一种半导体废气处理设备水汽雾化装置的制作方法

1.本发明涉及半导体废气处理技术领域，具体为一种半导体废气处理设备水汽雾化装置。


背景技术：

2.在半导体废气处理设备中，前段的高温燃烧等使废气产生了高温，而排出设备需要气体温度要求正常的室温，这就需要给高温气体急剧的降温达到排放的标准。
3.目前对于高温废气的处理大多都是采用喷淋降温的方式，进行喷淋降温时，都是通过螺旋式喷嘴来实现，由于传统的喷嘴都是固定于冷却腔或冷却管的内壁上，喷淋的范围有限，废气在冷却腔或冷却管内移动速度较快，很容易导致气体与水不能充分接触，出现喷淋不全面的现象，因此不能达到最佳的喷淋效果，本发明提供一种半导体废气处理设备水汽雾化装置。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种半导体废气处理设备水汽雾化装置，以解决上述背景技术中传统喷淋降温的方式，喷淋范围局限，导致气体与水不能充分接触，造成喷淋不全面的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
6.一种半导体废气处理设备水汽雾化装置，包括罩体，所述罩体外壁的两侧分别设有第一连接座和第二连接座，所述第一连接座和第二连接座与罩体呈一体化结构，所述罩体上设有安装槽，所述安装槽内嵌合有冷却组件，所述冷却组件由第一连接座、第二连接座和第三连接座组成，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座上分别设有第一喷头、第二喷头和第三喷头，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座两端均连接有连接管，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座一端的连接管与第一连接座内部连通，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座另一端的连接管与第二连接座内部连通，所述第一连接座和第二连接座上分别设有进水口和进气口。
7.作为本发明的一种优选实施方式，所述第一喷头、第二喷头和第三喷头均嵌合固定于第一连接座、第二连接座和第三连接座上，所述第一喷头、第二喷头和第三喷头均为螺旋式雾化喷头。
8.作为本发明的一种优选实施方式，所述第一喷头和第二喷头位于第三喷头的两侧，所述第一喷头和第二喷头与安装槽一端槽口位置对应，所述第三喷头与安装槽另一端槽口位置对应。
9.作为本发明的一种优选实施方式，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座两端的连接管上嵌合有固定螺套，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座两端的连接管均由四氟乙烯材质构成。
10.作为本发明的一种优选实施方式，所述罩体为圆形结构，所述罩体、第一连接座和
第二连接座均由pvc材质构成。
11.作为本发明的一种优选实施方式，所述第一连接座和第二连接座内部均呈中空结构，所述第一连接座上的进水口通过外接水管与供水设备连接，所述第二连接座上的进气口通过外接气管与空气压缩装置连接。
12.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
13.1、本水汽雾化装置，采用圆形座体结构且座体内安装有螺旋式雾化喷头，螺旋式雾化喷头的安装采用横向排列的形式，同时排列的喷头之间呈不同的喷淋方向，通过此结构水汽雾化装置的设计，有效的增大了喷淋面积，扩大了降温的区域，使得废气与水可以充分接触，达到更好的处理和冷却效果。
14.2、本水汽雾化装置的喷淋形式主要通过第一连接座和第二连接座进行统一进水和统一进气的形式，此方式，使得多组喷头均由第一连接座和第二连接座提供水、气的供应，有效避免了多组喷头采用独立水管和气管，造成连接结构的繁琐。
附图说明
15.图1为本发明的整体结构示意图；
16.图2为本发明的正视结构示意图；
17.图3为本发明的侧视结构示意图。
18.图中：1-罩体，2-冷却组件，3-第一连接座，4-第二连接座，5-第一连接座，6-第二连接座，7-第三连接座，8-第一喷头，9-第二喷头，10-第三喷头，11-进水口，12-进气口。
具体实施方式
19.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
20.请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：
21.一种半导体废气处理设备水汽雾化装置，包括罩体1，所述罩体1外壁的两侧分别设有第一连接座3和第二连接座4，所述第一连接座3和第二连接座4与罩体1呈一体化结构，所述罩体1上设有安装槽，所述安装槽内嵌合有冷却组件2，所述冷却组件2由第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7组成，所述第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7上分别设有第一喷头8、第二喷头9和第三喷头10，所述第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7两端均连接有连接管，所述第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7一端的连接管与第一连接座3内部连通，所述第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7另一端的连接管与第二连接座4内部连通，所述第一连接座3和第二连接座4上分别设有进水口11和进气口12，本水汽雾化装置的罩体1为集成式罩体1，本罩体1上安装有横向排列的喷头，且喷头之间呈不同的喷淋方向，实现全方位喷淋，同时罩体1上连接有气体连接座和水体连接座，通过气体增压的方式，将水进行雾化并进行喷淋，保证了废气与水充分接触，对高温废气达到更好的处理和冷却效果。
22.所述第一喷头8、第二喷头9和第三喷头10均嵌合固定于第一连接座5、第二连接座
6和第三连接座7上，所述第一喷头8、第二喷头9和第三喷头10均为螺旋式雾化喷头，水体通过气体增压雾化后，可以由旋转式雾化喷头上分布的喷淋孔进行喷淋，有效的增大了雾化喷淋的面积，保证了喷淋降温的效果。
23.所述第一喷头8和第二喷头9位于第三喷头10的两侧，所述第一喷头8和第二喷头9与安装槽一端槽口位置对应，所述第三喷头10与安装槽另一端槽口位置对应，第三喷头10与第一喷头8和第二喷头9之间呈相反的方向，从而对罩体1安装槽的两端提供喷淋的效果，增大了喷淋面积，从而扩大的降温的区域，使得高温气体与水充分接触。
24.所述第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7两端的连接管上嵌合有固定螺套，所述第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7两端的连接管均由四氟乙烯材质构成，固定螺套主要对第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7两端的连接管提供加固的效果，四氟乙烯具有良好的抗腐蚀性，可以提高连接管的使用寿命。
25.所述罩体1为圆形结构，所述罩体1、第一连接座3和第二连接座4均由pvc材质构成，pvc材质的罩体，质量较轻，同时具有良好的耐热性和抗腐效果，可以抵御废气的高温。
26.所述第一连接座3和第二连接座4内部均呈中空结构，所述第一连接座3上的进水口11通过外接水管与供水设备连接，所述第二连接座4上的进气口12通过外接气管与空气压缩装置连接，中空结构的连接座，便于水和增压的空气可以分别进入第一连接座5、第二连接座6和第三连接座7两端的连接管内。
27.工作原理：在使用本水汽雾化装置在对半导体废气处理时，可通过外接固定组件或者螺丝将本水汽雾化装置的罩体1固定于半导体加工设备的废气排放口处，通过水管和气管分别与罩体1两端第一连接座3和第二连接座4上的进水口11和进气口12进行密封固定，在半导体加工设备排放废气时，需要提前进行雾化喷淋作业，通过气管和水管分别向第一连接座3和第二连接座4内进行注气和注水，空气压缩装置将压缩的空气注入第二连接座4内，压缩的空气通过连接管分别进入第一喷头8、第二喷头9和第三喷头10处，水进入第一连接座3内后，同样采用分流的形式通过连接流至管第一喷头8、第二喷头9和第三喷头10处，利用压缩空气的压力，将水进行雾化且通过第一喷头8、第二喷头9和第三喷头10进行喷淋，此时打开半导体加工设备废气排放口，通过雾化喷淋的方式，实现对高温废气进行冷却处理。
28.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：
1.一种半导体废气处理设备水汽雾化装置,其特征在于：包括罩体(1)，所述罩体(1)外壁的两侧分别设有第一连接座(3)和第二连接座(4)，所述第一连接座(3)和第二连接座(4)与罩体(1)呈一体化结构，所述罩体(1)上设有安装槽，所述安装槽内嵌合有冷却组件(2)，所述冷却组件(2)由第一连接座(5)、第二连接座(6)和第三连接座(7)组成，所述第一连接座(5)、第二连接座(6)和第三连接座(7)上分别设有第一喷头(8)、第二喷头(9)和第三喷头(10)，所述第一连接座(5)、第二连接座(6)和第三连接座(7)两端均连接有连接管，所述第一连接座(5)、第二连接座(6)和第三连接座(7)一端的连接管与第一连接座(3)内部连通，所述第一连接座(5)、第二连接座(6)和第三连接座(7)另一端的连接管与第二连接座(4)内部连通，所述第一连接座(3)和第二连接座(4)上分别设有进水口(11)和进气口(12)。2.根据权利要求1所述的一种半导体废气处理设备水汽雾化装置，其特征在于：所述第一喷头(8)、第二喷头(9)和第三喷头(10)均嵌合固定于第一连接座(5)、第二连接座(6)和第三连接座(7)上，所述第一喷头(8)、第二喷头(9)和第三喷头(10)均为螺旋式雾化喷头。3.根据权利要求1所述的一种半导体废气处理设备水汽雾化装置，其特征在于：所述第一喷头(8)和第二喷头(9)位于第三喷头(10)的两侧，所述第一喷头(8)和第二喷头(9)与安装槽一端槽口位置对应，所述第三喷头(10)与安装槽另一端槽口位置对应。4.根据权利要求1所述的一种半导体废气处理设备水汽雾化装置，其特征在于：所述第一连接座(5)、第二连接座(6)和第三连接座(7)两端的连接管上嵌合有固定螺套，所述第一连接座(5)、第二连接座(6)和第三连接座(7)两端的连接管均由四氟乙烯材质构成。5.根据权利要求1所述的一种半导体废气处理设备水汽雾化装置，其特征在于：所述罩体(1)为圆形结构，所述罩体(1)、第一连接座(3)和第二连接座(4)均由pvc材质构成。6.根据权利要求1所述的一种半导体废气处理设备水汽雾化装置，其特征在于：所述第一连接座(3)和第二连接座(4)内部均呈中空结构，所述第一连接座(3)上的进水口(11)通过外接水管与供水设备连接，所述第二连接座(4)上的进气口(12)通过外接气管与空气压缩装置连接。

技术总结
本发明公开了一种半导体废气处理设备水汽雾化装置,包括罩体，所述罩体外壁的两侧分别设有第一连接座和第二连接座，所述第一连接座和第二连接座与罩体呈一体化结构，所述罩体上设有安装槽，所述安装槽内嵌合有冷却组件，所述冷却组件由第一连接座、第二连接座和第三连接座组成，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座上分别设有第一喷头、第二喷头和第三喷头，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座两端均连接有连接管，所述第一连接座、第二连接座和第三连接座一端的连接管与第一连接座内部连通。本水汽雾化装置，有效的增大了喷淋面积，扩大了降温的区域，使得废气与水可以充分接触，达到更好的处理和冷却效果。达到更好的处理和冷却效果。达到更好的处理和冷却效果。


技术研发人员：崔汉博 崔汉宽
受保护的技术使用者：上海高生集成电路设备有限公司
技术研发日：2021.12.31
技术公布日：2022/3/8