提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法与流程

1.本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法。


背景技术：

2.发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。
3.发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构，发光二极管外延片至少包括衬底与衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、ingan/gan多量子阱层与p型gan层，n型gan层提供的电子与p型gan层提供的空穴进入ingan/gan多量子阱层内复合发光。
4.由于非掺杂gan层前的底层结构的表面存在较多缺陷，且非掺杂gan层的生长温度本身也较高，在温度与缺陷的影响下，粘性大且高温更活跃的ga原子在非掺杂gan层生长初期更容易聚集，导致非掺杂gan层中存在较多的n空隙。这些n空隙在后续外延结构生长的过程中，会逐渐延伸至n型gan层以及ingan/gan多量子阱层中，一方面导致n型gan层以及ingan/gan多量子阱层中的缺陷增加，另一方面ingan/gan多量子阱层在生长过程中如果存在较大幅度的in原子析出，则ingan/gan多量子阱层内in原子会被ingan/gan多量子阱层内的n空隙捕获形成光子湮灭点，光子湮灭点内电子与空穴的复合为非辐射复合，发光二极管外延片的内量子效率因此降低。


技术实现要素：

5.本公开实施例提供了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，能够提高发光二极管外延片的晶体质量以提高发光二极管外延片的内量子效率。所述技术方案如下：
6.本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片，所述提高内量子效率的发光二极管外延片包括衬底与依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层、n型gan层、ingan/gan多量子阱层与p型gan层，
7.所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层包括inalgan过渡层、ingan过渡层与gan过渡层，所述gan过渡层掺杂有si。
8.可选地，所述gan过渡层中掺入si的浓度为1
×
10
18
cm-3
～1
×
10
19
cm-3
。
9.可选地，所述inalgan过渡层中in组分比例为10％～50％、al组分比例为3％～20％。
10.可选地，所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的厚度为30～70nm。
11.可选地，所述inalgan过渡层的厚度为1～3nm，所述ingan过渡层的生长厚度为2～3nm，所述gan过渡层的生长厚度为5～8nm。
12.可选地，所述ingan/gan多量子阱层包括多个交替层叠的ingan阱层与gan垒层，将
所述ingan/gan多量子阱层中最靠近所述p型gan层的所述ingan阱层与所述gan垒层分别划分为终点ingan阱层与终点gan垒层，且所述终点ingan阱层位于所述终点gan垒层与所述p型gan层之间，
13.所述终点ingan阱层与所述终点gan垒层中均掺有mg。
14.本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法，所述提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法包括：
15.提供一衬底；
16.在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂gan层、低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层、n型gan层、ingan/gan多量子阱层与p型gan层，
17.所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层包括inalgan过渡层、ingan过渡层与gan过渡层，所述gan过渡层掺杂有si。
18.可选地，所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长温度比所述非掺杂gan层的生长温度低300～400℃。
19.可选地，所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长转速为500～800rpm。
20.可选地，所述ingan/gan多量子阱层包括多个交替层叠的ingan阱层与gan垒层，将所述ingan/gan多量子阱层中最靠近所述p型gan层的所述ingan阱层与所述gan垒层分别划分为终点ingan阱层与终点gan垒层，且所述终点ingan阱层位于所述终点gan垒层与所述p型gan层之间，
21.所述终点ingan阱层与所述终点gan垒层的生长温度，低于所述ingan/gan多量子阱层中除所述终点ingan阱层与所述终点gan垒层之外的所述ingan阱层与所述gan垒层的生长温度。
22.本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
23.在非掺杂gan层与n型gan层之间增加低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层，一方面超晶格结构可以释放一定的应力，减小低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层在生长过程中由应力带来的缺陷，以提高超晶格优化层以及n型gan层的质量；另一方面低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层以较低的温度生长，n空隙在较低的温度下较难形成，减小低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层内部n空隙，另一方面低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层中所携带的in原子可以与延伸至低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层中的n空隙提前反应，减小n空隙延伸至多量子阱层中形成光子湮灭点的可能，以提高ingan/gan多量子阱层内的复合出光效率，提高发光二极管外延片的内量子效率。并且inalgan/ingan/gan超晶格优化层中gan过渡层掺杂有si，可以促进电子的增加与流动，配合inalgan过渡层的势垒，可以使得电子更均匀进入ingan/gan多量子阱层中，提高内量子效率的同时提高出光均匀度。
附图说明
24.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1是本公开实施例提供的一种提高内量子效率的发光二极管外延片的结构示意图；
26.图2是本公开实施例提供的另一种提高内量子效率的发光二极管外延片的结构示意图；
27.图3是本公开实施例提供的一种提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法流程图；
28.图4是本公开实施例提供的另一种提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法流程图。
具体实施方式
29.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
30.图1是本公开实施例提供的一种提高内量子效率的发光二极管外延片的结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片，提高内量子效率的发光二极管外延片包括衬底1与依次层叠在衬底1上的缓冲层2、非掺杂gan层3、低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4、n型gan层5、ingan/gan多量子阱层6与p型gan层7。
31.低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4包括inalgan过渡层41、ingan过渡层4342与gan过渡层43，gan过渡层43掺杂有si。
32.在非掺杂gan层3与n型gan层5之间增加低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4，一方面超晶格结构可以释放一定的应力，减小低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4在生长过程中由应力带来的缺陷，以提高超晶格优化层4以及n型gan层5的质量；另一方面低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4以较低的温度生长，n空隙在较低的温度下较难形成，减小低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4内部n空隙，另一方面低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4中所携带的in原子可以与延伸至低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4中的n空隙提前反应，减小n空隙延伸至多量子阱层6中形成光子湮灭点的可能，以提高ingan/gan多量子阱层6内的复合出光效率，提高发光二极管外延片的内量子效率。并且inalgan/ingan/gan超晶格优化层4中gan过渡层43掺杂有si，可以促进电子的增加与流动，配合inalgan过渡层41的势垒，可以使得电子更均匀进入ingan/gan多量子阱层6中，提高内量子效率的同时提高出光均匀度。
33.需要说明的是，ingan/gan多量子阱层6的内量子效率即为发光二极管外延片的内量子效率。
34.可选地，gan过渡层43中掺入si的浓度为1
×
10
18
cm-3
～1
×
10
19
cm-3
。
35.gan过渡层43中si的掺杂浓度在以上范围内，可以保证电子的均匀提供，且si的掺杂浓度非常低，远低于n型gan层5中si的掺杂浓度，因此gan过渡层43中电子的浓度也远低于n型gan层5中电子的浓度。在未通电情况下，部分电子可以从浓度较高的n型gan层5中进入低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4中，增加电子与ingan/gan多量子阱层6之间的距离，可以使得空穴有更多的迁移时间进入ingan/gan多量子阱层6内，提高ingan/gan多量子阱层6内的空穴浓度以提高ingan/gan多量子阱层6的内量子效率。
36.可选地，inalgan过渡层41中in组分比例为10％～50％、al组分比例为3％～20％。
37.inalgan过渡层41中in组分与al组分的比例分别在以上范围内，inalgan过渡层41具有足够的与n空隙反应的in原子，同时inalgan过渡层41也有一定的势垒可以起到横向扩展电子的作用，提高最终进入ingan/gan多量子阱层6中电子的均匀度，以提高ingan/gan多量子阱层6的发光均匀度。
38.可选地，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4的厚度为30～70nm。
39.低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4的厚度在以上范围，可以保证得到的inalgan/ingan/gan超晶格优化层4的晶体质量，可以有效提高得到的n型gan层5的质量也不会过度提高发光二极管外延片的制备成本。
40.示例性地，inalgan过渡层41的厚度为1～3nm，ingan过渡层的生长厚度为2～3nm，gan过渡层43的生长厚度为5～8nm。
41.低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4中各层的厚度分别在以上范围内，inalgan过渡层41可以对电子提供恰当的阻挡能力，ingan过渡层与gan过渡层43则分别可以有足够的空间与n空隙反应并提供电子足够的容纳空间。低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4本身释放应力的效果也较好，可以有效提高最终得到的发光二极管外延片的内量子效率。
42.可选地，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4的周期数可为2～4。能够保证低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4中本身的质量及释放应力的效果。
43.示例性地，ingan过渡层中in组分的比例为0.11～0.23。能够有效减少延伸至低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4中n空隙以减少光子湮灭点在ingan/gan多量子阱层6形成的可能。
44.图2是本公开实施例提供的另一种提高内量子效率的发光二极管外延片的结构示意图，参考图2可知，在本公开提供的另一种实现方式中，发光二极管外延片可包括衬底1及生长在衬底1上的缓冲层2、低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4、n型gan层5、ingan/gan多量子阱层6、algan电子阻挡层8、p型gan层7及p型接触层9。
45.需要说明的是，图2中所示的低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4与图1中所示的低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层4的结构相同，因此此处不再赘述。
46.可选地，衬底1可为蓝宝石衬底1。易于制作与获取。
47.示例性地，缓冲层2可包括依次层叠在衬底1上的gan缓冲层2。能够有效缓解晶格失配。
48.在本公开所提供的其他实现方式中，缓冲层2也可为铝氮、铝镓氮或铝铟镓氮中的一种。本公开对此不做限制。
49.可选地，n型gan层5的掺杂元素可为si，且si元素的掺杂浓度可为1
×
10
18
～1
×
10
19
cm-3
。n型gan层5整体的质量较好。
50.示例性地，n型gan层5的厚度可为1～5μm。得到的n型gan层5整体的质量较好。
51.在本公开提供的一种实现方式中，n型gan层5的厚度可为3μm。本公开对此不做限制。
52.示例性地，ingan/gan多量子阱层6包括多个交替层叠的ingan阱层及gan垒层，ingan阱层的厚度可为2～5nm，gan垒层的厚度可为8～20nm。
53.示例性地，ingan/gan多量子阱层6的整体厚度可为50～130nm，in摩尔含量13％～
25％。
54.可选地，ingan/gan多量子阱层6包括多个交替层叠的ingan阱层与gan垒层，将ingan/gan多量子阱层6中最靠近p型gan层7的ingan阱层与gan垒层分别划分为终点ingan阱层与终点gan垒层，且终点ingan阱层位于终点gan垒层与p型gan层7之间。终点ingan阱层与终点gan垒层中均掺有mg。
55.终点ingan阱层位于终点gan垒层与p型gan层7之间，有一定的空穴存储能力，可以提高进入ingan/gan多量子阱层6中空穴的数量与均匀度；终点ingan阱层与终点gan垒层中均掺有mg，可以进一步提高进入ingan/gan多量子阱层6中的空穴的数量，进一步提高最终得到的发光二极管的内量子效率。
56.可选地，algan电子阻挡层8中al组分可为0.15～0.25。阻挡电子的效果较好。
57.可选地，algan电子阻挡层8的厚度可为20～100nm。得到的algan电子阻挡层8的质量较好。
58.能够提供足够的空穴，并保证发光二极管外延片整体的成本不会过高。
59.示例性地，p型接触层9的厚度可为10～50nm。
60.需要说明的是，在本公开所提供的其他实现方式中，发光二极管外延片也还可包括其他层次结构，本公开对此不做限制。
61.图3是本公开实施例提供的一种提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法流程图，参考图3可知，本公开实施例提供了一种提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法，提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法包括：
62.s101：提供一衬底。
63.s102：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂gan层、低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层、n型gan层、ingan/gan多量子阱层与p型gan层。低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层包括inalgan过渡层、ingan过渡层与gan过渡层，gan过渡层掺杂有si。
64.图3中发光二极管制备方法所对应的技术效果可对应参考图1中所示的发光二极管结构的技术效果，因此此处不再赘述。
65.可选地，步骤s102中，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长温度比非掺杂gan层的生长温度低300～400℃。
66.低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长温度比非掺杂gan层的生长温度低以上范围的温度，可以保证低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层以较低的温度进行生长，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层本身会存在的n空隙大量减少，有效减少后续会得到的光子湮灭点。
67.示例性地，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长压力为150～250torr。可以得到生长较为均匀的、缺陷较少的低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层。
68.可选地，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长转速为500～800rpm。可以得到生长较为均匀的、缺陷较少的低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层。
69.可选地，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长温度可为750～900℃。能够得到质量较好的低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层。
70.示例性地，inalgan过渡层、ingan过渡层与gan过渡层的生长温度均可相同。可以保证低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的质量的同时控制整体成本。
71.在本公开所提供的其他实现方式中，也可以将inalgan过渡层、ingan过渡层与gan过渡层的生长温度分别设置为800℃、800℃与880℃，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长转速设置为600rpm，低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长压力设置为200torr。能够得到质量较好的低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层。本公开对此不做限制。
72.示例性地，非掺杂gan层的生长温度可为1000～1200℃。能够保证非掺杂gan层本身的质量较好，且形成的n空隙较少。
73.图4是本公开实施例提供的另一种提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法流程图，参考图4可知，本公开所提供的发光二极管外延片制备方法可包括：
74.s201：提供一衬底。
75.其中，衬底可为蓝宝石衬底。易于实现与制作。
76.可选地，步骤s201还可包括：在氢气气氛下，处理衬底表面的时长为6～10min。
77.示例性地，处理衬底表面时，反应腔的温度可为1000～1200℃，反应腔的压力可为200～500torr。
78.在本公开所提供的一种实现方式中，处理衬底时，反应腔的温度也可为1100℃，处理衬底表面的时长可为8min。
79.步骤s201还可包括：对衬底的表面进行氮化处理，在衬底的表面铺一层氮原子。可以便于氮化镓材料的快速生长。
80.s202：在衬底上生长缓冲层。
81.可选地，控制反应腔的温度为450℃～600℃，反应腔的压力为200torr～500torr，生长gan缓冲层。得到质量较好的缓冲层。
82.s203：在缓冲层上生长非掺杂gan层。
83.非掺杂gan层的生长压力可为100～300torr。非掺杂gan层的生长温度可为100～1200。本公开对此不做限制。
84.s204：在非掺杂gan层上生长低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层。
85.步骤s204可参考图3中所示的步骤s102中对应的说明，因此此处不再赘述。
86.s205：在缓冲层上生长n型gan层。
87.可选地，n型gan层的生长温度可为950℃～1200℃，n型gan层的生长压力可为200torr～500torr。
88.s206：在n型gan层上生长ingan/gan多量子阱层。
89.步骤s206中，ingan/gan多量子阱层包括交替生长的ingan阱层与gan垒层。
90.可选地，ingan阱层的生长温度与生长压力分别为700～800℃与100torr～300torr，gan垒层的生长温度与生长压力分别为700～900℃与100torr～300torr。得到的ingan/gan多量子阱层的质量较好。
91.可选地，ingan阱层的厚度为2～4nm，gan垒层的厚度为5～10nm。得到的ingan/gan多量子阱层的质量较好。
92.可选地，ingan/gan多量子阱层包括多个交替层叠的ingan阱层与gan垒层，将ingan/gan多量子阱层中最靠近p型gan层的ingan阱层与gan垒层分别划分为终点ingan阱层与终点gan垒层，且终点ingan阱层位于终点gan垒层与p型gan层之间。终点ingan阱层与
终点gan垒层的生长温度，低于ingan/gan多量子阱层中除终点ingan阱层与终点gan垒层之外的ingan阱层与gan垒层的生长温度。
93.可以保证终点ingan阱层与终点gan垒层的生长质量并为mg的掺杂提供足够的时间。
94.示例性地，终点ingan阱层与终点gan垒层的生长温度可以分别比ingan/gan多量子阱层中其他阱垒层的生长温度低20～50℃。
95.可以保证ingan/gan多量子阱层整体质量并实现ingan/gan多量子阱层与p型gan层之间的稳定过渡。
96.s207：在ingan/gan多量子阱层上生长algan电子阻挡层。
97.algan电子阻挡层的生长温度可为600～1000℃，algan电子阻挡层的生长压力可为100～300torr。在此条件下生长得到的algan电子阻挡层的质量较好，有利于提高发光二极管的发光效率。
98.s208：在algan电子阻挡层上生长p型gan层。
99.s209：在p型gan层上生长p型接触层。
100.可选地，p型接触层的生长压力可为100torr～300torr，p型接触层的生长温度可为850℃～1050℃。
101.在本公开所提供的一种实现方式中，p型接触层的生长温度可为950℃，p型接触层的生长压力可为200torr。
102.需要说明的是，图4中所示的提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，相对图1中所示的发光二极管的制备方法，提供了一种更为详细的发光二极管外延片的生长方式。
103.执行完步骤s209后的发光二极管外延片的结构可参见图2。
104.需要说明的是，在本公开实施例中，采用veecok 465i or c4 or rb mocvd(metal organic chemical vapor deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现发光二极管的生长方法。采用高纯h2(氢气)或高纯n2(氮气)或高纯h2和高纯n2的混合气体作为载气，高纯nh3作为n源，三甲基镓(tmga)及三乙基镓(tega)作为镓源，三甲基铟(tmin)作为铟源，硅烷(sih4)作为n型掺杂剂，三甲基铝(tmal)作为铝源，二茂镁(cp2mg)作为p型掺杂剂。
105.以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。

技术特征：
1.一种提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述提高内量子效率的发光二极管外延片包括衬底与依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层、n型gan层、ingan/gan多量子阱层与p型gan层，所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层包括inalgan过渡层、ingan过渡层与gan过渡层，所述gan过渡层掺杂有si。2.根据权利要求1所述的提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述gan过渡层中掺入si的浓度为1
×
10
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cm-3
～1
×
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cm-3
。3.根据权利要求1所述的提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述inalgan过渡层中in组分比例为10％～50％、al组分比例为3％～20％。4.根据权利要求1～3任一项所述的提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的厚度为30～70nm。5.根据权利要求1～3任一项所述的提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述inalgan过渡层的厚度为1～3nm，所述ingan过渡层的生长厚度为2～3nm，所述gan过渡层的生长厚度为5～8nm。6.根据权利要求1～3任一项所述的提高内量子效率的发光二极管外延片，其特征在于，所述ingan/gan多量子阱层包括多个交替层叠的ingan阱层与gan垒层，将所述ingan/gan多量子阱层中最靠近所述p型gan层的所述ingan阱层与所述gan垒层分别划分为终点ingan阱层与终点gan垒层，且所述终点ingan阱层位于所述终点gan垒层与所述p型gan层之间，所述终点ingan阱层与所述终点gan垒层中均掺有mg。7.一种提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂gan层、低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层、n型gan层、ingan/gan多量子阱层与p型gan层，所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层包括inalgan过渡层、ingan过渡层与gan过渡层，所述gan过渡层掺杂有si。8.根据权利要求7所述的提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长温度比所述非掺杂gan层的生长温度低300～400℃。9.根据权利要求7所述的提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述低温inalgan/ingan/gan超晶格优化层的生长转速为500～800rpm。10.根据权利要求7～9任一项所述的提高内量子效率的发光二极管外延片制备方法，所述ingan/gan多量子阱层包括多个交替层叠的ingan阱层与gan垒层，将所述ingan/gan多量子阱层中最靠近所述p型gan层的所述ingan阱层与所述gan垒层分别划分为终点ingan阱层与终点gan垒层，且所述终点ingan阱层位于所述终点gan垒层与所述p型gan层之间，其特征在于，所述终点ingan阱层与所述终点gan垒层的生长温度，低于所述ingan/gan多量子阱层中除所述终点ingan阱层与所述终点gan垒层之外的所述ingan阱层与所述gan垒层的生长
温度。

技术总结
本发明公开了提高内量子效率的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在非掺杂GaN层与n型GaN层之间增加低温InAlGaN/InGaN/GaN超晶格优化层，以较低的温度生长，N空隙在较低的温度下较难形成，减少N空隙生成，超晶格优化层中所携带的In原子可以与N空隙提前反应，减小N空隙延伸至多量子阱层中形成光子湮灭点的可能，提高发光二极管外延片的内量子效率。超晶格优化层中GaN过渡层掺杂有Si，可以促进电子的增加与流动，配合InAlGaN过渡层的势垒，可以使得电子更均匀进入InGaN/GaN多量子阱层中，提高内量子效率的同时提高出光均匀度。同时提高出光均匀度。同时提高出光均匀度。


技术研发人员：陈张笑雄 卢云霞 葛永晖 贾胜敏 陆香花 李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/8