电子设备及用于电子设备的方法与流程

1.本公开的实施例涉及电子设备中的毫米波辐射的波束整形和用于波束整形的方法。


背景技术：

2.毫米波电路装置(例如，雷达电路)在电子设备中发挥着重要作用，例如用于手势感测/检测或移动检测目的。
3.例如，雷达电路装置在智能电话或平板电脑中实现以用于手势感测和其他用例。在具有“无边框(bezel less)”触摸显示器的智能电话中，雷达电路装置只能放置在触摸显示器的触敏金属层后面。由于其电气特性，金属层可能会阻挡雷达电路装置的雷达信号。因此，雷达信号的辐射图可能不足以例如用于环境、对象、移动和/或手势感测。


技术实现要素：

4.因此，可能需要在电子设备中对毫米波信号进行波束整形。
5.该需求可以通过所附权利要求的主题来满足。
6.一些示例涉及一种电子设备。该电子设备包括壳体和导电层。此外，该电子设备包括被配置为发射毫米波mmw信号的mmw电路装置。mmw电路装置布置在壳体中并且在导电层的第一侧上。壳体呈现出被配置为介电透镜以在壳体外部朝向导电层的与第一侧相对的第二侧至少部分折射mmw信号的至少一部分。
7.一些示例涉及一种用于呈现出壳体和导电层的电子设备的方法。该方法包括使用布置在壳体中并且在导电层的第一侧上的mmw电路装置发射mmw信号。此外，该方法包括使用壳体的、被配置为介电透镜的一部分在壳体外部朝向导电层的、与第一侧相对的第二侧折射mmw信号的至少一部分。
附图说明
8.以下将仅通过示例并且参考附图来描述装置和/或方法的一些示例，在附图中
9.图1示意性地示出了配备有毫米波电路装置的电子设备的第一示例的横截面；
10.图2a和2b示出了电子设备的第二示例的截面图和斜视图；
11.图3a、3b、3c和3d示出了具有不同半径的介电透镜的各种示例；
12.图4a和4b从俯视图和侧视图示出了各种示例性辐射图；
13.图5a、5b、5c和5d从俯视图和侧视图示出了各种其他辐射图；以及
14.图6示出了用于电子设备的方法。
具体实施方式
15.现在参考附图更详细地描述一些示例。然而，其他可能示例不限于详细描述的这些实施例的特征。其他示例可以包括这些特征的修改以及这些特征的等同物和替代物。此
外，本文中用于描述某些示例的术语不应当限制其他可能示例。
16.贯穿附图的描述，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元素和/或特征，它们可以相同或以修改形式实现，同时提供相同或相似功能。图中的线条、层和/或区域的厚度也可能被夸大以进行澄清。
17.当两个元素a和b使用“或”组合时，这应当理解为公开了所有可能组合，即，只有a、只有b、以及a和b，除非在个别情况下另有明确定义。作为相同组合的替代措辞，可以使用“a和b中的至少一个”或“a和/或b”。这同样适用于两个以上元素的组合。
18.如果使用诸如“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”等单数形式，并且没有明确或隐含地将仅使用单个元素定义为强制性，则其他示例也可以使用多个元素来实现相同功能。如果一个功能在下面被描述为使用多个元素来实现，则其他示例可以使用单个元素或单个处理实体来实现相同功能。应当进一步理解，术语“包括(include)”、“包括(including)”、“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”在使用时描述特定特征、整体、步骤、操作、过程、元素、组件和/或其一组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、过程、元素、组件和/或其一组的存在或添加。
19.图1示意性地示出了电子设备100的横截面。电子设备100包括壳体110、导电层120、和被配置为发射毫米波mmw信号132的mmw电路装置130。在本公开的上下文中，mmw电路装置130具体可以是指包括信号生成/处理电路装置以及用于发射mmw信号132的一个或多个天线的mmw设备。mmw电路装置130被布置在壳体110中并且在导电层120的第一侧101上。壳体110呈现出一部分，该部分被配置为介电透镜112，以在壳体110外部朝向导电层120的、与第一侧101相对的第二侧102至少部分折射mmw信号132。换言之，壳体的至少一部分形成介电透镜112，介电透镜112的存在使得mmw信号132的辐射图在导电层120的第二侧被增强。在图1中，例如，导电层120右侧的(半个)空间被理解为第一侧101，并且左侧的(半个)空间被理解为第二侧102。
20.mmw电路装置130例如包括用于生成mmw信号132的信号生成电路装置(未示出)和用于发射mmw信号132的传输电路装置或传输天线(未示出)。在本公开的上下文中，mmw信号132被理解为电磁信号。特别地，mmw信号132可以具有例如可以用于雷达感测的在30ghz至300ghz之间的频率。因此，mmw电路装置130可以被配置为雷达电路装置，例如用于使用mmw信号132表征电子设备100的环境。
21.例如，导电层120是触摸屏、壳体110或电子设备100的另一部件的一部分。在图1的示例中，导电层120附接到壳体110。在其他示例中，导电层120可以在电子设备100中不同地布置。由于其电气特性，导电层120可以阻挡朝向第二侧102发射的mmw信号132的至少一部分。
22.在图1的示例中，壳体110呈现出形成介电透镜112的一部分。在图1的示例中，壳体110呈现出一个介电透镜。特别地，介电透镜112由壳体110的边缘部分的全部或部分形成。边缘部分例如是壳体110的框架的一部分。例如，介电透镜112在框架的长度(例如，一个边的长度)的一部分之上延伸。在其他示例中，壳体还可以呈现出多个介电透镜，例如，以增加朝向第二侧102被折射的mmw信号132的部分。
23.介电透镜112可以至少部分由对mmw信号132透明的介电/电绝缘材料组成。介电材料例如是塑料。应当注意，其他介电/电绝缘材料也可以构成介电透镜112。可选地，壳体110
的一种介电材料或各种不同介电材料的组合物可以构成介电透镜112。例如，不同介电材料的多个堆叠层可以形成介电透镜112。此外，介电材料112透镜可以在介电材料和/或相邻材料或介质(例如，空气)之间呈现出一个或多个相变以在相变处折射mmw信号132。这特别地允许对mmw信号132进行波束整形，以修改mmw信号132的辐射图。在这点上，介电透镜112例如被配置为将撞击介电透镜112的mmw信号132至少部分地朝向第二侧102折射。这允许介电透镜112例如将“围绕”导电层120的mmw信号132朝向第二侧102折射。以这种方式，可以修改或增强mmw信号132的辐射图以向第二侧102提供增加和/或足够量的mmw信号132，例如用于物体或手势感测。
24.本领域技术人员将理解，通过介电透镜112在相反方向上传播(精确地)的辐射束可以遵循相同的路径。因此，介电透镜112还可以被配置为将mmw信号132的反射从第二侧102至少部分地朝向mmw电路装置130折射。mmw电路装置130还可以被配置为接收反射。mmw电路装置130例如包括被配置为接收反射的一个或多个接收天线(未示出)。反射可以指示导电层120的第二侧102的物体的位置和/或速度。因此，mmw信号132的反射可以使得能够基于这些反射来检测第二侧102的物体、移动和/或手势。为此，电子设备100还可以包括数据处理电路装置(未示出)，数据处理电路装置被配置为使用反射来检测用户在导电层的第二侧的移动。数据处理电路装置例如可以比较mmw信号132和反射，以确定与mmw信号132相比的反射的飞行时间和/或频移，并且根据飞行时间和/或频移确定用户的移动。
25.电子设备100例如是移动设备、家用电子设备或娱乐电子设备。特别地，电子设备100可以是电话、平板电脑、电视(tv)等。
26.图2a和2b示出了另一电子设备200的截面图和斜视图。与电子设备100相比，电子设备200还包括触摸屏140，该触摸屏140包括显示器142。在电子设备200中，导电层120形成用于感测触摸的触摸屏140的一部分。特别地，导电层120可以是显示器142的金属涂层。导电层120例如用于在用户触摸显示器142时生成电场并且感测电场的干扰。这允许基于电场的干扰来感测用户在显示器142上的触摸。显示器142例如布置在导电层120的第二侧102上。注意，触摸屏可以呈现出不同架构，例如其中导电层120和/或显示器142被不同的布置和/或形成。
27.从图2a可以看出，介电透镜112可以形成在壳体110的外部部分(例如，框架119)中。框架119例如围绕导电层120的外边缘122。换言之，导电层120被框在壳体110中。此外，壳体110可以附接到显示器142，例如，以朝向第二侧102关闭壳体。在其他示例中，(整个)触摸屏被框在壳体110中，以将触摸屏牢固地固定在电子设备200中。
28.从图2a可以看出，介电透镜112部分地被布置在导电层120的第一侧101上，以便与由在第一侧101上的mmw电路装置130发射的mmw信号132的至少一部分相交。在一些示例中，介电透镜完全布置在第一侧101上。此外，介电透镜112至少部分在导电层120的边缘122之上突出以折射导电层120周围的mmw信号132。在电子设备200中，例如，整个介电透镜112在边缘122之上突出。然而，在其他示例中，介电透镜112的仅一部分(例如，形成介电透镜112的外部相变的外部折射表面)部分地在边缘122之上突出。
29.本领域技术人员将理解，介电透镜112的特性(例如，透镜类型、折射率、透明度、材料成分)、介电透镜112和mmw电路装置130相对于彼此和导电层120的定位(例如，位置或取向)、以及mmw电路装置130的发射特性对mmw信号132的辐射图具有影响。在本公开的上下文
中，发射特性可以被理解为mmw电路装置130的独立应用的“未修改的”辐射图。应当注意，所提出的架构的各种示例可以呈现出具有不同特性的不同透镜、介电透镜112和mmw电路装置130的不同定位、和/或具有不同发射特性的不同mmw电路装置130。
30.下面示例性地描述一些不同架构。
31.介电透镜112可以呈现出各种不同透镜类型。示例性透镜类型是简单透镜(诸如凸透镜或凹透镜)、以及包括简单透镜的组合的复合透镜。在电子设备200中，介电透镜112可以是简单透镜。介电透镜122例如被配置为凸透镜。凸透镜的示例是在该凸透镜的相对侧具有平坦面以及凸表面的平凸透镜、或在该凸透镜的相对侧具有相对形成的凸表面的双凸透镜。在电子设备200中，例如，介电透镜112被配置为具有平坦面114以及与平坦面114相对的凸表面116的平凸透镜。平坦面114朝向壳体110的内侧，而凸表面116朝向外部。因此，凸表面116可以理解为折射外表面。
32.应当注意，介电透镜112可以替代地呈现出另一种透镜类型，例如，以提供不同辐射图。介电透镜112例如可以是包括例如呈现出不同或相同介电材料的凸透镜和凹透镜的组合的双凸透镜或复合透镜。
33.此外，介电透镜112和mmw电路装置130的定位可能对辐射图有影响。在示例性定位中，mmw电路装置130可以远离介电透镜112放置，如图1所示，或者可以邻接介电透镜112而被附接，如图2a所示。本领域技术人员应当理解，mmw电路装置130放置得越靠近介电透镜112，撞击介电透镜112的mmw信号132的部分可能越大，因此，mmw信号132朝向第二侧102折射的部分可能越大。因此，mmw信号132的增加部分可以朝向第二侧102被折射，并且mmw电路装置132放置得越靠近介电透镜112。特别地，这可以实现对环境、物体、移动和/或手势的更精确和更可靠的感测。在电子设备200中，相对于例如如图1所示的其他架构，mmw电路装置130例如附接到(邻近)平坦面114，以增加朝向第二侧102被折射的mmw信号132的部分。
34.为了将发射电路装置130附接到介电透镜118，例如，可以使用粘合剂118。粘合剂118对于mmw信号132可以是至少部分透射的，以引导mmw信号132通过粘合剂118。本领域技术人员知道，粘合剂对mmw信号132的渗透性越高，mmw信号132撞击介电透镜112的强度可能越大，并且第二侧102的mmw信号132可能更强。备选地，可以使用其他方式(例如，夹子或螺钉连接)将mmw电路装置130附接到介电透镜112。mmw电路装置130也可以是平面的。因此，将mmw电路装置130附接到平坦面114比附接到曲面(例如，双凸透镜的曲面)在技术上更容易。
35.应当注意，mmw电路装置130还可以相对于介电透镜112呈现出不同横向位移或取向，以例如在一些应用中实现不同辐射图。
36.此外，介电透镜112可以呈现出不同取向(相对于mmw电路装置130)。特别地，该取向可以由介电透镜112的光轴的取向来表示。光轴例如被理解为介电透镜112的对称轴。在电子设备200中，平凸介电透镜112被布置为使得平坦表面114垂直于导电层120。因此，介电透镜112的光轴可以平行于导电层120。从图2a可以看出，介电透镜112的以上提出的取向可以特别地允许介电透镜112的更节省空间的实现，就好像介电透镜112相对于导电层120不同地倾斜。
37.辐射图还可以取决于介电透镜112的形状。在电子设备200中，辐射图可以特别地取决于凸表面116的半径或曲率。外部折射面/凸表面116例如呈现出在3mm至7mm之间的半径。具有这种半径的介电透镜可以在现有智能电话或平板电脑壳体的框架中轻松实现。注
意，在其他示例中，外部折射表面还可以呈现出小于3mm或大于7mm的另一半径。本领域技术人员将理解，对于其他透镜类型(例如，双凸透镜)，介电透镜112也可以呈现出不同形状。通常，介电透镜112也可以呈现出不同形状，例如椭圆形或不对称形状。
38.图3a、图3b、图3c和图3d各自示出了电子设备200的横截面，而图3a、图3b、图3c和图3d中的介电透镜112呈现出不同半径。
39.在图3a的示例中，介电透镜112的凸表面116呈现出3.3mm的半径。在图3b中，凸表面116呈现出4.3mm的半径。从图3c可以看出，凸表面116也可以呈现出5.3mm的半径。在图3d的示例中，介电透镜112的凸表面116呈现出6.3mm的半径。本领域技术人员将理解，对于介电透镜112的不同半径，mmw信号132的辐射图可以不同，如参考图4a和4b更详细地示出的。
40.图4a和4b从俯视图和侧视图示出了对于介电透镜的不同半径的mmw信号132的各种示例性辐射图134-1、134-2、134-3和134-4。
41.图4a示出了极坐标图400a，而极坐标图400a的角度表示在mmw电路装置130的竖直平面中相对于导电层120的垂线的辐射角，并且距极坐标图400a的原点的距离表示相应辐射角中的mmw信号132的强度。原点例如是mmw电路装置130上的点。
42.辐射图134-1、134-2、134-3及134-4例如与介电透镜112的凸表面116的不同半径有关。例如，辐射图134-1与3.3mm的半径有关，辐射图134-2与4.3mm的半径有关，辐射图134-3与5.3mm的半径有关，辐射图134-4与6.3mm的半径有关。
43.在图400a中，-90
°
至90
°
的角之间的辐射图的一部分指示第二侧的mmw信号132的量，而大于90
°
或小于-90
°
的角的辐射图的另一部分指示导电层120的第一侧的mmw信号132的量。
44.从极坐标图400a可以看出，对于不同辐射角，不同辐射图134-1、134-2、134-3和134-4可以相对于彼此呈现出不同强度。例如，辐射图134-1在竖直平面中在0
°
的辐射角处在辐射图134-1、134-2、134-3和134-4中呈现出最高强度。因此，凸表面116的3.3mm的半径可能优于较大半径4.3mm、5.3mm和6.3mm以使用前述半径之一在0
°
的辐射角处提供最大强度。根据不同应用中对辐射图的要求，可以使用上述半径之一。备选地，可以使用不同半径。
45.图4b在mmw电路装置130的水平平面中从俯视图示出了凸表面116的不同半径的辐射图134-1、134-2、134-3和134-4。特别地，辐射图134-1、134-2、134-3和134-4绘制在极坐标图400b中，而极坐标图400b的角度表示相对于导电层120的垂线的辐射角。距极坐标图400a的原点的距离表示相应辐射角中的mmw信号132的强度。
46.再次，-90
°
至90
°
的角之间的辐射图的一部分指示第二侧的mmw信号132的量，而大于90
°
或小于-90
°
的角的辐射图的另一部分指示导电层120的第一侧的mmw信号132的量。
47.同样，不同辐射图134-1、134-2、134-3和134-4至少部分地彼此不同。例如，辐射图134-1在水平面中在0
°
的辐射角处，在辐射图134-1、134-2、134-3和134-4中呈现出最高强度。因此，在一些应用中，辐射图134-1可能优于辐射图134-2、134-3和134-4。在其他应用中，不同辐射图和因此不同半径可能是优选的。
48.mmw信号132的辐射图还可以取决于mmw电路装置130的发射特性。发射特性尤其可以取决于在mmw电路装置130中用于发射mmw信号132的天线(例如，天线类型)。在图4a和4b的示例中，例如，mmw电路装置130包括用于发射mmw信号132的缝隙天线。注意，在其他示例中也可以使用其他天线类型。例如，mmw电路装置130可以包括用于发射mmw信号132的八木
(yagi)天线。
49.图5a和图5b示出了由八木天线发射的mmw信号132的各种示例性辐射图136-1、136-2、136-3和136-4。同样，辐射图136-1、136-2、136-3和136-4涉及介电透镜112的不同半径。例如，图5a示出了在与极坐标图400a等效的极坐标图500a中绘制的辐射图136-1、136-2、136-3和136-4，图5b示出了在与极坐标图400b等效的极坐标图500b中绘制的辐射图136-1、136-2、136-3和136-4。此外，辐射图136-1、136-2、136-3和136-4因凸表面116的半径不同而彼此不同。此外，辐射图136-1、136-2、136-3和134-4至少部分不同于辐射图134-1、134-2、134-3和134-4。在不同示例中，mmw电路装置130因此可以包括不同天线，和/或介电透镜112可以呈现出不同半径。
50.如前所述，介电透镜112可以增强辐射图，例如，以在第二侧102上提供足够强度的mmw信号132以用于感测环境、物体、移动和/或手势。这可以参考图5a和图5c之间以及图5b和5d之间的比较来示例性地示出。
51.图5c和图5d分别在与极坐标图500a和500b等效的极坐标图500c和500d中示出了电子设备500在竖直平面和水平平面中的辐射图136-5。出于可比性的原因，电子设备500还可以呈现出类似的触摸屏140和类似的mmw电路装置130。mmw电路装置130还可以包括用于发射mmw信号132的八木天线。与电子设备200相比，电子设备500不呈现出(电介质)透镜。
52.从图5a和图5c的比较可以看出，例如，辐射图136-1、136-2、136-3和136-4不同于辐射图136-5。特别地，与辐射图136-5相比，辐射图136-1、136-2、136-3和136-4可以至少部分在第二侧102上呈现出mmw信号132的更高强度。例如，与辐射图136-5相比，辐射图136-2在竖直平面中在-25
°
的辐射角处具有更高强度。类似地，从图5b和5d的比较中可以看出，与辐射图136-5相比，在水平面中在5
°
的辐射角处，辐射图136-2具有更高强度。因此，与辐射图136-5相比，辐射图136-1、136-2、136-3和136-4可以至少在一些辐射角度处实现环境、物体、移动和/或手势感测的更高准确性和/或可靠性。特别地，由介电透镜112实现的辐射图136-1、136-2、136-3和136-4可以在第二侧102上更可靠和/或精确地感测物体、环境、移动和/或手势。
53.本领域技术人员将理解，以上提出的架构还可以使用另一透镜类型(例如，双凸透镜或复合透镜)、介电透镜112的其他形状、介电透镜112的其他(透射、电介质)材料、介电透镜112的另一半径、不同天线(例如，缝隙天线)和/或介电透镜112、mmw电路装置130和/或导电层120相对于彼此的不同位置来实现对环境、物体、移动和/或姿势的更可靠和/或更精确的感测。
54.图6中示出了用于呈现出壳体和导电层的电子设备100和/或200的等效方法600的流程图。
55.方法600包括使用布置在壳体中并且在导电层的第一侧上的mmw电路装置发射610mmw信号。此外，方法600包括使用壳体的、被配置为介电透镜的一部分在壳体外部朝向导电层的、与第一侧相对的第二侧折射620mmw信号的至少一部分。
56.如上所述，导电层可以至少部分地由于其电气特性而阻挡mmw信号。介电透镜例如形成在壳体的外部部分中，介电透镜可以至少部分布置在第一侧上并且在导电层的外边缘之上突出以折射导电层周围的mmw信号。详情可以参考以上对电子设备100及200的描述。
57.本文中描述的示例可以概括如下：
58.一些示例涉及一种电子设备。该电子设备包括壳体、导电层以及毫米波mmw电路装置。mmw电路装置被配置为发射mmw信号。mmw电路装置被布置在壳体中并且在导电层的第一侧上。壳体呈现出至少一部分，所述至少一部分被配置为介电透镜，以在壳体外部朝向导电层的、与第一侧相对的第二侧至少部分地折射mmw信号。
59.根据一些示例，介电透镜被配置为将mmw信号的反射从第二侧至少部分地朝向mmw电路装置折射。此外，mmw电路装置还可以被配置为接收反射。
60.在一些示例中，电子设备还包括数据处理电路装置，数据处理电路装置被配置为使用反射来检测用户在导电层的第二侧上的移动。
61.根据一些示例，介电透镜由壳体的边缘部分的全部或部分形成。
62.在一些示例中，介电透镜被至少部分地布置在导电层的第一侧上，并且至少部分在导电层的边缘之上突出。
63.根据一些示例，mmw电路装置被附接到介电透镜。
64.在一些示例中，介电透镜是凸透镜。
65.根据一些示例，介电透镜是平凸透镜。此外，mmw电路装置可以被附接到平凸透镜的平坦面。
66.在一些示例中，介电透镜的光轴平行于导电层。
67.根据一些示例，介电透镜的折射外表面呈现出在3mm至7mm之间的半径。
68.在一些示例中，电子设备还包括触摸屏。此外，导电层可以形成用于感测触摸的触摸屏的一部分。
69.根据一些示例，触摸屏被框在壳体中。
70.在一些示例中，mmw信号具有在30ghz至300ghz之间的频率。
71.根据一些示例，mmw电路装置包括被配置为发射mmw信号的至少一个缝隙天线。
72.在一些示例中，mmw电路装置包括用于发射mmw信号的至少一个八木天线。
73.一些示例涉及一种用于电子设备的方法，其中电子设备呈现出壳体和导电层。该方法包括使用布置在壳体中并且在导电层的第一侧上的mmw电路装置来发射mmw信号。该方法还包括使用壳体的、被配置为介电透镜的一部分在壳体外部朝向导电层的、与第一侧相对的第二侧折射mmw信号的至少一部分。
74.关于先前示例中的特定示例描述的各方面和特征还可以与其他示例中的一个或多个示例组合以替换该其他示例的相同或相似特征，或者另外地将这些特征引入到其他示例中。
75.示例还可以是或涉及一种包括程序代码的(计算机)程序，该程序代码用于当该程序在计算机、处理器或其他可编程硬件组件上执行时执行上述方法中的一个或多个方法。因此，上述不同方法的步骤、操作或过程也可以由编程计算机、处理器或其他可编程硬件组件来执行。示例还可以涵盖程序存储设备，诸如数字数据存储介质，该程序存储设备是机器、处理器或计算机可读的，并且编码和/或包含机器可执行、处理器可执行或计算机可执行程序和指令。例如，程序存储设备可以包括或可以是数字存储设备、诸如磁盘和磁带等磁存储介质、硬盘驱动器、或光学可读数字数据存储介质。其他示例还可以包括被编程为执行上述方法的步骤的计算机、处理器、控制单元、(现场)可编程逻辑阵列((f)pla)、(现场)可编程门阵列((f)pga)、图形处理器单元(gpu)、专用集成电路(asic)、集成电路装置(ic)或
片上系统(soc)系统。
76.还应当理解，说明书或权利要求中公开的几个步骤、过程、操作或功能的公开不应当被解释为暗示这些操作必然依赖于所描述的顺序，除非在个别情况下明确说明或出于技术原因是所必需的。因此，前面的描述并没有将几个步骤或功能的执行限制为某个顺序。此外，在其他示例中，单个步骤、功能、过程或操作可以包括和/或分解为几个子步骤、功能、过程或操作。
77.如果已经关于设备或系统描述了某些方面，则这些方面也应当被理解为对应方法的描述。例如，设备或系统的块、设备或功能方面可以对应于对应方法的特征，诸如方法步骤。因此，关于方法描述的方面也应当被理解为对应设备或对应系统的对应块、对应元件、属性或功能特征的描述。
78.所附权利要求特此并入具体实施方式中，其中每项权利要求可以独立作为单独的示例。还应当注意，虽然在权利要求中从属权利要求指的是与一个或多个其他权利要求的特定组合，但是其他示例也可以包括从属权利要求与任何其他从属或独立权利要求的主题的组合。在此明确提出这种组合，除非在个别情况下说明不打算进行特定组合。此外，任何其他独立权利要求也应当包括权利要求的特征，即使该权利要求并未直接定义为从属于该其他独立权利要求。

技术特征：
1.一种电子设备(100，200)，包括：壳体(110)；导电层(120)；以及毫米波电路装置(130)，被配置为发射毫米波信号(132)，其中所述毫米波电路装置(130)被布置在所述壳体(110)中并且在所述导电层(120)的第一侧(101)上，以及其中所述壳体(110)呈现出至少一部分，所述至少一部分被配置为介电透镜(112)，以在所述壳体(110)外部朝向所述导电层(120)的、与所述第一侧(101)相对的第二侧(102)至少部分地折射所述毫米波信号(132)。2.根据权利要求1所述的电子设备(100，200)，其中所述介电透镜(112)被配置为将所述毫米波信号(132)的反射从所述第二侧(102)至少部分地朝向所述毫米波电路装置(130)折射，并且其中所述毫米波电路装置(130)还被配置为接收所述反射。3.根据权利要求1或2所述的电子设备(100，200)，还包括数据处理电路装置，所述数据处理电路装置被配置为使用所述反射来检测在所述导电层(120)的所述第二侧(102)上的用户的移动。4.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述介电透镜(112)由所述壳体(110)的边缘部分的全部或部分形成。5.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述介电透镜(112)被至少部分地布置在所述导电层(120)的所述第一侧(101)，并且至少部分地在所述导电层(120)的边缘之上突出。6.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述毫米波电路装置(130)被附接到所述介电透镜(112)。7.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述介电透镜(112)是凸透镜。8.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述介电透镜(112)是平凸透镜，并且其中所述毫米波电路装置(130)被附接到所述平凸透镜的平坦面。9.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述介电透镜(112)的光轴平行于所述导电层(120)。10.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述介电透镜(112)的折射外表面呈现出在3mm至7mm之间的半径。11.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，还包括用于感测触摸的触摸屏(140)，其中所述导电层(120)形成所述触摸屏(140)的一部分。12.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述毫米波信号(130)具有在30ghz至300ghz之间的频率。13.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述毫米波电路装置(130)包括被配置为发射所述毫米波信号(132)的至少一个缝隙天线。14.根据前述权利要求中任一项所述的电子设备(100，200)，其中所述毫米波电路装置(130)包括用于发射所述毫米波信号(132)的至少一个八木天线。15.一种用于电子设备的方法(600)，其中所述电子设备呈现出壳体和导电层，所述方法包括：
使用布置在所述壳体中并且在所述导电层的第一侧上的毫米波电路装置发射(610)毫米波信号；以及使用所述壳体的、被配置为介电透镜的一部分在所述壳体外部朝向所述导电层的、与所述第一侧相对的第二侧至少部分地折射(620)所述毫米波信号。

技术总结
本公开的各实施例涉及电子设备及用于电子设备的方法。提供了一种电子设备。该电子设备包括壳体和导电层。此外，该电子设备包括被配置为发射毫米波mmw信号的mmw电路装置。mmw电路装置布置在壳体中并且在导电层的第一侧上。壳体呈现出至少一部分，该至少一部分被配置为介电透镜，以在壳体外部朝向导电层的、与第一侧相对的第二侧至少部分地折射mmw信号。第一侧相对的第二侧至少部分地折射mmw信号。第一侧相对的第二侧至少部分地折射mmw信号。


技术研发人员：N
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2021.09.06
技术公布日：2022/3/8