一种芯片的载具结构的制作方法

1.本实用新型涉及一种芯片的载具结构，属于芯片载具技术领域。


背景技术：

2.在半导体封装工艺过程中，其芯片底部填充胶材及贴装散热片站点作业均有热制程。因载具多为碳素钢材质，在受热膨胀过程中往往有崩盘掉料问题，影响工艺进程；同时现有载具只适合某一型号的封装芯片，使用单一。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种适用多型号封装芯片且改善热制程工艺的芯片的载具结构。
4.本实用新型的技术方案如下：
5.本实用新型提供了一种芯片的载具结构，其包括载具本体和应力槽、应力孔ⅰ、应力孔ⅱ和应力孔ⅲ，所述载具本体呈长方形，
6.所述载具本体包括复数个载具单元，所述载具单元呈矩阵分布，其包括复合图形承载盆和应力圈ⅰ，所述复合图形承载盆由宽长方形、正方形、窄长方形的外形重合而成，所述宽长方形与窄长方形十字交叉，所述正方形的中心与所述长方形和窄长方形的十字交叉中心重合，形成阳角，所述应力圈ⅰ分布于所述复合图形承载盆的阳角的两侧；
7.所述应力槽设置于彼此相邻的所述载具单元的中间，所述应力孔ⅰ设置在所述载具本体的短边的所述复合图形承载盆的对角线的延长线交叉点上，所述应力孔ⅱ设置在所述载具本体的长边的所述复合图形承载盆的窄长方形的中心线上，所述应力孔ⅲ设置在所述载具本体的对角线的两端。
8.可选地，还包括方位标志切角，所述方位标志切角设置于所述载具本体的右上角和/或右下角，其取值范围α为30~60度。
9.可选地，所述方位标志切角为α=45度。
10.可选地，所述应力槽呈单列矩阵分布于所述载具单元的矩阵的列间隙的中间，其长度起始于第一行所述载具单元的宽长方形并纵向延伸至与最后一行所述载具单元的宽长方形。
11.可选地，所述应力槽的深度与所述复合图形承载盆的深度相同。
12.可选地，还包括应力圈ⅱ，所述应力圈ⅱ呈矩阵分布，且与所述应力槽叠加，分布于相邻所述载具单元之间的所述复合图形承载盆的正方形的对角线的延长线上。
13.可选地，所述应力圈ⅱ的深度与所述复合图形承载盆的深度相同。
14.可选地，所述宽长方形的长为l1、宽为h1，所述正方形的长为l2、宽为h2，所述窄长方形的长为l3、宽为h3，且所述窄长方形的长l3＞所述正方形的宽h2＞所述宽长方形的宽为h1，所述宽长方形的长l1＞所述正方形的长l2＞所述窄长方形的宽h3，所述宽长方形的长l1=所述窄长方形的长l3，所述宽长方形的宽h1＞所述窄长方形的宽h3，所述正方形的长
l2=所述正方形的宽h2。
15.有益效果
16.本实用新型一种芯片的载具结构设计复数个复合图形承载盆，以适用于多种型号的封装芯片，并在相邻复合图形承载盆之间进行开应力槽及应力圈设计，使载具在受热及加热膨胀过程中的形变减小，增大热应力的释放，改善载具在经过热胀冷缩后的崩盘现象，避免掉料。
附图说明
17.图1为本实用新型一种芯片的载具结构的实施例一的示意图；
18.图2为图1的复合图形承载盆的放大的示意图；
19.图3为本实用新型一种芯片的载具结构的实施例二的示意图；
20.图中：
21.载具本体1
22.应力槽51
23.应力孔ⅰ13
24.应力孔ⅱ15
25.应力孔ⅲ16
26.方位标志切角21
27.载具单元3
28.宽长方形31
29.正方形32
30.窄长方形33
31.应力圈ⅰ37
32.应力槽51
33.应力圈ⅱ53。
具体实施方式
34.下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。为了易于说明，可以使用空间相对术语(诸如“在
…
下方”、“之下”、“下部”、“在
…
上方”、“上部”等)以描述图中所示一个元件或部件与另一个元件或部件的关系。除图中所示的定向之外，空间相对术语还包括使用或操作中设备的不同定向。装置可以以其他方式定向旋转90度或处于其他定向，本文所使用的空间相对描述可因此进行类似的解释。
35.实施例一
36.如图1和图2所示，为本实用新型的实施例一的示意图及其局部放大示意图。
37.本实用新型一种芯片的载具结构，其包括载具本体1和应力槽51、应力孔ⅰ13、应力孔ⅱ15和应力孔ⅲ16。一般地，所述载具本体1呈长方形，其包括长边和短边。所述方位标志切角21设置于所述载具本体1的右上角和/或右下角，用于标志该载具的正确摆放位置。方位标志切角21的取值范围α为30~60度。优选的，所述方位标志切角21为α=45度，如图1所示。
38.所述载具本体1包括复数个载具单元3，所述载具单元3呈矩阵分布。所述载具单元
3包括复合图形承载盆和应力圈ⅰ，所述复合图形承载盆由宽长方形31、正方形32、窄长方形33的外形重合而成，所述宽长方形31与窄长方形33十字交叉，所述正方形32的中心与所述长方形31与窄长方形33十字交叉中心重合，形成阳角，所述应力圈ⅰ37分布于所述复合图形承载盆的阳角的两侧；所述宽长方形31的长为l1、宽为h1，所述正方形32的长为l2、宽为h2，所述窄长方形33的长为l3、宽为h3，且所述窄长方形33的长l3＞所述正方形32的宽h2＞所述宽长方形31的宽为h1，所述宽长方形31的长l1＞所述正方形32的长l2＞所述窄长方形33的宽h3，所述宽长方形31的长l1=所述窄长方形33的长l3，所述宽长方形31的宽h1＞所述窄长方形33的宽h3，所述正方形32的长l2=所述正方形32的宽h2。如图2所示。载具单元3的复合图形承载盆可以适用于多种型号的封装芯片。
39.所述应力槽51设置于彼此相邻的所述载具单元3的中间；所述应力槽51呈单列矩阵分布于所述载具单元3的矩阵的列间隙的中间，其长度起始于第一行所述载具单元3的宽长方形31并纵向延伸至与最后一行所述载具单元3的宽长方形31。所述应力槽51的深度与所述复合图形承载盆的深度相同。
40.所述应力孔ⅰ13设置在所述载具本体1的短边的所述复合图形承载盆的对角线的延长线交叉点上。所述应力孔ⅱ15设置在所述载具本体1的长边的所述复合图形承载盆的窄长方形33的中心线上。所述应力孔ⅲ16设置在所述载具本体1的对角线上。应力孔ⅰ13、应力孔ⅱ15和应力孔ⅲ16的设置均为释放该载具不同位置在受热膨胀过程中的热应力，改善了载具在经过热胀冷缩后的崩盘现象，避免掉料。
41.实施例二
42.如图3和图2所示，为本实用新型的实施例二的示意图及其局部放大示意图。
43.本实用新型一种芯片的载具结构，其包括载具本体1和应力槽51、应力孔ⅰ13、应力孔ⅱ15和应力孔ⅲ16。一般地，所述载具本体1呈长方形。所述方位标志切角21设置于所述载具本体1的右上角和/或右下角，其取值范围α为30~60度。优选的，所述方位标志切角21为α=45度，如图3所示。
44.所述载具本体1包括复数个载具单元3，所述载具单元3呈矩阵分布。所述载具单元3包括复合图形承载盆和应力圈，所述复合图形承载盆由宽长方形31、正方形32、窄长方形33的外形重合而成，所述宽长方形31与窄长方形33十字交叉，所述正方形32的中心与所述长方形31与窄长方形33十字交叉中心重合，形成阳角，所述应力圈ⅰ37分布于所述复合图形承载盆的阳角的两侧；所述宽长方形31的长为l1、宽为h1，所述正方形32的长为l2、宽为h2，所述窄长方形33的长为l3、宽为h3，且所述窄长方形33的长l3＞所述正方形32的宽h2＞所述宽长方形31的宽为h1，所述宽长方形31的长l1＞所述正方形32的长l2＞所述窄长方形33的宽h3，所述宽长方形31的长l1=所述窄长方形33的长l3，所述宽长方形31的宽h1＞所述窄长方形33的宽h3，所述正方形32的长l2=所述正方形32的宽h2，如图2所示。载具单元3的复合图形承载盆可以适用于多种型号的封装芯片。
45.所述应力槽51设置于彼此相邻的所述载具单元3的中间；所述应力槽51呈单列矩阵分布于所述载具单元3的矩阵的列间隙的中间。所述应力圈ⅱ53呈矩阵分布，且与所述应力槽51叠加，分布于相邻所述载具单元3之间的所述复合图形承载盆的正方形32的对角线的延长线上。
46.所述应力孔ⅰ13设置在所述载具本体1的短边的所述复合图形承载盆的对角线的
延长线交叉点上。所述应力孔ⅱ15设置在所述载具本体1的长边的所述复合图形承载盆的窄长方形33的中心线上。所述应力孔ⅲ16设置在所述载具本体1的对角线上。应力圈ⅱ53、应力孔ⅰ13、应力孔ⅱ15和应力孔ⅲ16的设置均为释放该载具不同位置在受热膨胀过程中的热应力，改善了载具在经过热胀冷缩后的崩盘现象，避免掉料。应力圈ⅱ53和应力槽51的深度与所述复合图形承载盆的深度相同。
47.以上所述的具体实施方式，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步地详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施方式而已，并不用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。