所述第三截面坡度角且不大于所述第二截面坡度角。
34.在本技术的一些实施例中，在所述测量第二反射基板的第二坡度角和第二关键参数中包括：切割所述第二反射基板；通过扫描电子显微镜对所述切割面拍摄并测量，得到所述第二截面坡度角；
35.和/或，在所述测量第三反射基板的第三坡度角和第三关键参数中包括：切割所述第三反射基板；通过扫描电子显微镜对所述切割面拍摄并测量，得到所述第三截面坡度角。
36.在本技术的一些实施例中，在所述获取待测反射基板中第一凸起结构的第一关键参数中包括：在所述待测反射基板中选取多个分区；
37.在每个所述分区分别测量一个第一凸起结构，得到多个子关键参数；
38.对所述多个子关键参数取均值，得到所述第一关键参数。
39.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：通过在平坦层远离衬底的一侧表面阵列排布具有关键参数的第一凸起结构，利用关键参数与第一凸起结构的截面坡度角关联，通过测量关键参数确定第一凸起结构的截面坡度角，从而实现对平坦层和反射层表面形貌的监控，减少反射基板报废造成的资材浪费，节省测量设备的测量成本，及时便捷地判断反射基板的截面坡度角是否在标准范围内，进而保证使用反射基板制得的显示面板的显示品质。本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
40.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
41.图1为本技术一个实施例中反射基板的截面示意图；
42.图2为本技术一个实施例中第一凸起结构的平面示意图；
43.图3a为图2中p点的放大图；
44.图3b为本技术一个实施例中第一凸起结构的截面示意图；
45.图4为本技术另一个实施例中第一凸起结构的平面示意图；
46.图5为本技术又一个实施例中第一凸起结构的平面示意图；
47.图6为本技术再一个实施例中第一凸起结构的平面示意图；
48.图7为本技术一个实施例中制备方法的流程示意图。
49.图中：
50.1-衬底；2-平坦层；3-反射层；4-阻挡层；5-栅极绝缘层；6-层间介质层；7-半导体层；8-栅极层；9-源漏极层。
具体实施方式
51.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
52.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
53.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措
辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
54.本技术的发明人进行研究发现，通过树脂凸起(resin bump)技术在平坦层做出凹凸状结构基础上，镀上反射层，利用凸起处渐变的截面坡度角，形成不同方向的漫反射效应，从而提高视角均一性，对替代高成本散射膜具有极大开发价值。
55.截面坡度角作为树脂凸起结构技术最核心的参数，一旦坡度角超出标准范围，光学特性将发生非常大的衰减。但是，限制树脂凸起结构的显示面板量产的一个重要因素，就是截面坡度角无法监控。截面坡度角无法通过平面形貌来判断，目前的截面坡度角监控方式为使用扫描电子显微镜(scanning el1ectron microscope，sem)进行截面拍摄并进行手动测量。这种方式存在着以下缺点：截面扫描电子显微镜测试，需要将玻璃基板报废剪碎后方可进行，还需要调节厂内扫描电子显微镜设备，造成资材浪费的同时，还需很多时间成本，无法及时监控到坡度角超标。
56.本技术提供的一种反射基板及其制备方法和测量方法、显示面板，旨在解决现有技术的如上技术问题。下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
57.第一个方面，本技术实施例提供了一种反射基板。如图1所示，图1为本技术一个实施例中反射基板的截面示意图。反射基板，包括衬底1、平坦层2和反射层3。
58.具体地，包括：衬底1。
59.平坦层2，设置于衬底1的一侧，平坦层2远离衬底1的一侧表面阵列排布具有关键参数的第一凸起结构，关键参数与第一凸起结构的截面坡度角θ1关联。
60.反射层3，设置于平坦层2远离衬底1的一侧，且具有保形地覆盖第一凸起结构的第二凸起结构。
61.在一些实施例中，反射基板还包括在衬底1一侧设置的依次层叠的阻挡层4、栅极绝缘层5和层间介质层6；位于栅极绝缘层5中的半导体层7，位于栅极绝缘层5与层间介质层6之间的栅极层8，位于层间介质层6远离栅极绝缘层5一侧的源漏极层9，至少部分源漏极层9贯穿层间介质层6、栅极绝缘层5与半导体层7电连接。
62.平坦层2设置于层间介质层6远离栅极绝缘层5的一侧且包覆源漏极层9，平坦层2远离衬底1的一侧表面凹凸不平形成多个第一凸起结构和至少一个露出源漏极层9的通孔。反射层3设置于平坦层2远离衬底1的一侧且通过通孔与源漏极层9电性连接，反射层3具有保形地覆盖第一凸起结构的第二凸起结构。
63.在本技术提供的一些实施例中，第一凸起结构的截面坡度角θ1不小于6度且不大于12度。
64.同一个反射基板包括阵列排布的多个第一凸起结构，不同第一凸起结构的截面坡度角可以相同也可以不同。在一个实施例中，多个第一凸起结构根据与光源距离的不同形成截面坡度角渐变的第一凸起结构。上述第一凸起结构的截面坡度角θ1均满足6
°
≤θ1≤12
°
，一旦θ1不满足该范围，反射基板的光学性能将发生较大的衰减，如反射率大大减小，从
而影响显示面板的透光率。
65.在本技术提供的一些实施例中，平坦层2的厚度不小于1.5微米。
66.在一些实施例中，平坦层2的材料包括树脂材料，具体地，平坦层2的材料为亚克力(acryl1)。平坦层2包括绝缘材料且平坦层2的厚度大于等于1.5μm，避免位于通孔之外的区域，反射层3与源漏极层9之间发生短路或者由于两者距离过近发生串扰造成显示画面闪烁。
67.在一些实施例中，反射层3的结构至少包括依次层叠的第一透明导电层、反射金属、第二透明导电层复合膜层，具体地，第一透明导电层和第二透明导电层的材料为导电玻璃，反射金属的材料包括银(ag)。第一透明导电层与平坦层2粘性连接，防止反射层3与平坦层2之间脱落；第二透明导电层保护反射金属，防止反射金属在后续工序中被损伤或者氧化，避免反射金属由于损伤或者氧化导致反射率降低影响光学性能；银由于反射率高，适合作为反射金属，实现对自然光或者其他外部光源的入射光的反射，反射光经过第二凸起结构实现漫反射，提高显示面板的视角均一性。
68.在本技术提供的一些实施例中，第一凸起结构在衬底1上的正投影为矩形面，矩形面包括第一边长cd2和第二边长l1，第一边长cd2的长度小于第二边长l1的长度，关键参数为第一边长cd2的长度或者相邻两个矩形面之间的间距cd1。
69.在本实施例中，平坦层2的制备工艺包括涂覆光阻、曝光、显影和蚀刻等。由于湿法蚀刻中，蚀刻液是喷洒在平坦层2远离衬底1的一侧表面上，蚀刻液向图1中平坦层2的下方腐蚀时，同时相对靠上方的位置还会向图1中左右两侧腐蚀，即发生侧蚀，导致第一凸起结构的上表面面积小于下表面面积。
70.如图2和图3a-3b所示，图2为本技术一个实施例中第一凸起结构的平面示意图，图3a为图2中p点的放大图，图3b为本技术一个实施例中第一凸起结构的截面示意图。
71.如图所示，cd2为矩形面的第一边长长度，cd1为相邻两个矩形面的间距，θ1为第一凸起结构的截面坡度角。在一个实施例中，预设图案为矩形面，即第一凸起结构在衬底1上的正投影为矩形面，矩形面包括与第一方向平行的第一边长和与第二方向平行的第二边长，cd2＜l1。多个第一凸起结构阵列排布，第一方向上相邻两个矩形面的间距为cd1。在实际生产中，利用关键尺寸测量设备可以很轻易得到cd2和cd1，无需花费较多的时间和成本，而cd2与θ1关联，cd1与θ1关联，根据cd2和cd1中至少一者即可得到θ1，从而判断反射基板是否符合标准范围。
72.在本技术提供的一些实施例中，第一边长的长度cd2不小于3.5微米且不大于5微米，第二边长的长度l1不小于5微米且不大于8微米。
73.在本实施例中，矩形面相对包括圆形面在内的其他图案，具有更容易测量的第一边长cd2和间距cd1。为了保证第一凸起结构制备完成正投影为矩形面，而非圆形面，cd2≥3.5μm，cd1≥5μm。而为了便于在单位面积内排布更多的第一凸起结构，提高显示效果；也为了相同数量的第一凸起结构所占据的排布面积更小，为其他元器件或者区域留出空间，比如设置更多的尺寸监控区。cd2≤5μm，l1≤8μm。综上所述，第一边长cd2和第二边长l1满足3.5μm≤cd2≤5μm，5μm≤l1≤8μm。
74.在本技术提供的一些实施例中，第一凸起结构的截面轮廓为梯形，梯形包括平行的第三边长l2和第四边长cd2，第三边长l2的长度与第四边长cd2的长度的差值不小于3微
米且不大于4微米。
75.在本实施例中，第四边长的长度和第一边长的长度均为cd2。由于侧蚀效应的影响，图3b中靠下方一侧的蚀刻量略少于靠上方一侧的蚀刻量，第一凸起结构的截面轮廓为梯形。梯形包括平行的第三边长l2和第四边长cd2，以及两斜边，靠上方一侧的第三边长l2的长度小于靠下方一侧的第四边长cd2的长度，第三边长l2与第四边长cd2的差值满足3μm≤cd2-l2≤4μm。
76.可以理解的是，由于反射层3的第二凸起结构保形地覆盖平坦层2的第一凸起结构，第一凸起结构的截面坡度角与第二凸起结构的截面坡度角相等。虽然显示面板中主要起散射作用的结构为第二凸起结构，但测量第一凸起结构的截面坡度角即可判断第二凸起结构的光学性能。又由于平坦层2和反射层3在工序上是先制备平坦层2后制备反射层3，在平坦层2制备完成即可对第一凸起结构的截面坡度角进行测量和判断，及时对不合格品进行修复或者报废，以免在完成反射层3后造成时间和成本的浪费。
77.值得一提的是，本技术中提到的截面坡度角指的是第一凸起结构在高度一半的位置斜面或者切面与水平面所成的夹角。
78.在本技术提供的一些实施例中，第一凸起结构在衬底1上的正投影为椭圆面或者半个椭圆面，关键参数为椭圆面的平面坡度角。
79.如图4和图5所示，图4为本技术另一个实施例中第一凸起结构的平面示意图；图5为本技术又一个实施例中第一凸起结构的平面示意图。
80.在一个实施例中，预设图案为菱形，而由于制作工艺的限制，菱形的四角存在未蚀刻完全的材料，第一凸起结构的正投影为椭圆面，关键参数为椭圆面的平面坡度角θ2，椭圆面的平面坡度角θ2为半个椭圆高度一半处斜线与水平线的夹角。平面坡度角θ2与截面坡度角θ1关联。
81.在另一个实施例中，预设图案为半个椭圆形，第一凸起结构的正投影为半个椭圆面，关键参数为半个椭圆面的椭圆一侧的平面坡度角θ2，椭圆一侧的平面坡度角θ2为半个椭圆高度一半处斜线与水平线的夹角。平面坡度角θ2与截面坡度角θ1关联。
82.在本技术提供的一些实施例中，第一凸起结构在衬底1上的正投影为镂空的圆角三角形，关键参数为正投影的面积。
83.如图6所示，图6为本技术再一个实施例中第一凸起结构的平面示意图。
84.在本实施例中，预设图案为镂空的三角形，而由于制作工艺的限制，内三角的三个角存在未蚀刻完全的材料，第一凸起结构的正投影为镂空的圆角三角形，关键参数为正投影的面积s。正投影面积s与截面坡度角θ1关联。
85.综上发现，截面坡度角θ1的产生是由于侧蚀效应，而截面坡度角θ1的大小与曝光机的曝光能量、显影时间相关，由于截面坡度角θ1难以直接测量，本技术实施例中通过选取与曝光机的曝光能量、显影时间相关且便于直接测量的其他参数，命名为关键参数。预设图案包括但不限于矩形、菱形、半个椭圆形、镂空三角形，还可以包括正方形、圆形、梯形等。关键参数包括但不限于关键尺寸cd2、cd1、平面坡度角θ2以及正投影面积s。
86.关键参数与截面坡度角θ1的匹配规律为：部分关键参数越大，例如cd1越大，曝光量和显影时间中至少一者越大，截面坡度角θ1越大；部分关键参数越小，例如cd2越小，曝光量和显影时间中至少一者越大，截面坡度角θ1越大。
87.在本技术提供的一些实施例中，第一凸起结构均匀分布于衬底1上，且第一凸起结构的数量不少于30个。
88.在本实施例中，将反射基板均匀的划分为至少三十个分区，每个分区至少包括一个第一凸起结构。每个分区中选择一个第一凸起结构作为取样点，测量至少三十个第一凸起结构的子关键参数，对至少三十个子关键参数取平均得到关键参数，根据关键参数得到反射基板的截面坡度角。
89.在本技术提供的一些实施例中，反射基板包括多个显示面板，第一凸起结构设置于显示面板的尺寸监控区、边框区或者设置于相邻两个显示面板之间。
90.在本实施例中，第一凸起结构需要避开显示面板中的重要器件，如显示区和扇出区均不可设置，防止影响其他元器件的制备和性能。第一凸起结构应该设置于不影响显示面板排布的其他区域，包括但不限于显示面板的尺寸监控区、边框区或者设置于相邻两个显示面板之间。其中，尺寸监控区原本是为了测量电路板上电极的宽度、相邻电极之间的间距以及膜层厚度等参数设置，在本实施例中，正好复用于测量第一凸起结构的关键参数，避免对显示器件造成干扰。
91.基于同一发明构思，第二方面，本技术提供一种基于第一方面所述的反射基板切割形成的显示面板，包括：
92.衬底1，包括显示区和尺寸监控区。
93.平坦层2，设置于衬底1的一侧，平坦层2远离衬底1的一侧表面排布有具有关键参数的第一凸起结构，关键参数与第一凸起结构的截面坡度角θ1关联，第一凸起结构位于尺寸监控区。
94.反射层3，设置于平坦层2远离衬底1的一侧，且具有保形地覆盖第一凸起结构的第二凸起结构。
95.在本实施例中，将反射基板切割形成多个显示面板，设置于相邻两个显示面板之间的第一凸起结构被损耗，在显示面板中无法继续测量。显示面板包括靠中心的显示区，围绕显示区的边框区以及位于边框区四角的尺寸监控区。每个显示面板中至少一个尺寸监控区设置有第一凸起结构。
96.基于同一发明构思，第三方面，本技术提供一种反射基板的制备方法。如图7所示，图7为本技术一个实施例中制备方法的流程示意图。制备方法包括：
97.s1、在衬底1的一侧制备平坦层2；
98.s2、对平坦层2远离衬底1的一侧表面进行图案化处理，形成具有关键参数的第一凸起结构；
99.s3、在平坦层2远离衬底1的一侧制备反射层3，反射层3具有保形地覆盖第一凸起结构的第二凸起结构；
100.其中，关键参数与第一凸起结构的截面坡度角θ1关联。
101.基于同一发明构思，第四方面，本技术提供一种基于第一方面所述的反射基板的测量方法。测量方法包括：
102.获取待测反射基板中第一凸起结构的第一关键参数；
103.根据第一关键参数确定与第一关键参数关联的第一截面坡度角θ1。
104.在本技术提供的一些实施例中，在根据第一关键参数确定与第一关键参数关联的
第一截面坡度角中包括：测量第二反射基板的第二截面坡度角θ1和第二关键参数。
105.测量第三反射基板的第三截面坡度角θ1和第三关键参数。
106.当第一关键参数不小于第二关键参数且不大于第三关键参数时，第一截面坡度角θ1不小于第二截面坡度角θ1且不大于第三截面坡度角θ1；或者，第一截面坡度角θ1不小于第三截面坡度角θ1且不大于第二截面坡度角θ1。
107.测量至少两个反射基板的关键参数与截面坡度角θ1。当两个截面坡度角θ1分别取截面坡度角θ1的标准范围内的最大值和最小值时，测量或者计算得出关键参数的最大值和最小值，即得到关键参数的标准范围。比较第一关键参数是否位于关键参数的标准范围内，从而判断第一截面坡度角θ1是否位于截面坡度角θ1的标准范围内。
108.在一个具体的实施例中，截面坡度角θ1的标准范围为不小于6
°
且不大于12
°
，测量或者计算得出θ1＝6
°
和θ1＝12
°
分别对应cd2＝7.2μm和cd2＝5.5μm。在后续的尺寸监控中，将待测反射基板的cd2与5.5μm-7.2μm比较，即可判断出第一截面坡度角θ1是否位于6
°‑
12
°
之间。
109.在另一个具体的实施例中，测得第二反射基板的第二cd2＝5.2μm，第二截面坡度角θ1＝13
°
，第三反射基板的第三cd2＝6.7μm，第三截面坡度角θ1＝8
°
。获取待测反射基板的第一cd2＝6.3μm，由于第二cd2＜第一cd2＜第三cd2，则第一截面坡度角θ1满足：8
°
＜第一截面坡度角θ1＜13
°
。验证发现，第一截面坡度角θ1＝9.5
°
，符合上述规律。
110.在一个实施例中，在测量第二反射基板的第二截面坡度角θ1和第二关键参数中包括：切割第二反射基板；通过扫描电子显微镜对切割面拍摄并测量，得到第二截面坡度角θ1。
111.在另一个实施例中，在测量第三反射基板的第三截面坡度角θ1和第三关键参数中包括：切割第三反射基板；通过扫描电子显微镜对切割面拍摄并测量，得到第三截面坡度角θ1。
112.在又一个实施例中，在测量第二反射基板的第二截面坡度角θ1和第二关键参数中包括：切割第二反射基板；通过扫描电子显微镜对切割面拍摄并测量，得到第二截面坡度角θ1；且在测量第三反射基板的第三截面坡度角θ1和第三关键参数中包括：切割第三反射基板；通过扫描电子显微镜对切割面拍摄并测量，得到第三截面坡度角θ1。
113.在本技术提供的一些实施例中，获取待测反射基板中第一凸起结构的第一关键参数中包括：在待测反射基板中选取多个分区；
114.在每个分区分别测量一个第一凸起结构，得到多个子关键参数；
115.对多个子关键参数取均值，得到第一关键参数。
116.在另一个实施例中，测量第二截面坡度角θ1和第二关键参数中包括：选取多个分区，测量多个第一凸起结构，取均值得到第二截面坡度角θ1和第二关键参数。测量第三截面坡度角θ1和第三关键参数同理取均值，此处不再赘述。
117.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：通过在平坦层远离衬底的一侧表面阵列排布具有关键参数的第一凸起结构，利用关键参数与第一凸起结构的截面坡度角关联，通过测量关键参数确定第一凸起结构的截面坡度角，从而实现对平坦层和反射层表面形貌的监控，减少反射基板报废造成的资材浪费，节省测量设备的测量成本，及时便捷地判断反射基板的截面坡度角是否在标准范围内，进而保证使用反射基板制得的显示面板的
显示品质。
118.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
119.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
120.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
121.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
122.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
123.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
124.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。

技术特征：
1.一种反射基板，其特征在于，包括：衬底；平坦层，设置于所述衬底的一侧，所述平坦层远离所述衬底的一侧表面阵列排布具有关键参数的第一凸起结构，所述关键参数与所述第一凸起结构的截面坡度角关联；反射层，设置于所述平坦层远离所述衬底的一侧，且具有保形地覆盖所述第一凸起结构的第二凸起结构。2.根据权利要求1所述的反射基板，其特征在于，所述第一凸起结构在所述衬底上的正投影为矩形面，所述矩形面包括第一边长和第二边长，所述第一边长的长度小于所述第二边长的长度，所述关键参数为第一边长的长度或者相邻两个所述矩形面之间的间距。3.根据权利要求2所述的反射基板，其特征在于，所述第一边长的长度不小于3.5微米且不大于5微米，所述第二边长的长度不小于5微米且不大于8微米。4.根据权利要求2所述的反射基板，其特征在于，所述第一凸起结构的截面轮廓为梯形，所述梯形包括平行的第三边长和第四边长，所述第三边长的长度与所述第四边长的长度的差值不小于3微米且不大于4微米。5.根据权利要求1所述的反射基板，其特征在于，所述第一凸起结构在所述衬底上的正投影为椭圆面或者半个椭圆面，所述关键参数为椭圆面的平面坡度角。6.根据权利要求1所述的反射基板，其特征在于，所述第一凸起结构在所述衬底上的正投影为镂空的圆角三角形，所述关键参数为所述正投影的面积。7.根据权利要求1所述的反射基板，其特征在于，所述第一凸起结构均匀分布于所述衬底上，且所述第一凸起结构的数量不少于30个。8.根据权利要求1所述的反射基板，其特征在于，所述反射基板包括多个显示面板，所述第一凸起结构设置于所述显示面板的尺寸监控区、边框区或者设置于相邻两个所述显示面板之间。9.根据权利要求1所述的反射基板，其特征在于，所述平坦层的厚度不小于1.5微米。10.一种基于权利要求1-9中任意一项所述的反射基板切割形成的显示面板，其特征在于，包括：衬底，包括显示区和尺寸监控区；平坦层，设置于所述衬底的一侧，所述平坦层远离所述衬底的一侧表面排布有具有关键参数的第一凸起结构，所述关键参数与所述第一凸起结构的截面坡度角关联，所述第一凸起结构位于所述尺寸监控区；反射层，设置于所述平坦层远离所述衬底的一侧，且具有保形地覆盖所述第一凸起结构的第二凸起结构。11.一种反射基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的一侧制备平坦层；对所述平坦层远离所述沉底的一侧表面进行图案化处理，形成具有关键参数的第一凸起结构；在所述平坦层远离所述衬底的一侧制备反射层，所述反射层具有保形地覆盖所述第一凸起结构的第二凸起结构；其中，所述关键参数与所述第一凸起结构的截面坡度角关联。
12.一种基于权利要求1-9中任意一项所述的反射基板的测量方法，其特征在于，包括：获取待测反射基板中第一凸起结构的第一关键参数；根据所述第一关键参数确定与所述第一关键参数关联的第一截面坡度角。13.根据权利要求12所述的测量方法，其特征在于，在所述根据所述第一关键参数确定与所述第一关键参数关联的第一截面坡度角中包括：测量第二反射基板的第二截面坡度角和第二关键参数；测量第三反射基板的第三截面坡度角和第三关键参数；当所述第一关键参数不小于所述第二关键参数且不大于所述第三关键参数时，所述第一截面坡度角不小于所述第二截面坡度角且不大于所述第三截面坡度角；或者，所述第一截面坡度角不小于所述第三截面坡度角且不大于所述第二截面坡度角。14.根据权利要求13所述的测量方法，其特征在于，在所述测量第二反射基板的第二坡度角和第二关键参数中包括：切割所述第二反射基板；通过扫描电子显微镜对所述切割面拍摄并测量，得到所述第二截面坡度角；和/或，在所述测量第三反射基板的第三坡度角和第三关键参数中包括：切割所述第三反射基板；通过扫描电子显微镜对所述切割面拍摄并测量，得到所述第三截面坡度角。15.根据权利要求12所述的测量方法，其特征在于，在所述获取待测反射基板中第一凸起结构的第一关键参数中包括：在所述待测反射基板中选取多个分区；在每个所述分区分别测量一个所述第一凸起结构，得到多个子关键参数；对所述多个子关键参数取均值，得到所述第一关键参数。

技术总结
本申请实施例提供了一种反射基板及其制备方法和测量方法、显示面板，反射基板包括：衬底；平坦层，设置于所述衬底的一侧，所述平坦层远离所述衬底的一侧表面阵列排布具有关键参数的第一凸起结构，所述关键参数与所述第一凸起结构的截面坡度角关联；反射层，设置于所述平坦层远离所述衬底的一侧，且具有保形地覆盖所述第一凸起结构的第二凸起结构。本申请实施例通过测量关键参数确定第一凸起结构的截面坡度角，从而实现对平坦层和反射层表面形貌的监控，减少反射基板报废造成的资材浪费，节省测量设备的测量成本，及时便捷地判断反射基板的截面坡度角是否在标准范围内，进而保证使用反射基板制得的显示面板的显示品质。反射基板制得的显示面板的显示品质。反射基板制得的显示面板的显示品质。


技术研发人员：田亮 王志翔 王凤国 武新国 方业周 张亚东 秦伟达 刘彬 王海东 马宇轩 汪洋
受保护的技术使用者：鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
技术研发日：2021.11.29
技术公布日：2022/3/8