一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构的制作方法

一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构
技术领域
1.本实用新型涉及芯片技术领域，特别涉及一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构。


背景技术：

2.随着半导体集成工艺技术的快速发展，越来越多的射频组件功能逐渐向芯片级一次集成下沉，通过单一射频裸芯片集成实现传统射频组件的多种电路功能，即实现射频功能片上的系统化。在此基础上，通过多种裸芯片二次封装工艺，将一颗或多颗soc裸芯片进行二次集成封装，实现诸如多芯片堆叠互联、结构支撑保护、对外高低频接口实现等功能，构成具有独立物理轮廓和高低频接口的标准化封装体，以此实现功能更全、集成密度更高的射频系统微小型和器件化应用。但是现有技术中的二次封装工艺，无法实现电磁隔离的目的。
3.为此，我们提出一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构。


技术实现要素：

4.本实用新型的主要目的在于提供一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，可以有效解决背景技术中的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
6.一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，包括端盖、金属外壳、基座和金属底板，所述基座底端开设有用于安装金属底板的卡槽，所述基座内部设有安装腔，所述金属底板上端面居中处固定连接有芯片本体，所述金属底板上端面固定扣合有金属外壳，所述芯片本体位于金属外壳内，所述芯片本体与金属外壳之间设有电磁屏蔽层，所述金属底板下端面固定连接有介电层，所述介电层底端固定连接有多个等距设置的金属凸块。
7.进一步地，所述介电层与基座之间设有金属连接片，所述金属连接片一端与金属底板固定连接。
8.进一步地，所述金属外壳、芯片本体均位于安装腔内。
9.进一步地，所述基座顶端固定连接有端盖，所述端盖底端固定胶粘有密封垫，使端盖与金属外壳之间能够紧密连接。
10.进一步地，所述密封垫远离端盖一侧与金属外壳顶端接触，所述密封垫位于安装腔内。
11.进一步地，所述介电层内设有金属连接柱，所述金属连接柱顶端与金属底板连接，所述金属连接柱底端与金属凸块连接，金属连接柱等距设有多个。
12.与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：通过金属外壳和金属底板的设计，使芯片本体能够完全密封封装，具有密封性好的优点，结合金属屏蔽层的使用，实现了芯片本体的共形电磁隔离，通过金属连接柱、金属凸块和金属连接片的设计，实现了金属底板的导电连续性，提高了芯片本体的使用性能。
附图说明
13.图1为本实用新型一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构的结构示意图。
14.图2为本实用新型一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构的立体图。
15.图3为本实用新型一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构的端盖立体图。
16.图中：1、端盖；2、密封垫；3、金属外壳；4、电磁屏蔽层；5、安装腔；6、基座；7、金属底板；8、芯片本体；9、金属连接柱；10、金属凸块；11、金属连接片；12、卡槽；13、介电层。
具体实施方式
17.为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
18.如图1-3所示，一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，包括端盖1、金属外壳3、基座6和金属底板7，所述基座6底端开设有用于安装金属底板7的卡槽12，所述基座6内部设有安装腔5，所述金属底板7上端面居中处固定连接有芯片本体8，所述金属底板7上端面固定扣合有金属外壳3，所述芯片本体8位于金属外壳3内，所述芯片本体8与金属外壳3之间设有电磁屏蔽层4，所述金属底板7下端面固定连接有介电层13，所述介电层13底端固定连接有多个等距设置的金属凸块10。
19.其中，所述介电层13与基座6之间设有金属连接片11，所述金属连接片11一端与金属底板7固定连接。
20.其中，所述金属外壳3、芯片本体8均位于安装腔5内。
21.其中，所述基座6顶端固定连接有端盖1，所述端盖1底端固定胶粘有密封垫2，使端盖1与金属外壳3之间能够紧密连接。
22.其中，所述密封垫2远离端盖1一侧与金属外壳3顶端接触，所述密封垫2位于安装腔5内。
23.其中，所述介电层13内设有金属连接柱9，所述金属连接柱9顶端与金属底板7连接，所述金属连接柱9底端与金属凸块10连接，金属连接柱9等距设有多个。
24.需要说明的是，本实用新型为一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，金属底板7从下而上扣合在基座6的底端，金属底板7上端面居中处固定连接有芯片本体8，金属底板7上端面固定扣合有金属外壳3，芯片本体8位于金属外壳3内，芯片本体8与金属外壳3之间设有电磁屏蔽层4，金属底板7下端面固定连接有介电层13，介电层13底端固定连接有多个等距设置的金属凸块10，端盖1从上而下扣合在基座6上，端盖1底端固定胶粘有密封垫2，使端盖1与金属外壳3之间能够紧密连接。
25.以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。


技术特征：
1.一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，包括端盖(1)、金属外壳(3)、基座(6)和金属底板(7)，其特征在于，所述基座(6)底端开设有用于安装金属底板(7)的卡槽(12)，所述基座(6)内部设有安装腔(5)，所述金属底板(7)上端面居中处固定连接有芯片本体(8)，所述金属底板(7)上端面固定扣合有金属外壳(3)，所述芯片本体(8)位于金属外壳(3)内，所述芯片本体(8)与金属外壳(3)之间设有电磁屏蔽层(4)，所述金属底板(7)下端面固定连接有介电层(13)，所述介电层(13)底端固定连接有多个等距设置的金属凸块(10)。2.根据权利要求1所述的一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，其特征在于：所述介电层(13)与基座(6)之间设有金属连接片(11)，所述金属连接片(11)一端与金属底板(7)固定连接。3.根据权利要求1所述的一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，其特征在于：所述金属外壳(3)、芯片本体(8)均位于安装腔(5)内。4.根据权利要求1所述的一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，其特征在于：所述基座(6)顶端固定连接有端盖(1)，所述端盖(1)底端固定胶粘有密封垫(2)。5.根据权利要求4所述的一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，其特征在于：所述密封垫(2)远离端盖(1)一侧与金属外壳(3)顶端接触，所述密封垫(2)位于安装腔(5)内。6.根据权利要求1所述的一种射频芯片sip封装中实现共形电磁隔离的结构，其特征在于：所述介电层(13)内设有金属连接柱(9)，所述金属连接柱(9)顶端与金属底板(7)连接，所述金属连接柱(9)底端与金属凸块(10)连接。

技术总结
本实用新型公开了一种射频芯片SIP封装中实现共形电磁隔离的结构，包括端盖、金属外壳、基座和金属底板，所述基座底端开设有用于安装金属底板的卡槽，所述基座内部设有安装腔，所述金属底板上端面居中处固定连接有芯片本体，所述金属底板上端面固定扣合有金属外壳，所述芯片本体位于金属外壳内，所述芯片本体与金属外壳之间设有电磁屏蔽层，所述金属底板下端面固定连接有介电层，所述介电层底端固定连接有多个等距设置的金属凸块，所述介电层与基座之间设有金属连接片，所述金属连接片一端与金属底板固定连接，所述金属外壳、芯片本体均位于安装腔内。能够实现电磁隔离的目的，提升了封装的可靠性，有利于产品质量的提升。有利于产品质量的提升。有利于产品质量的提升。


技术研发人员：孔令东
受保护的技术使用者：上海挺跃信息科技有限公司
技术研发日：2021.09.10
技术公布日：2022/3/8