1.本实用新型涉及碳化硅mosfet技术领域,更具体的说,尤其涉及一种碳化硅mosfet散热结构。
背景技术:
2.mosfet即金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,与传统的硅质mosfet相比,碳化硅mosfet的导通电阻和开关损耗大幅降低,适应于更高的工作频率。
3.目前常见碳化硅mosfet的结构较为简单,其散热性能还存在不完善,装置在使用时,受到电路板及其内部的元器件的影响,会产生大量的热量,降低装置的性能,甚至造成装置发生损坏的问题。
4.有鉴于此,针对现有的问题予以研究改良,提供一种碳化硅mosfet散热结构,旨在通过该技术,达到解决问题与提高实用价值性的目的。
技术实现要素:
5.本实用新型的目的在于提供一种碳化硅mosfet散热结构,以解决上述背景技术中提出的目前常见碳化硅mosfet的结构较为简单,其散热性能还存在不完善,装置在使用时,受到电路板及其内部的元器件的影响,会产生大量的热量,降低装置的性能,甚至造成装置发生损坏的问题和不足。
6.为实现上述目的,本实用新型提供了一种碳化硅mosfet散热结构,由以下具体技术手段所达成:
7.一种碳化硅mosfet散热结构,包括:主体、固定槽、卡块、固定架、底板、散热槽、安装槽、隔热板、封盖、引脚、圆槽;所述固定槽位于主体外侧的下方,且固定槽与主体为一体式结构;所述卡块呈前后对称排列的方式分别位于固定槽的前后两侧,且卡块与固定槽为一体式结构;所述固定架的上方设置在固定槽的内部,且固定架与固定槽通过卡块相连接;所述底板设置在固定架的下侧,且底板与固定架通过焊接方式相连接;所述散热槽位于底板的下侧,且散热槽与底板为一体式结构;所述安装槽位于底板上侧的中间,且安装槽与底板为一体式结构;所述隔热板设置在安装槽内的下方,且隔热板与安装槽之间卡接;所述封盖设置在安装槽内的上方,且封盖与安装槽通过螺栓固定方式相连接;所述引脚在主体的下侧设置有三处,且引脚的上端与主体通过焊接方式相连接;所述圆槽呈均布排列的方式在主体的外侧设有多处,且圆槽与主体为一体式结构。
8.作为本技术方案的进一步优化,本实用新型一种碳化硅mosfet散热结构所述卡块为侧视呈楔形的块状结构,且卡块呈水平排列的方式设有多处。
9.作为本技术方案的进一步优化,本实用新型一种碳化硅mosfet散热结构所述固定架为俯视呈长方形的筒装结构,且固定架的外侧设有多处长方形的槽孔,并且固定架与卡块之间卡接。
10.作为本技术方案的进一步优化,本实用新型一种碳化硅mosfet散热结构所述底板为侧视呈等腰梯形的板状结构,且底板的内部设有三处长方形的槽孔。
11.作为本技术方案的进一步优化,本实用新型一种碳化硅mosfet散热结构所述散热槽为侧视呈弧形的槽状结构,且散热槽呈前后对称排列的方式设有多处。
12.作为本技术方案的进一步优化,本实用新型一种碳化硅mosfet散热结构所述隔热板和封盖均为长方形的板状结构,且隔热板和封盖的内部均设有三处长方形的槽孔。
13.作为本技术方案的进一步优化,本实用新型一种碳化硅mosfet散热结构所述引脚为长条形的杆状结构,且引脚的上部侧视呈s形,并且引脚分别与底板、隔热板和封盖之间穿接。
14.由于上述技术方案的运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
15.1、本实用新型一种碳化硅mosfet散热结构,通过在主体的下侧设置固定架和底板,并在底板的内部设置隔热板,可以将装置与电路板隔开,防止电路板的热量传递给装置,通过在固定架的外侧设置矩形槽孔,并将引脚的上方设置为s状,可以提升引脚的散热效果,同时通过在主体的表面设置圆槽,可以提升主体的散热效果,从而使该装置起到有效散热的作用。
16.2、本实用新型一种碳化硅mosfet散热结构,通过在固定架的下侧设置侧视呈等腰梯形的底板,并在底板的下侧设置多处弧形的散热槽,不仅减小了底板与电路板的接触面积,留出了热量向外扩散的通道,还可以使底板与电路板相贴合,提升装置的固定紧固度,以防其在固定过程中发生晃动,从而使该装置起到固定牢固的作用。
17.3、本实用新型通过对上述装置在结构上的改进,具有有效散热和固定牢固的优点,从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
附图说明
18.构成本技术的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:
19.图1为本实用新型的结构示意图;
20.图2为本实用新型固定槽处结构示意图;
21.图3为本实用新型固定架处结构示意图;
22.图4为本实用新型安装槽处分解结构示意图;
23.图5为本实用新型底板下侧结构示意图。
24.图中:主体1、固定槽2、卡块3、固定架4、底板5、散热槽6、安装槽7、隔热板 8、封盖9、引脚10、圆槽11。
具体实施方式
25.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
26.需要说明的是,在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两
个以上;术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
27.此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
28.同时,在本实用新型的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电性连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
29.请参见图1至图5,本实用新型提供一种碳化硅mosfet散热结构的具体技术实施方案:
30.一种碳化硅mosfet散热结构,包括:主体1、固定槽2、卡块3、固定架4、底板 5、散热槽6、安装槽7、隔热板8、封盖9、引脚10、圆槽11;固定槽2位于主体1外侧的下方,且固定槽2与主体1为一体式结构;卡块3呈前后对称排列的方式分别位于固定槽2的前后两侧,且卡块3与固定槽2为一体式结构;固定架4的上方设置在固定槽2的内部,且固定架4与固定槽2通过卡块3相连接;底板5设置在固定架4的下侧,且底板5与固定架4通过焊接方式相连接;散热槽6位于底板5的下侧,且散热槽 6与底板5为一体式结构;安装槽7位于底板5上侧的中间,且安装槽7与底板5为一体式结构;隔热板8设置在安装槽7内的下方,且隔热板8与安装槽7之间卡接;封盖9 设置在安装槽7内的上方,且封盖9与安装槽7通过螺栓固定方式相连接;引脚10在主体1的下侧设置有三处,且引脚10的上端与主体1通过焊接方式相连接;圆槽11呈均布排列的方式在主体1的外侧设有多处,且圆槽11与主体1为一体式结构。
31.具体的,卡块3为侧视呈楔形的块状结构,且卡块3呈水平排列的方式设有多处,如图2所示,卡块3位于固定槽2内的中间位置处。
32.具体的,固定架4为俯视呈长方形的筒装结构,且固定架4的外侧设有多处长方形的槽孔,并且固定架4与卡块3之间卡接,利用向外拨动固定架4上方的方式即可对固定架4进行拆卸。
33.具体的,底板5为侧视呈等腰梯形的板状结构,且底板5的内部设有三处长方形的槽孔,如图1所示,底板5上方的宽度大于主体1的宽度,从而实现将下方热量向外扩散的目的,以防热量直接上升至主体1的表面。
34.具体的,散热槽6为侧视呈弧形的槽状结构,且散热槽6呈前后对称排列的方式设有多处,如图5所示,散热槽6为倾斜状,且其深度向外依次递增,可以提升散热效果。
35.具体的,隔热板8和封盖9均为长方形的板状结构,且隔热板8和封盖9的内部均设有三处长方形的槽孔。
36.具体的,引脚10为长条形的杆状结构,且引脚10的上部侧视呈s形,并且引脚10 分别与底板5、隔热板8和封盖9之间穿接。
37.具体实施步骤:
38.在使用该装置时,首先将装置的引脚10插入电路板的对应安装孔内,并保证底板5 与电路板相对齐,然后利用焊接的方式将其进行固定即可,使用期间,内部设置有隔热板8
的底板5会将电路板的热量进行阻隔,以防热量直接传递装置的主体1,而由于底板 5侧视呈等腰梯形,其与电路板之间的热量会沿散热槽6向外扩散至主体1的周围,而并非直接上升至主体1的表面,有效阻隔了热量的传导,同时通过将引脚10的上部设置为 s形,在主体的表面开设圆槽11,可以提升装置的散热效果,从而提升装置的散热性能。
39.综上所述:该一种碳化硅mosfet散热结构,通过在主体的下侧设置固定架和底板,并在底板的内部设置隔热板,可以将装置与电路板隔开,防止电路板的热量传递给装置,通过在固定架的外侧设置矩形槽孔,并将引脚的上方设置为s状,可以提升引脚的散热效果,同时通过在主体的表面设置圆槽,可以提升主体的散热效果,从而使该装置起到有效散热的作用;通过在固定架的下侧设置侧视呈等腰梯形的底板,并在底板的下侧设置多处弧形的散热槽,不仅减小了底板与电路板的接触面积,留出了热量向外扩散的通道,还可以使底板与电路板相贴合,提升装置的固定紧固度,以防其在固定过程中发生晃动,从而使该装置起到固定牢固的作用,有效解决了现有装置中出现的问题和不足。
40.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。