LED支架及LED灯珠的制作方法

led支架及led灯珠
技术领域
1.本实用新型涉及封装技术领域，特别是涉及一种led支架及led灯珠。


背景技术：

2.led(light emitting diode，发光二极管)灯珠，通常作为发光二极管光源，具有体积小、寿命长、效率高等优点，常应用在背光和照明领域作为背光源和发光源使用。
3.目前，为了加强led灯珠的防静电能力，必须在led灯珠上增设一个齐纳管。现有的做法是在led支架上固焊好芯片后，再在led支架上固焊齐纳管，最终填充封装胶封装。但由于齐纳管本身会吸收光，从而使得芯片发出的光被齐纳管吸收，导致led灯珠的亮度降低，无法满足发光需求。


技术实现要素：

4.基于此，有必要提供一种led灯珠。
5.一种led支架，包括支架本体，所述支架本体包括基座和侧墙，所述侧墙环绕设置于所述基座上，所述侧墙的边缘与所述基座连接且内部形成收容腔；所述基座朝向所述收容腔的表面开设有凹槽，所述凹槽用于容置齐纳管。
6.在其中一个实施例中，所述基座包括依次连接的正极子部、绝缘子部和负极子部，所述正极子部和/或所述负极子部开设有所述凹槽。
7.在其中一个实施例中，所述凹槽的深度为0.15毫米至0.2毫米。
8.一种led灯珠，包括led晶片、封装胶层、齐纳管以及如上任一实施例所述的led支架；所述齐纳管容置于所述凹槽内；所述led晶片设置在所述基座上并收容于收容腔内，且所述led晶片与所述基座电连接，所述封装胶层填充设置于所述收容腔内并密封所述收容腔。
9.在其中一个实施例中，所述齐纳管通过导电胶固定容置于所述凹槽内。
10.在其中一个实施例中，所述基座包括依次连接的正极子部、绝缘子部和负极子部；所述正极子部开设有所述凹槽，所述齐纳管的底部通过导电胶与所述正极子部黏贴且电连接，所述齐纳管的顶部通过导电线与所述负极子部电连接；和/或，所述负极子部开设有所述凹槽，所述齐纳管的底部通过导电胶与所述负极子部黏贴且电连接，所述齐纳管的顶部通过导电线与所述正极子部电连接。
11.在其中一个实施例中，所述led晶片和所述齐纳管分别位于所述绝缘子部的不同侧。
12.在其中一个实施例中，所述齐纳管的表面与所述基座的表面齐平。
13.在其中一个实施例中，所述齐纳管背向所述基座的表面还涂覆有反射层。
14.在其中一个实施例中，所述凹槽的深度为0.15毫米至0.2毫米。
15.本实用新型的有益效果是：通过在led支架上开设凹槽，可以将齐纳管设置在凹槽内隐藏，从而避免齐纳管吸收光而使得led灯珠的亮度降低，有效地保证了发光需求。
附图说明
16.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
17.图1为一实施例的led灯珠的剖视图；
18.图2为一实施例的led灯珠的结构示意图。
具体实施方式
19.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
20.本实用新型公开一种led支架，该led支架包括支架本体，所述支架本体包括基座和侧墙，所述侧墙环绕设置于所述基座上，所述侧墙的边缘与所述基座连接且内部形成收容腔；所述基座朝向所述收容腔的表面开设有凹槽，所述凹槽用于容置齐纳管。
21.上述led支架，通过在led支架上开设凹槽，可以将齐纳管设置在凹槽内隐藏，从而避免齐纳管吸收光而使得led灯珠的亮度降低，有效地保证了发光需求。
22.为了更便于理解本技术的led支架，下面将结合附图对led支架进行进一步说明。
23.如图1和图2所示，一种led支架，包括：支架本体100，所述支架本体100包括基座110和侧墙120，所述侧墙120环绕设置于所述基座110上，所述侧墙120的边缘与所述基座110连接且内部形成收容腔101。具体地，所述收容腔101具有碗状结构。
24.所述基座110朝向所述收容腔101的表面开设有凹槽102，所述凹槽102用于容置齐纳管200。
25.在其中一个实施例中，所述凹槽102的数量可为一个，在另一实施例中，所述凹槽102的数量可为多个。
26.上述led支架，通过在led支架上开设凹槽102，可以将齐纳管200设置在凹槽102内隐藏，从而避免齐纳管200吸收光而使得led灯珠10的亮度降低，有效地保证了发光需求。
27.在其中一个实施例中，所述基座110包括依次连接的正极子部111、绝缘子部112和负极子部113，所述正极子部111开设有所述凹槽102。在其中一个实施例中，所述基座110包括依次连接的正极子部111、绝缘子部112和负极子部113，所述负极子部113开设有所述凹槽。在其中一个实施例中，所述基座110包括依次连接的正极子部111、绝缘子部112和负极子部113，所述正极子部111和所述负极子部113均开设有所述凹槽102。
28.为了能够更好地将齐纳管200隐藏在凹槽102内，在其中一个实施例中，所述凹槽102的深度为0.15毫米至0.2毫米。由于齐纳管200的高度通常为0.11毫米，设置凹槽102的深度为0.15毫米至0.2毫米。有效地将齐纳管200隐藏在凹槽内。
29.如图1和图2所示，本实用新型还公开一种led灯珠10，包括led晶片300、封装胶层400、齐纳管200以及如上任一实施例所述的led支架。所述齐纳管200容置于所述凹槽102内；所述led晶片300设置在所述基座110上并收容于收容腔101内，且所述led晶片300与所
述基座110电连接，所述封装胶层400填充设置于所述收容腔101内并密封所述收容腔101。
30.上述led灯珠10，通过在led支架上开设凹槽101，可以将齐纳管200设置在凹槽102内隐藏，从而避免齐纳管200吸收光而使得led灯珠的亮度降低，有效地保证了发光需求。
31.在其中一个实施例中，所述凹槽102的数量可为一个，在另一实施例中，所述凹槽102的数量可为多个，各所述凹槽102内均容置有所述齐纳管200。
32.在其中一个实施例中，所述led晶片300为正装晶片。具体地，所述正装晶片通过绝缘胶设置在所述基座110上并通过导电线与所述基座110电连接。优选地，所述绝缘胶为硅胶。进一步地，所述绝缘胶也可为其它能够实现绝缘功能的胶体。优选地，所述导电线为金线。进一步地，所述导电线也可为铜线等其它能够实现导电功能的导电线。
33.在另一个实施例中，所述led晶片300为倒装晶片。具体地，所述倒装晶片通过导电胶设置在所述基座110上并与所述基座110电连接。优选地，所述导电胶为银胶或锡膏。进一步地，所述导电胶也可为其它能够实现导电功能的胶体。
34.在其中一个实施例中，所述封装胶层400为透明胶层。在其中一个实施例中，所述封装胶层400为硅胶层、硅树脂层或环氧树脂层。所述封装胶层400用于将所述led晶片300密封封装在所述led支架内，有效地阻挡了水汽与led晶片300的接触，防止led晶片300被氧化。
35.在其中一个实施例中，所述封装胶层400内填充设置有荧光粉颗粒。在其中一个实施例中，所述荧光粉颗粒均匀分散设置在所述封装胶层400内。
36.为了将齐纳管200与led支架固定且实现齐纳管200的导通，在其中一个实施例中，所述齐纳管200通过导电胶固定容置于所述凹槽102内。通过使用导电胶，能够稳固地将齐纳管200固定在led支架上并实现齐纳管200的导通。
37.在其中一个实施例中，所述基座110包括依次连接的正极子部111、绝缘子部112和负极子部113；所述正极子部111开设有所述凹槽102，所述齐纳管200的底部通过导电胶与所述正极子部111黏贴且电连接，所述齐纳管200的顶部通过导电线与所述负极子部113电连接。
38.在另一个实施例中，所述负极子部113开设有所述凹槽102，所述齐纳管200的底部通过导电胶与所述负极子部113黏贴且电连接，所述齐纳管200的顶部通过导电线与所述正极子部111电连接。
39.在又一实施例中，所述基座110包括依次连接的正极子部111、绝缘子部112和负极子部113；所述正极子部111开设有所述凹槽102，所述齐纳管200的底部通过导电胶与所述正极子部111黏贴且电连接，所述齐纳管200的顶部通过导电线与所述负极子部113电连接；所述负极子部113开设有所述凹槽102，所述齐纳管200的底部通过导电胶与所述负极子部113黏贴且电连接，所述齐纳管200的顶部通过导电线与所述正极子部111电连接。
40.为了方便固定led晶片300和齐纳管200，在其中一个实施例中，所述led晶片300和所述齐纳管200分别位于所述绝缘子部112的不同侧。这样，避免led晶片300和齐纳管200固定在同一侧而增加工艺难度，更加方便固定led晶片300和齐纳管200。
41.为了避免齐纳管200将光吸收且降低工艺难度，所述齐纳管200的表面与所述基座110的表面齐平。这样，通过将凹槽102的深度设置为能使齐纳管200的表面与基座110的表面齐平，能避免齐纳管200将光吸收的同时又降低工艺难度。
42.为了提高led灯珠10的亮度，在其中一个实施例中，所述齐纳管200背向所述基座110的表面还涂覆有反射层500。这样，通过在齐纳管200的表面涂覆反射层500，避免齐纳管200吸光的同时，提高了光线的反射率。在其中一个实施例中，所示反射层500的材料可为环氧树脂胶，并可添加二氧化钛、三氧化二铝粉末和银等高反射率添加剂。
43.为了方便齐纳管200容置在凹槽102内，在其中一个实施例中，所述凹槽102的深度为0.15毫米至0.2毫米。这样，由于齐纳管200的高度通常为0.11mm左右，设置凹槽102的深度为0.15毫米至0.2毫米，方便齐纳管200容置在凹槽102内，避免齐纳管200吸光。在其中一个实施例中，所述凹槽102的深度为0.15毫米。在其中一个实施例中，所述凹槽102的深度为0.17毫米。在其中一个实施例中，所述凹槽102的深度为0.19毫米。在其中一个实施例中，所述凹槽102的深度为0.2毫米。
44.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。