LED芯片、LED显示装置及LED芯片的加工方法与流程

led芯片、led显示装置及led芯片的加工方法
技术领域
1.本发明涉及led显示技术领域，具体而言，涉及一种led芯片、led显示装置及led芯片的加工方法。


背景技术：

2.led芯片行业，通常采用al2o3(三氧化二铝)作为蓝光和绿光led的衬底，在led衬底上设置的外延gan(氮化镓)发光层，采用gaas(砷化镓)作为红光led的衬底，在红光led的衬底上的外延algainp(磷砷化镓)发光层；在制备倒装芯片时，因为al2o3透明，理论上只需简单将led芯片倒置，再配合反光镜工艺，即可实现蓝绿光倒装芯片。对于红光芯片，因为其衬底gaas吸收红光，无法通过简单倒置实现倒装芯片，需要将红光外延层转移至透明衬底，再将gaas衬底剥离，得到倒装红光芯片。对比gan(氮化镓)材料，红光的algainp外延层较脆且易碎，因此上述过程导致倒装红光led良率低，成本高。
3.量子点作为一种纳米发光材料，可应用于led的颜色转换中，由蓝光led或者紫光led激发量子点发出相应的颜色，因紫光led价格昂贵，故通常采用喷墨打印的方式在蓝光led芯片上设置量子点材料，但该方法因蓝光泄露造成激发的颜色光中混杂蓝光，导致颜色转换效果较差。


技术实现要素：

4.本发明的主要目的在于提供一种led芯片、led显示装置及led芯片的加工方法，以解决相关技术中的蓝光led激发量子点时泄露蓝光，导致颜色转换效果较差的问题。
5.为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种led芯片，包括：外延层，外延层的顶面形成出光面；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极间隔设置在外延层的底面处，第一电极和第二电极均与外延层导通连接；反射层，包覆在外延层的侧面和底面处，并避让第一电极和第二电极；量子层，设置在外延层的出光面处。
6.进一步地，led芯片还包括围设在反射层的侧壁外侧的吸光层。
7.进一步地，量子层的外侧面平齐于或者凸出于吸光层的外侧面。
8.进一步地，反射层包括包覆在外延层的侧面和底面处的内反射层以及包覆在内反射层外侧的外反射层，内反射层为布拉格反射镜，外反射层为油墨。
9.进一步地，led芯片还包括包覆在量子层和吸光层外侧的透明保护层。
10.进一步地，外延层包括由顶面至底面依次设置的第一氮化镓层、量子阱以及第二氮化镓层，第二氮化镓层上设置有第一安装孔，量子阱上设置有与第一安装孔对应的第二安装孔，第一电极与第二氮化镓层导通连接，部分第二电极穿设在第一安装孔和第二安装孔内并与第一氮化镓层导通连接；led芯片还包括绝缘层，绝缘层包括设置在外延层的底面和反射层之间的第一绝缘部以及设置在外延层和第二电极之间的第二绝缘部；led芯片还包括位于第一电极和第二氮化镓层之间的导流层；导流层位于第二绝缘部的侧部。
11.根据本发明的另一方面，提供了一种led显示装置，包括基板和固定于基板的多个
显示单元，每个显示单元包括多个led芯片，led芯片为上述的led芯片。
12.根据本发明的另一方面，提供了一种led芯片的加工方法，用于加工上述的led芯片，加工方法包括以下步骤：将外延层布置在衬底上，并得到与外延层连接的第一电极和第二电极；将反射层包覆在外延层的侧面和底面处并避让第一电极和第二电极；去除衬底；去除衬底后，在外延层的出光面上形成量子层。
13.进一步地，在将反射层包覆在外延层的侧面和底面处并避让第一电极和第二电极的步骤和去除衬底的步骤之间，加工方法还包括：在反射层的侧面外形成吸光层。
14.进一步地，去除衬底后，在外延层的出光面上形成量子层的步骤包括：去除衬底后，将第一电极和第二电极朝下放置在临时衬底上，以在外延层的出光面上形成量子层。
15.进一步地，在外延层的出光面上形成量子层的步骤之后，加工方法还包括：将透明保护层包覆在量子层和吸光层的外侧。
16.应用本发明的技术方案，led芯片包括：外延层、第一电极、第二电极反射层和量子层。外延层的顶面形成出光面。第一电极和第二电极间隔设置在外延层的底面处，第一电极和第二电极均与外延层导通连接。反射层包覆在外延层的侧面和底面处，并避让第一电极和第二电极。量子层设置在外延层的出光面处。第一电极和第二电极通电后，外延层发出蓝光，由于反射层包覆在外延层的侧面和底面处，反射层将外延层射出的蓝光进行反射，以使外延层所射出的蓝光集中由出光面出射，有效地降低了蓝光泄露，以使更多的蓝光经过量子层进行颜色转换，提高了颜色转换效果。因此，本技术的技术方案能够解决相关技术中的蓝光led激发量子点时泄露蓝光，导致颜色转换效果较差的问题。
附图说明
17.构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
18.图1示出了根据本发明的led芯片的实施例的剖视示意图；
19.图2示出了根据本发明的led芯片加工方法的实施例的流程示意图；
20.图3示出了图2的led芯片加工方法的外延层放置在衬底上的剖视示意图；
21.图4示出了图2的led芯片加工方法的在外延层上加工出安装孔的剖视示意图；
22.图5示出了图2的led芯片加工方法的在第二氮化镓上覆盖导流层的剖视示意图；
23.图6示出了图2的led芯片加工方法的在导流层上设置第一电极的剖视示意图；
24.图7示出了图2的led芯片加工方法的在导流层和安装孔的孔侧壁上设置绝缘层的剖视示意图；
25.图8示出了图2的led芯片加工方法的将部分第二电极安装在安装孔内的剖视示意图；
26.图9示出了图2的led芯片加工方法的除去第一氮化镓的凸出第二氮化镓外的部分的剖视示意图；
27.图10示出了图2的led芯片加工方法的在外延层外包覆内反射层的剖视示意图；
28.图11示出了图2的led芯片加工方法的在内反射层外包覆外反射层的剖视示意图；
29.图12示出了图2的led芯片加工方法的在外反射层的外侧壁上形成吸光层的剖视示意图；
30.图13示出了图2的led芯片加工方法的去除衬底后，将外延层倒置在临时衬底上的剖视示意图；
31.图14示出了图2的led芯片加工方法的在外延层的第二氮化镓上形成量子层的剖视示意图；
32.图15示出了图2的led芯片加工方法的将外延层分割成三个的剖视示意图；
33.图16示出了图2的led芯片加工方法的将透明保护层包覆在量子层和吸光层外的剖视示意图。
34.其中，上述附图包括以下附图标记：
35.1、衬底；2、临时衬底；10、外延层；101、出光面；11、安装孔；111、第一安装孔；112、第二安装孔；12、第一氮化镓层；13、量子阱；14、第二氮化镓层；21、第一电极；22、第二电极；30、绝缘层；40、反射层；41、内反射层；42、外反射层；50、量子层；51、量子层的外侧面；60、吸光层；61、吸光层的外侧面；70、透明保护层；80、导流层。
具体实施方式
36.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
37.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
38.除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
39.如图1所示，本实施例的led芯片包括：外延层10、第一电极21、第二电极22反射层40和量子层50。外延层10的顶面形成出光面101。第一电极21和第二电极22间隔设置在外延层10的底面处，第一电极21和第二电极22均与外延层10导通连接。反射层40包覆在外延层10的侧面和底面处，并避让第一电极21和第二电极22。量子层50设置在外延层10的出光面101处。
40.应用本实施例的技术方案，led芯片包括：反射层40包覆在外延层10的侧面和底面处，并避让第一电极21和第二电极22。量子层50设置在外延层10的出光面101处。第一电极21和第二电极22通电后，外延层10发出蓝光，由于反射层40包覆在外延层10的侧面和底面
处，反射层40将外延层10射出的蓝光进行反射，以使外延层10所射出的蓝光集中由出光面101出射，有效地降低了蓝光泄露，以使更多的蓝光经过量子层50进行颜色转换，提高了颜色转换效果。因此，本实施例的技术方案能够解决相关技术中的蓝光led激发量子点时泄露蓝光，导致颜色转换效果较差的问题。外延层10发出蓝光与量子层50叠加进行颜色转换的方式，能够实现其他颜色的led，可有效降低红光led芯片的成本。
41.需要说明的是，上述的外延层10的顶面为出光面，实际使用时，当出光面沿竖直方向延伸时，顶面即为前面，底面即为后面。上述的量子层50优选为量子点膜，或者量子点与胶的混合物。量子层50用于将外延层发出的蓝色光转换为其他颜色的光。如量子层50为红色的量子层时，量子层50将外延层发出的蓝色光转换成红色光，如量子层50为绿色的量子层时，量子层50将外延层发出的蓝色光转换成绿色光。
42.在本实施例中，led芯片中不包括相关技术中的衬底，有效地降低了设计成本。
43.如图1所示，led芯片还包括围设在反射层40的侧壁外侧的吸光层60。吸光层60在吸收由外延层10泄露蓝光的同时，能够遮挡反射层40，进一步防止蓝光泄露，能够提高显示的对比度。
44.如图1所示，量子层的外侧面51平齐于或者凸出于吸光层的外侧面61。这样，量子层50完全覆盖出光面101，量子层50能够与由出光面101出射的所有蓝光充分转换，大大提高了颜色转换效果。
45.如图1所示，反射层40包括包覆在外延层10的侧面和底面处的内反射层41以及包覆在内反射层41外侧的外反射层42，内反射层41为布拉格反射镜，外反射层42为油墨。这样，内反射层41用于反射外延层的侧壁出射的蓝光。外反射层42的反射率大于85％以上，用于反射从内反射层41中泄露的蓝光。油墨优选为白色反射油墨。白色反射油墨能够有效地遮蔽布拉格反射镜的泄漏的蓝光，能够进一步降低了蓝光的泄露，提高转换光的色纯度。
46.如图1所示，led芯片还包括包覆在量子层50和吸光层60外侧的透明保护层70。透明保护层70对量子层50的侧壁形成保护，阻隔水汽对量子层50及外延层10的侵入，避免水汽侵入导致边缘的量子层50的量子点失效，并且延长了led芯片的使用寿命。吸光层60优选为黑色油墨或胶体，用于吸收从外反射层42泄露的蓝光。透明保护层70优选为sio2或者sin或者派瑞林等气密性较好的膜层。
47.如图1所示，外延层10包括由顶面至底面依次设置的第一氮化镓层12、量子阱13以及第二氮化镓层14。这样，第一电极21和第二电极22通电后，外延层10可发出主波长440nm～475nm的蓝色光。第二氮化镓层14上设置有第一安装孔111，量子阱13上设置有与第一安装孔111对应的第二安装孔112，第一电极21与第二氮化镓层14导通连接，部分第二电极22穿设在第一安装孔111和第二安装孔112内并与第一氮化镓层12导通连接。第一电极为led的正电极，第二电极22为led的负电极，第一电极与第二氮化镓层14导通以形成电连接。部分第二电极22穿设在第一安装孔111和第二安装孔112内使第二电极与第一氮化镓层12形成电连接。
48.当然，在图中未示出的实施例中，第一电极可以为led的负电极，第二电极可以为led的正电极。
49.led芯片还包括绝缘层30。绝缘层30包括设置在外延层10的底面和反射层40之间的第一绝缘部以及设置在外延层10和第二电极22之间的第二绝缘部。第一绝缘部隔离第一
电极21的侧面与反射层40，第二电极22通过第二绝缘部与第一安装孔111的孔侧壁和第二安装孔112的孔侧壁隔离。
50.led芯片还包括位于第一电极21和第二氮化镓层14之间的导流层80。导流层80的设置便于将第一电极21的电流直接引导至第二氮化镓层14上。导流层80优选为导电玻璃、银纳米线、石墨烯能透明高导电材料。
51.导流层80位于第二绝缘部的侧部。这样，通过第二绝缘部能够隔离导流层80的第二电极22。
52.本技术还提供了一种led显示装置，本实施例的led显示装置包括基板和固定于基板的多个显示单元，每个显示单元包括多个led芯片，led芯片为上述的led芯片。由于上述的led芯片能够解决相关技术中的蓝光led激发量子点时泄露蓝光，导致颜色转换效果较差的问题，使得具有该led芯片的led显示装置能够解决同样的技术问题。上述的显示单元为像素体。
53.本技术还提供了一种led芯片的加工方法，用于加工上述的led芯片。如图2至图16所示，本实施例的led芯片加工方法包括以下步骤：步骤s10，将外延层10布置在衬底1上，并得到与外延层10连接的第一电极21和第二电极22；步骤s20，将反射层40包覆在外延层10的侧面和底面处并避让第一电极21和第二电极22；步骤s30，去除衬底1；步骤s40，去除衬底1后，在外延层10的出光面101上形成量子层50。这样，第一电极21和第二电极22通电后，外延层10发出蓝光，由于反射层40包覆在外延层10的侧面和底面处，反射层40将外延层10射出的蓝光进行反射，以使外延层10所射出的蓝光集中由出光面101出射，有效地降低了蓝光泄露，以使更多的蓝光经过量子层50进行颜色转换，提高了颜色转换效果。因此，本实施例的技术方案能够解决相关技术中的蓝光led激发量子点时泄露蓝光，导致颜色转换效果较差的问题。
54.如图2、图10至图12所示，在将反射层40包覆在外延层10的侧面和底面处并避让第一电极21和第二电极22的步骤和去除衬底1的步骤之间，加工方法还包括：在反射层40的侧面外形成吸光层60。吸光层60在吸收由外延层10泄露蓝光的同时，能够遮挡反射层40，进一步防止蓝光泄露。
55.如图2、图12至图15所示，去除衬底1后，在外延层10的出光面101上形成量子层50的步骤包括：去除衬底1后，将第一电极21和第二电极22朝下放置在临时衬底2上，以在外延层10的出光面101上形成量子层50。临时衬底2能够作为第一电极21和第二电极22放置的载体，支撑第一电极21、第二电极22及外延层10，便于在出光面101上形成量子层50，临时衬底2可以是柔性膜、也可以是刚性材质。
56.如图2、图15和图16所示，在外延层10的出光面101上形成量子层50的步骤之后，加工方法还包括：将透明保护层70包覆在量子层50和吸光层60的外侧。透明保护层70对量子层50的侧壁形成保护，阻隔水汽对量子层50及外延层10的侵入，延长了led芯片的使用寿命。
57.如图2至图16所示，上述的led芯片的加工方法具体步骤如下：
58.(1)采用包括第一氮化镓层12、量子阱13以及第二氮化镓层14的外延层10，将外延层10放置在衬底1上，衬底1选用al2o3(三氧化二铝)；第一氮化镓层12、量子阱13以及第二氮化镓层14由外延层10的顶面至底面依次设置；
59.(2)采用光刻刻蚀工艺对外延层10进行部分刻蚀，形成安装孔11，以暴露出多个第一氮化镓层12的部分区域，其中，led芯片的第一安装孔111和第二安装孔112共同形成安装孔11；
60.(3)采用蒸镀或溅射工艺，在第二氮化镓层14的部分区域覆盖导流层80；
61.(4)采用蒸镀、电镀或溅射工艺，导流层80上形成第一电极21；
62.(5)采用蒸镀或溅射工艺，在安装孔11的孔侧壁和第二氮化镓层14的另一部分区域覆盖绝缘层30；
63.(6)采用采用蒸镀、电镀或溅射工艺，在带有绝缘层30的安装孔11内穿入部分第二电极22，部分第二电极22与第一氮化镓层12直接接触进行电连接，另一部分第二电极22位于绝缘层30外；
64.(7)采用光刻刻蚀工艺，对外延层10进行刻蚀，以暴露衬底1的部分表面，并使第一氮化镓层12的侧表面平齐于第二氮化镓层14的侧表面；
65.(8)采用蒸镀或溅射工艺，在外延层10的外侧面及暴露的绝缘层30上覆盖内反射层41；
66.(9)采用膜圧或注胶等工艺，在内反射层41外覆盖外反射层42，外反射层42可为白色反光油墨；
67.(10)采用膜压或注胶等工艺，在外反射层42的外侧面填充吸光层60；
68.(11)以一临时衬底2作为支撑；将第一电极21和第二电极22朝下放置在临时衬底2上，以激光剥离工艺去除衬底1，暴露出第一氮化镓层12的完整的远离绝缘层30的表面，该表面为外延层10的顶面，即出光面101；
69.(12)取量子点膜的量子层50，采用透明耐热粘合胶将量子层50贴合于第一氮化镓层12的表面上；或者将量子点与胶的混合物的量子层50，通过点胶、molding、灌胶等方式覆盖于第一氮化镓层12的表面上，其中，上述的量子点为量子点粉末，胶为环氧或硅胶；
70.(13)切割整个外延层10，以形成独立的三个未覆盖透明保护层70的led芯片；
71.(14)采用溅射、蒸镀、真空镀膜等工艺，将透明保护层70包裹在第一氮化镓层12的表面、吸光层60以及部分外反射层42外，且透明保护层70避让第一电极21和第二电极22，以得到led芯片。
72.在本发明的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
73.为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并
且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
74.此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。
75.以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种led芯片，其特征在于，包括：外延层(10)，所述外延层(10)的顶面形成出光面(101)；第一电极(21)和第二电极(22)，所述第一电极(21)和所述第二电极(22)间隔设置在所述外延层(10)的底面处，所述第一电极(21)和所述第二电极(22)均与所述外延层(10)导通连接；反射层(40)，包覆在所述外延层(10)的侧面和底面处，并避让所述第一电极(21)和所述第二电极(22)；量子层(50)，设置在所述外延层(10)的出光面(101)处。2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述led芯片还包括围设在所述反射层(40)的侧壁外侧的吸光层(60)。3.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述量子层的外侧面(51)平齐于或者凸出于所述吸光层的外侧面(61)。4.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述反射层(40)包括包覆在所述外延层(10)的侧面和底面处的内反射层(41)以及包覆在所述内反射层(41)外侧的外反射层(42)，所述内反射层(41)为布拉格反射镜，所述外反射层(42)为油墨。5.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述led芯片还包括包覆在所述量子层(50)和所述吸光层(60)外侧的透明保护层(70)。6.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述外延层(10)包括由顶面至底面依次设置的第一氮化镓层(12)、量子阱(13)以及第二氮化镓层(14)，所述第二氮化镓层(14)上设置有第一安装孔(111)，所述量子阱(13)上设置有与所述第一安装孔(111)对应的第二安装孔(112)，所述第一电极(21)与所述第二氮化镓层(14)导通连接，部分所述第二电极(22)穿设在所述第一安装孔(111)和所述第二安装孔(112)内并与所述第一氮化镓层(12)导通连接；所述led芯片还包括绝缘层(30)，所述绝缘层(30)包括设置在所述外延层(10)的底面和所述反射层(40)之间的第一绝缘部以及设置在外延层(10)和所述第二电极(22)之间的第二绝缘部；所述led芯片还包括位于所述第一电极(21)和所述第二氮化镓层(14)之间的导流层(80)；所述导流层(80)位于所述第二绝缘部的侧部。7.一种led显示装置，包括基板和固定于所述基板的多个显示单元，每个所述显示单元包括多个led芯片，其特征在于，所述led芯片为权利要求1至6中任一项所述的led芯片。8.一种led芯片的加工方法，其特征在于，用于加工权利要求1至6中任一项所述的led芯片，所述加工方法包括以下步骤：将外延层(10)布置在衬底(1)上，并得到与所述外延层(10)连接的第一电极(21)和第二电极(22)；将反射层(40)包覆在所述外延层(10)的侧面和底面处并避让所述第一电极(21)和所述第二电极(22)；去除所述衬底(1)；去除所述衬底(1)后，在所述外延层(10)的出光面(101)上形成量子层(50)。9.根据权利要求8所述的led芯片的加工方法，其特征在于，在将所述反射层(40)包覆
在所述外延层(10)的侧面和底面处并避让第一电极(21)和第二电极(22)的步骤和去除所述衬底(1)的步骤之间，所述加工方法还包括：在所述反射层(40)的侧面外形成吸光层(60)。10.根据权利要求8所述的加工方法，其特征在于，去除所述衬底(1)后，在所述外延层(10)的出光面(101)上形成所述量子层(50)的步骤包括：去除所述衬底(1)后，将第一电极(21)和第二电极(22)朝下放置在临时衬底(2)上，以在所述外延层(10)的出光面(101)上形成所述量子层(50)。11.根据权利要求9所述的加工方法，其特征在于，在所述外延层(10)的出光面(101)上形成所述量子层(50)的步骤之后，所述加工方法还包括：将透明保护层(70)包覆在所述量子层(50)和所述吸光层(60)的外侧。

技术总结
本发明提供了一种LED芯片、LED显示装置及LED芯片的加工方法，其中，LED芯片，包括：外延层，外延层的顶面形成出光面；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极间隔设置在外延层的底面处，第一电极和第二电极均与外延层导通连接；反射层，包覆在外延层的侧面和底面处，并避让第一电极和第二电极；量子层，设置在外延层的出光面处。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的蓝光LED激发量子点时泄露蓝光，导致颜色转换效果较差的问题。致颜色转换效果较差的问题。致颜色转换效果较差的问题。


技术研发人员：卢长军 马莉
受保护的技术使用者：利亚德光电股份有限公司
技术研发日：2021.12.31
技术公布日：2022/3/8