转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.mini-led是在小间距led基础上衍生出来的一种新型led显示技术，也被称为亚毫米发光二极管。它的晶粒尺寸大约在50μm到300μm间，即介于传统led和micro led之间。由于其具有较好的显示效果以及轻薄体验，同时具有较高的对比度、寿命长等优势，因此在显示领域使用趋势明显。


技术实现要素：

3.本技术实施例的第一方面，提供了一种转移基板。所述转移基板包括：
4.基板本体，所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域；
5.位于所述基板本体上的多个凸台；所述凸台位于所述第一目标区域内，由所述第一目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小；
6.位于各所述凸台背离所述基板本体一侧的解离层；
7.位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层。
8.在一个实施例中，所述第一目标区域包括第一中心区域及位于所述第一中心区域周侧的多个第一环形区域，同一所述第一环形区域内设置的所述凸台的高度相等；相邻两个所述第一环形区域内，位于外侧的第一环形区域内的所述凸台的高度大于位于内侧的第一环形区域内的所述凸台的高度。
9.在一个实施例中，任相邻两个所述第一环形区域内的所述凸台的高度差相等。
10.在一个实施例中，所述解离层的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。
11.在一个实施例中，各所述粘结层背离所述基板本体的表面到所述基板本体的距离相等。
12.在一个实施例中，所述凸台在所述基板本体上的正投影的边缘位于对应的所述解离层在所述基板本体上的正投影的边缘外。
13.在一个实施例中，所述转移基板还包括设置在所述基板本体上的多个支撑柱，各所述凸台的周侧分别设有至少两个所述支撑柱，所述凸台周侧的所述支撑柱关于所述凸台背离所述基板本体表面的对称轴对称分布；所述支撑柱背离所述基板本体的表面到所述基板本体的第一距离、大于所述粘结层背离所述基板本体的一侧到所述基板本体的第二距离。
14.在一个实施例中，所述第一距离与所述第二距离的差值范围为0.5um～1.5um。
15.本技术实施例的第二方面，提供了一种发光基板，所述发光基板包括：
16.衬底，所述衬底的表面包括至少一个第二目标区域；
17.位于所述衬底一侧的多个发光单元，所述发光单元位于所述第二目标区域内；
18.位于各所述发光单元背离所述衬底一侧的粘结层，由所述第二目标区域的中心至边缘，所述粘结层的高度逐渐增大。
19.在一个实施例中，所述第二目标区域包括第二中心区域及位于所述第二中心区域周侧的多个第二环形区域，同一所述第二环形区域内设置的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离相等；相邻两个所述第二环形区域内，位于外侧的第二环形区域内的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离、大于位于内侧的第二环形区域内的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离。
20.在一个实施例中，任相邻两个所述第二环形区域内的所述粘结层的高度差相等。
21.在一个实施例中，所述粘结层背离所述衬底的一侧设有斜面，所述发光单元发出的光线通过所述粘结层入射至相邻所述粘结层之间的介质时所述光线的最大出射角为第一夹角，所述斜面与所述衬底朝向所述粘结层的表面之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角大于或等于所述第一夹角。
22.本技术实施例的第三方面，提供了一种发光基板的制备方法，所述制备方法包括：
23.提供转移基板，所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体上的多个凸台、位于各所述凸台背离所述基板本体一侧的解离层、以及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层；所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域，所述凸台位于所述第一目标区域，由所述第一目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小；
24.在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元；
25.提供衬底，所述衬底设有至少一个第二目标区域，并将所述转移基板与所述衬底相对设置，使每一所述第二目标区域与一个所述第一目标区域相对，所述发光单元朝向所述衬底；
26.采用通过场镜的激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，所述激光穿过所述基板本体及所述凸台作用在所述解离层上，使所述解离层解离，从而所述发光单元及所述粘结层与所述凸台脱离，并转移到所述衬底上；所述场镜的面积与所述第一目标区域的面积基本相等。
27.在一个实施例中，所述解离层的厚度小于1mm。
28.本技术实施例的第四方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的发光基板。
29.本技术实施例提供的转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置，由基板本体的第一目标区域的中心至边缘，凸台的高度逐渐减小，则在发光基板的制备过程中，通过场镜聚焦的激光穿过基板本体入射至解离层时，各凸台上设置的解离层与场镜的焦点之间的距离差别较小，可避免位于第一目标区域中心处的凸台上设置的解离层与场镜的焦点之间的距离较大，导致解离层无法顺利解离的问题，保证各发光单元均被转移到衬底上，提升制备得到的发光基板的良率。
附图说明
30.图1是本技术一示例性实施例提供的发光基板的制备方法的流程图；
31.图2是本技术一示例性实施例提供的转移基板的局部剖视图；
32.图3是本技术一示例性实施例提供的转移基板的俯视图；
33.图4是本技术另一示例性实施例提供的转移基板的局部剖视图；
34.图5是本技术一示例性实施例提供的发光基板的制备过程中的中间结构的结构示意图；
35.图6是本技术一示例性实施例提供的发光基板的局部剖视图；
36.图7是本技术一示例性实施例提供的发光基板的局部俯视图；
37.图8是本技术另一示例性实施例提供的发光基板的局部剖视图。
具体实施方式
38.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本技术相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
39.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
40.应当理解，尽管在本技术可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本技术范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。
41.本技术实施例提供了一种转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置。下面结合附图，对本技术实施例中的转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
42.本技术实施例提供了一种发光基板的制备方法。如图1所示，所述发光基板的制备过程包括如下步骤110至步骤140。
43.在步骤110中，提供转移基板，所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体上的多个凸台、位于各所述凸台背离所述基板本体一侧的解离层、以及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层；所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域，所述凸台位于所述第一目标区域，由所述第一目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小。
44.在步骤120中，在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元。
45.在步骤130中，提供衬底，所述衬底设有至少一个第二目标区域，并将所述转移基板与所述衬底相对设置，使每一所述第二目标区域与一个所述目标区域相对，所述发光单元朝向所述衬底。
46.在步骤140中，采用通过场镜的激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，所述激光穿过所述基板本体及所述凸台作用在所述解离层上，使所述解离层解离，从而所述发光单元及所述粘结层与所述凸台脱离，并转移到所述衬底上；所述场镜的面积与所述第一目标区域的大小基本相等。
47.激光在通过场镜时，场镜对激光进行聚焦，并控制激光束的作用面积。经过场镜后的激光束穿过基板本体并作用在解离层上，激光的能量达到解离层解离需要的能量时，解离层解离。通过场镜后的激光的作用面并不是平面，而是带有一定曲率的曲面。激光与场镜的焦点的距离越大，激光的能量越小，激光与场镜的距离达到一定距离时，作用在解离层上的激光能量较小，解离层可能存在解离的风险。经过试验验证，在距离场镜的焦点20μm的位置处，激光的能量约有30％的损失，例如激光的初始能量为500mj/cm2时，在与场镜的焦点之间的距离为20μm的位置处激光的能量为350mj/cm2。激光作用在解离层上的能量范围在350mj/cm2～500mj/cm2时，解离层发生解离，发光单元脱离凸台。当解离层与场镜的焦点之间的距离大于20μm时，激光作用在解离层上的能量较小，解离层可能无法有效解离，发光单元不能顺利转移到衬底上。
48.本技术实施例提供的发光基板的制备方法，基板本体的第一目标区域内，由第一目标区域的中心至边缘，凸台的高度逐渐减小，则通过场镜聚焦的激光穿过基板本体入射至解离层时，各凸台上设置的解离层与场镜的焦点之间的距离差别较小，可避免位于第一目标区域中心处的凸台上设置的解离层与场镜的焦点之间的距离较大，导致解离层无法顺利解离的问题，保证各发光单元均被转移到衬底上，提升制备得到的发光基板的良率。
49.经过验证，本技术实施例采用的转移基板，可将解离层与场镜的焦点之间的距离缩小至10μm，激光损失的最大能量约为10％，保证各解离层均能被解离。
50.下面将对发光基板的制备方法的各步骤进行具体介绍。
51.在步骤110中，提供转移基板，所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体上的多个凸台、位于各所述凸台背离所述基板本体一侧的解离层、以及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层；所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域，所述凸台位于所述第一目标区域，由所述第一目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小。
52.图2及图3为步骤110中提供的转移基板的结构示意图。如图2及图3所示，所述转移基板100包括基板本体10、位于所述基板本体10上的多个凸台20、位于各所述凸台20背离所述基板本体10一侧的解离层30、以及位于各所述解离层30背离所述基板本体10一侧的粘结层40。所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域101。所述凸台20位于所述第一目标区域101内，且各第一目标区域101内分别设有多个凸台20。由所述第一目标区域101的中心至边缘，所述凸台20的高度逐渐减小。
53.在一个实施例中，转移基板100可通过如下步骤形成：
54.首先，在基板本体上形成凸台。
55.在一个实施例中，基板本体的材料可以是玻璃，凸台的材料可以是树脂。可通过在基板本体上涂覆树脂膜层，通过对树脂膜层进行梯度曝光形成不同高度的多个凸台。在其他实施例中，基板本体与凸台可以一体成型。
56.随后，在凸台背离所述基板本体的表面依次形成解离层和粘结层。
57.在一个实施例中，可采用旋涂工艺在凸台上依次形成解离层和粘结层。可首先旋涂解离材料得到解离膜层，之后旋涂粘结材料得到粘结膜层，再对解离膜层及粘结膜层进行图形化处理，得到解离层和粘结层。旋涂粘结材料得到的粘结膜层的厚度较大，粘结膜层背离基板本体的表面的各处到基板本体的距离大致相等，由于粘结膜层背离基板本体的表面的各处到基板本体的距离大致相等，在对粘结膜层进行图形化处理得到的多个粘结层
中，各粘结层40背离所述基板本体10的表面到所述基板本体10的距离相等。如此设置，在步骤120中在各粘结层背离基板本体的表面设置的发光单元与基板本体的距离基本相等，则在将发光单元转移到衬底上时，各发光单元与衬底的距离大致相等，更有利于发光单元的转移。
58.由于同一第一目标区域101内的多个凸台20中，由所述第一目标区域101的中心至边缘，所述凸台20的高度逐渐减小，而各解离层的高度基本相等，则同一第一目标区域101内，由第一目标区域的中心至边缘，粘结层的高度逐渐增大。采用本技术实施例提供的发光基板的制备方法得到的发光基板，解离层解离后，粘结层随发光单元一起转移到衬底上，同一个目标区域101的粘结层上设置的多个发光基板，被转移到衬底的同一第二目标区域内，由第二目标区域的中心至边缘，各粘结层40的厚度逐渐增大。
59.在一个实施例中，再次参见图2及图3，所述第一目标区域101包括第一中心区域1011及位于所述第一中心区域1011周侧的多个第一环形区域1012，同一所述第一环形区域1012内设置的所述凸台20的高度相等。相邻两个所述第一环形区域1012内，位于外侧的第一环形区域1012内的所述凸台20的高度大于位于内侧的第一环形区域1012内的所述凸台20的高度。其中，同一第一环形区域1012内设置的凸台20的高度相等指的是，同一第一环形区域1012内设置的多个凸台20的高度基本相等，该多个凸台的高度可相等，或者该多个凸台的高度差很小。
60.第一中心区域1011内可设置一个凸台20，第一中心区域1011可与场镜的焦点相对。同一所述第一环形区域1012内设置的所述凸台20的高度相等，则同一第一环形区域1012内设置的多个解离层30与场镜的焦点之间的距离基本相等，作用在同一第一环形区域1012内的解离层30的激光能量基本相等，同一第一环形区域1012内的解离层30在激光的作用下均能被解离。
61.在一些实施例中，激光的能力范围为10μm，也即是在基板本体的表面上，第一中心区域的直径为10μm时，激光可使得第一中心区域内的所有解离层30均能发生解离。在一个示例性实施例中，第一目标区域101可包括四个第一环形区域1012，第一中心区域1011的直径可为2mm，四个第一环形区域1012的外侧边缘的直径分别为4mm、6mm、8mm、10mm。在其他实施例中，第一目标区域101包括的第一环形区域1012的数量可不同于四个。
62.在一个实施例中，任相邻两个所述第一环形区域1012内的所述凸台20的高度差相等。如此设置，不同第一环形区域1012内的凸台的高度是逐渐变化的，有助于使各第一环形区域1012内的解离层30与场镜的焦点之间的距离差别较小，进一步避免作用在某个解离层30的能量较小而无法解离的问题。在一些实施例中，相邻第一环形区域1012内的凸台的高度差为1μm。第一目标区域内凸台的最大高度可为10μm，也即是第一中心区域1011内的凸台20的高度为10μm；第一目标区域101包括四个第一环形区域1012时，从第一目标区域的中心至边缘，第一环形区域1012内的凸台的高度可依次为9μm、8μm、7μm、6μm。
63.在一个实施例中，各凸台20上设置的解离层30的厚度大致相同。
64.在一个实施例中，所述解离层的厚度小于1mm。如此设置，可防止解离层的厚度太大，作用在解离层上的激光不能使解离层发生解离，而影响发光单元向的转移。在一些实施例中，各解离层30的厚度约为300nm。
65.在一个实施例中，所述粘结层40的厚度范围为1μm～20μm。也即是，转移基板的多
个粘结层40中，厚度最大的粘结层40的厚度可为20μm，厚度最小的粘结层40的厚度可为1μm。由于任相邻两个第一环形区域1012内的凸台20的高度差相等，则任相邻两个第一环形区域1012内的粘结层40的厚度差与该相邻两个第一环形区域1012内的凸台的高度差相等。例如，相邻两个第一环形区域1012内的粘结层的厚度差为1μm，且第一目标区域的第一中心区域内的粘结层的高度为7μm时，由第一目标区域的中心至边缘，第一环形区域1012内的粘结层的厚度依次为8μm、9μm、10μm、11μm。
66.在一个实施例中，所述解离层30的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。如此设置，解离层30在解离的过程中，解离层对发光单元的表面的作用力分布比较均匀，可防止发光单元发生倾斜或偏离，保证发光基板上绑定的发光单元的绑定精度较高。在一些实施例中，解离层30的横截面呈圆形、正方形或者正多边形等。
67.在一个实施例中，所述粘结层40的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。解离层30在解离的过程中，解离层通过粘结层40对发光单元施加作用力，粘结层40的横截面呈轴对称图形或中心对称图形时，可使得解离层解离过程中通过粘结层对发光单元施加的作用力分布比较均匀，可防止发光单元发生倾斜或偏离，保证发光基板上绑定的发光单元的绑定精度较高。在一些实施例中，粘结层40的横截面呈圆形、正方形或者正多边形等。
68.在一个实施例中，所述凸台20在所述基板本体10上的正投影的边缘位于对应的所述解离层30在所述基板本体10上的正投影的边缘外。也即是，凸台20的面积大于解离层30的面积。激光作用在解离层30时，激光的光斑入射至凸台20的表面中心位置处，通过设置凸台20在基板本体10上的正投影的边缘位于对应的解离层30在基板本体10上的正投影的边缘外，可防止激光的光斑相对于解离层30发生偏移，而导致解离层30无法有效解离的情况。
69.在一些实施例中，所述凸台20上设置的解离层30的边缘各处位置与该凸台的边缘之间的距离大于3μm。如此可有效防止激光的光斑相对于解离层30发生偏移，保证解离层30的解离效果。
70.在一个实施例中，如图4所示，所述转移基板100还包括设置在所述基板本体10上的多个支撑柱50，各所述凸台20的周侧分别设有至少两个所述支撑柱50，所述凸台20周侧的所述支撑柱50关于所述凸台20背离所述基板本体10的表面的对称轴对称分布；且所述支撑柱50背离所述基板本体10的表面到所述基板本体10的第一距离大于对应的所述粘结层40背离所述基板本体10的一侧到所述基板本体10的第二距离。通过设置支撑柱50，且凸台20周侧的支撑柱50关于凸台20表面的对称轴对称分布，则在将发光单元设置在粘结层40上后，支撑柱50可支撑发光单元，且支撑柱50对发光单元的支撑力分布比较均匀，可防止发光单元通过粘结层粘结在转移基板上后因受力不均匀相对于凸台发生倾斜或偏移，提升发光单元的转移良率，进而提升制备得到的发光基板的良率。支撑柱的材料可为无粘性的树脂材料或亚克力体系材料，有一定的压缩性。在将发光单元设置在粘结层上后，发光单元对支撑结构施加的作用力会使支撑柱压缩，通过设置第一距离大于第二距离，可使得支撑柱压缩后的高度与第二距离大致相等，如此可保证支撑柱对发光单元的支撑效果，更有助于防止发光单元相对于凸台发生倾斜或偏移。
71.在一些实施例中，所述凸台20的相对两侧分别设有两个支撑柱，或者凸台20的相对两侧分别设有一个长条形支撑柱。
72.在一些实施例中，所述第一距离与所述第二距离的差值范围为0.5um～1.5um。如此设置，更有助于可保证支撑结构压缩后的高度与第二距离大致相等，在保证发光单元与粘结层的粘结效果的前提下确保支撑结构对发光单元的支撑效果，更有助于防止发光单元相对于凸台发生倾斜或偏移。
73.在步骤120中，在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元。
74.通过该步骤可得到如图5所示的中间结构。如图5所示，一个粘结层40上设置一个发光单元60，发光单元60朝向基板本体10的表面的面积大于粘结层40的面积。发光单元60背离基板本体10的表面设有绑定端子61，发光单元60转移到衬底上后，发光单元60通过绑定端子61绑定在衬底上。
75.在一个实施例中，发光单元60为mini led，或者发光单元60为micro led。
76.在步骤130中，提供衬底，所述衬底设有至少一个第二目标区域，并将所述转移基板与所述衬底相对设置，使每一所述第二目标区域与一个所述目标区域相对，所述发光单元朝向所述衬底。
77.在一个实施例中，第二目标区域与第一目标区域的面积及形成可大小相等，同一目标区域内的粘结层上设置的发光单元全部转移到同一第二目标区域内。
78.在一个实施例中，衬底可以为塑料基板、硅基板、陶瓷基板、玻璃基板、石英基板等任意适当的基板，本技术实施例对衬底的材料不作限制。
79.在步骤140中，采用通过场镜的激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，所述激光穿过所述基板本体及所述凸台作用在所述解离层上，使所述解离层解离，从而所述发光单元及所述粘结层与所述凸台脱离，并转移到所述衬底上；所述场镜的面积与所述第一目标区域的面积基本相等。
80.在一个实施例中，场镜在基板本体上的正投影与第一目标区域大致重合。如此设置，可保证激光入射至第一目标区域内时，第一目标区域内的粘结层上设置的发光单元可全部解离。
81.通过该步骤140可得到如图6及图7所示的发光基板300。解离层30解离后，发光单元60及粘结层40均与凸台脱离，则粘结层40与发光单元60一起被转移到衬底70上。如图6及图7所示，所述发光基板200包括衬底70、位于所述衬底70一侧的多个发光单元60、以及位于各所述发光单元60背离所述衬底70一侧的粘结层40。
82.所述衬底70的表面包括至少一个第二目标区域701，所述发光单元60位于所述第二目标区域701内，且各第二目标区域701内设置有多个发光单元60。由所述第二目标区域701的中心至边缘，所述粘结层40的高度逐渐增大。
83.在一个实施例中，如图6及图7所示，所述第二目标区域701包括第二中心区域7011及位于所述第二中心区域7011周侧的多个第二环形区域7012。
84.基板本体的第一目标区域与衬底70的第二目标区域701可一一对应，第一目标区域与对应的第二目标区域701的大小相等，且基板本体的第一目标区域与对应的衬底的第二目标区域701中，第一中心区域的大小与第二中心区域7011的大小可相同，第一中心区域内的粘结层与发光单元被转移到第二中心区域7011内；第一环形区域的数量与第二环形区域7012的数量相同，且可一一对应，第一环形区域的大小与对应的第二环形区域7012的大小相同，第一环形区域内的粘结层及发光单元被转移到对应的第二中心区域7011内。因此，
第一目标区域中粘结层的高度分布与对应的第二目标区域701内的粘结层的高度分布相同。
85.衬底70的第二目标区域701内的粘结层的高度分布如下：相邻两个所述第二环形区域7012内，位于外侧的第二环形区域7012内的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离大于位于内侧的第二环形区域7012内的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离；任相邻两个所述第二环形区域7012内的所述粘结层40的高度差相等。
86.在一个实施例中，在步骤140之后，所述发光基板的制备方法还包括：在粘结层40背离衬底70的一侧形成斜面，以得到如图8所示的发光基板，且所述发光单元60发出的光线通过所述粘结层40入射至相邻所述粘结层40之间的介质时所述光线的最大出射角为第一夹角，所述斜面401与所述衬底70之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角大于或等于所述第一夹角。通过设置第二夹角大于第一夹角，有利于发光单元60发出的光线从粘结层40出射，进而提升发光单元的出光效率，提升发光基板的出光量。
87.在一个实施例中，在步骤140之后，所述发光基板的制备方法还包括：进行封胶，形成覆盖粘结层、发光单元60以及露出的衬底70的透明材料层。透明材料层背离衬底的表面可大致齐平。
88.本技术实施例还提供了一种转移基板，所述转移基板应用在上述任一实施例所述的发光基板的制备方法中。如图2及图3所示，所述转移基板100包括基板本体10、位于所述基板本体10上的多个凸台20、位于各所述凸台20背离所述基板本体10一侧的解离层30、以及位于各所述解离层30背离所述基板本体10一侧的粘结层40。所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域101。所述凸台20位于所述第一目标区域101内，且各第一目标区域101内分别设有多个凸台20。由所述第一目标区域101的中心至边缘，所述凸台20的高度逐渐减小。
89.在一个实施例中，如图2及图3所示，所述第一目标区域101包括第一中心区域1011及位于所述第一中心区域1011周侧的多个第一环形区域1012，同一所述第一环形区域1012内设置的所述凸台20的高度相等；相邻两个所述第一环形区域1012内，位于外侧的第一环形区域1012内的所述凸台20的高度大于位于内侧的第一环形区域1012内的所述凸台20的高度。
90.在一个实施例中，任相邻两个所述第一环形区域1012内的所述凸台20的高度差相等。
91.在一个实施例中，所述解离层30的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。
92.在一个实施例中，各所述粘结层40背离所述基板本体10的表面到所述基板本体10的距离相等。
93.在一些实施例中，所述解离层30与所述粘结层40的材料相同，二者之间没有分层，解离层30与粘结层40通过一次旋涂即可形成，也即是解离层的材料同时具有粘结性。在该实施例中，解离层30及粘结层40在激光的作用下均可发生解离，解离后的发光单元的表面会有少量粘结层残留。
94.在一个实施例中，所述凸台20在所述基板本体10上的正投影的边缘位于对应的所
述解离层30在所述基板本体10上的正投影的边缘外。也即是，凸台20的面积大于解离层30的面积。
95.在一个实施例中，如图4所示，所述转移基板100还包括设置在所述基板本体10上的多个支撑柱50，各所述凸台20的周侧分别设有至少两个所述支撑柱50，所述凸台20周侧的所述支撑柱50关于所述凸台20背离所述基板本体10的表面的对称轴对称分布；且所述支撑柱50背离所述基板本体10的表面到所述基板本体10的第一距离大于对应的所述粘结层40背离所述基板本体10的一侧到所述基板本体10的第二距离。
96.在一些实施例中，所述第一距离与所述第二距离的差值范围为0.5um～1.5um。
97.本技术实施例提供的转移基板与发光基板的制备方法属于同一发明构思，相关细节及有益效果的描述可互相参见，在此不再进行赘述。
98.本技术实施例还提供了一种发光基板。如图6及图7所示，所述发光基板200包括衬底70、位于所述衬底70一侧的多个发光单元60、以及位于各所述发光单元60背离所述衬底70一侧的粘结层40。所述衬底70的表面包括至少一个第二目标区域701，所述发光单元60位于所述第二目标区域701内，且各第二目标区域701内设置有多个发光单元60。由所述第二目标区域701的中心至边缘，所述粘结层40的高度逐渐增大。
99.在一个实施例中，如图6及图7所示，所述第二目标区域701包括第二中心区域7011及位于所述第二中心区域7011周侧的多个第二环形区域7012。同一所述第二环形区域7012内设置的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离相等；相邻两个所述第二环形区域7012内，位于外侧的第二环形区域7012内的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离大于位于内侧的第二环形区域7012内的所述粘结层40背离所述衬底70的表面到所述衬底70的距离。
100.在一个实施例中，任相邻两个所述第二环形区域7012内的所述粘结层40的高度差相等。
101.在一个实施例中，如图8所示，所述粘结层40背离所述衬底70的一侧设有斜面401，所述发光单元60发出的光线通过所述粘结层40入射至相邻所述粘结层40之间的介质时所述光线的最大出射角为第一夹角，所述斜面401与所述衬底70朝向所述粘结层40的表面之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角大于或等于所述第一夹角。
102.本技术实施例提供的发光基板与发光基板的制备方法属于同一发明构思，相关细节及有益效果的描述可互相参见，在此不再进行赘述。
103.本技术实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置上述任一实施例所述的发光基板。
104.在一个实施例中，发光基板作为背光源，显示装置可以为液晶显示装置，其包括液晶显示面板，发光基板设置在液晶显示面板的非显示侧。
105.在另一实施例中，所述显示装置中的发光基板作为显示基板使用。发光基板作为显示基板使用时，每一发光元件作为一个子像素。
106.显示装置可以为任意适当的显示装置，包括但不限于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、电子书等任何具有显示功能的产品或部件。
107.需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在
中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
108.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后，将容易想到本技术的其它实施方案。本技术旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本技术的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
109.应当理解的是，本技术并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本技术的范围仅由所附的权利要求来限制。

技术特征：
1.一种转移基板，其特征在于，所述转移基板包括：基板本体，所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域；位于所述基板本体上的多个凸台；所述凸台位于所述第一目标区域内，由所述第一目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小；位于各所述凸台背离所述基板本体一侧的解离层；位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层。2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述第一目标区域包括第一中心区域及位于所述第一中心区域周侧的多个第一环形区域，同一所述第一环形区域内设置的所述凸台的高度相等；相邻两个所述第一环形区域内，位于外侧的第一环形区域内的所述凸台的高度大于位于内侧的第一环形区域内的所述凸台的高度。3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，任相邻两个所述第一环形区域内的所述凸台的高度差相等。4.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述解离层的横截面所呈的形状为轴对称图形或中心对称图形。5.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，各所述粘结层背离所述基板本体的表面到所述基板本体的距离相等。6.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述凸台在所述基板本体上的正投影的边缘位于对应的所述解离层在所述基板本体上的正投影的边缘外。7.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述转移基板还包括设置在所述基板本体上的多个支撑柱，各所述凸台的周侧分别设有至少两个所述支撑柱，所述凸台周侧的所述支撑柱关于所述凸台背离所述基板本体表面的对称轴对称分布；所述支撑柱背离所述基板本体的表面到所述基板本体的第一距离、大于所述粘结层背离所述基板本体的一侧到所述基板本体的第二距离。8.根据权利要求7所述的转移基板，其特征在于，所述第一距离与所述第二距离的差值范围为0.5um～1.5um。9.一种发光基板，其特征在于，所述发光基板包括：衬底，所述衬底的表面包括至少一个第二目标区域；位于所述衬底一侧的多个发光单元，所述发光单元位于所述第二目标区域内；位于各所述发光单元背离所述衬底一侧的粘结层，由所述第二目标区域的中心至边缘，所述粘结层的高度逐渐增大。10.根据权利要求9所述的发光基板，其特征在于，所述第二目标区域包括第二中心区域及位于所述第二中心区域周侧的多个第二环形区域，同一所述第二环形区域内设置的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离相等；相邻两个所述第二环形区域内，位于外侧的第二环形区域内的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离、大于位于内侧的第二环形区域内的所述粘结层背离所述衬底的表面到所述衬底的距离。11.根据权利要求10所述的发光基板，其特征在于，任相邻两个所述第二环形区域内的所述粘结层的高度差相等。12.根据权利要求9所述的发光基板，其特征在于，所述粘结层背离所述衬底的一侧设有斜面，所述发光单元发出的光线通过所述粘结层入射至相邻所述粘结层之间的介质时所
述光线的最大出射角为第一夹角，所述斜面与所述衬底朝向所述粘结层的表面之间的夹角为第二夹角，所述第二夹角大于或等于所述第一夹角。13.一种发光基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供转移基板，所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体上的多个凸台、位于各所述凸台背离所述基板本体一侧的解离层、以及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层；所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域，所述凸台位于所述第一目标区域，由所述第一目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小；在各所述粘结层背离所述基板本体的一侧分别设置发光单元；提供衬底，所述衬底设有至少一个第二目标区域，并将所述转移基板与所述衬底相对设置，使每一所述第二目标区域与一个所述第一目标区域相对，所述发光单元朝向所述衬底；采用通过场镜的激光照射所述转移基板背离所述衬底的一侧，所述激光穿过所述基板本体及所述凸台作用在所述解离层上，使所述解离层解离，从而所述发光单元及所述粘结层与所述凸台脱离，并转移到所述衬底上；所述场镜的面积与所述第一目标区域的面积基本相等。14.根据权利要求13所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述解离层的厚度小于1mm。15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9至12任一项所述的发光基板。

技术总结
本申请提供一种转移基板、发光基板及其制备方法、显示装置。所述转移基板包括基板本体、位于所述基板本体上的多个凸台、位于各所述凸台背离所述基板本体一侧的解离层及位于各所述解离层背离所述基板本体一侧的粘结层。所述基板本体的表面包括至少一个第一目标区域。所述凸台位于所述第一目标区域内，由所述第一目标区域的中心至边缘，所述凸台的高度逐渐减小。所述发光基板包括衬底、位于所述衬底一侧的多个发光单元及位于各所述发光单元背离所述衬底一侧的粘结层。所述衬底的表面包括至少一个第二目标区域。所述发光单元位于所述第二目标区域内。由所述第二目标区域的中心至边缘，所述粘结层的高度逐渐增大。所述粘结层的高度逐渐增大。所述粘结层的高度逐渐增大。


技术研发人员：李海旭
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2021.11.29
技术公布日：2022/3/8